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美光3D NAND采用替代柵極架構(gòu)：明年將量產(chǎn)
存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)
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存儲市場庫存仍高 美光明年仍采取保守策略
華為作為美光最大的客戶之一，美國將華為列入實體名單一事對美光產(chǎn)生了非常嚴(yán)重的影響，美光業(yè)績已經(jīng)逐漸露出下滑趨勢，上周五美光股價大跌近7%，南亞科、華邦電、威剛等存儲器企業(yè)也紛紛走低。 近期DRAM及N
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美光流片第四代3D閃存：全新替換柵極架構(gòu)
美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。 美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計思路，不過美光與Inte
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美光科技2019財年營收234億美元 不到上一財年8成
9月29日消息，據(jù)國外媒體報道，存儲芯片及存儲解決方案提供商美光科技的財報顯示，他們在2019財年營收234億美元，不到2018財年的8成。 美光科技的財報是在近日發(fā)布的，他們在發(fā)布第四財季財報的同
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損失最大客戶華為 美光慘了：Q4凈利暴跌87%
美國對華為的打壓已經(jīng)給美國半導(dǎo)體公司帶來了嚴(yán)重的負(fù)面影響。 美光日前發(fā)布了2019財年Q4季度財報，當(dāng)季營收48.7億美元，環(huán)比增長2%，同比下滑了42%，凈利潤直接從去年同期的43億跌到了5.6億，
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要大干一場？兆易創(chuàng)新融資43億，工藝將追平三星美光
2019年國產(chǎn)內(nèi)存實現(xiàn)了0的突破，合肥長鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級DDR4內(nèi)存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存儲芯片公司兆易創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存，10.1日該公司宣布融資43億元，主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。 根據(jù)兆
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超越美光：兆易創(chuàng)新NOR閃存升至全球第四
近年來，中國在內(nèi)存、存儲領(lǐng)域不斷取得新突破。紫光旗下長江存儲正式量產(chǎn)32層堆疊NOR Flash閃存之后，NOR Flash閃存也迎來好消息。 CINNO Research公布的最新數(shù)據(jù)顯示，2019
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美光將在臺灣興建2座晶圓廠 投資額達新臺幣4000億元
8月26日下午消息，據(jù)報道，全球第三大存儲芯片廠商美光（Micron）將在臺中興建兩座晶圓廠，使用下代最新制程工藝生產(chǎn)DRAM，總投資額高達新臺幣4000億元（約人民幣909億元）。 報道稱，這是繼
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美光持續(xù)擴廠，三星、SK海力士下半年計劃會是誰？
存儲器半導(dǎo)體巨頭美光持續(xù)推動攻擊性投資，韓國2大半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士則密切關(guān)注市場變化，調(diào)節(jié)投資速度。據(jù)韓媒《朝鮮日報》報道，市調(diào)公司IC Insights日前預(yù)測，今年DRAM設(shè)備投資規(guī)模
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證實！美光增資在臺興建2座晶圓廠
為了滿足未來在5G時代中包括人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能駕駛等應(yīng)用的需求，全球第三大DRAM制造商之一的美光（Micron）將斥資超過新臺幣4，000億元（約人民幣909億元），在臺中中科廠區(qū)興建兩座晶圓廠
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Q3業(yè)績提前完成 傳美光停止出貨 內(nèi)存漲價30%
從去年Q4季度開始，全球內(nèi)存也從牛市轉(zhuǎn)向了熊市，價格開始下滑，一直持續(xù)到今年Q2季度，據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計，Q2季度全球內(nèi)存價格也跌了10%，全球產(chǎn)值也下滑了9.1%。 不過Q2季度已經(jīng)是過
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美光宣布暫停向華為供貨！影響幾何？
繼此前Intel、高通等美國芯片大廠暫停與華為合作之后，當(dāng)?shù)貢r間5月29日，美國內(nèi)存芯片大廠美光科技也正式發(fā)出聲明，宣布暫停向華為供貨。美光在這份聲明中指出，作為一家擁有全球業(yè)務(wù)的美國企業(yè)，美光尊重并
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美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM
根據(jù)國外科技媒體報導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預(yù)估，美光的該項新產(chǎn)品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
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美光第三代 10nm 制程已量產(chǎn)，首批器件功耗降低 40%
8月19日訊，美光宣布1z nm制程存儲芯片量開始產(chǎn)，器件功耗降低40%。
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自損八百！美光停止供貨華為
繼英特爾、高通、賽靈思、博通等美國科技大企之后，內(nèi)存芯片大廠美光科技5月29日也發(fā)出聲明正式暫停向華為供貨。美光（Micron）發(fā)布正式聲明指出，遵守美國及各營運據(jù)點所在國家的所有法律與法規(guī)，目前已暫
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三星美光等公司加速96層堆棧閃存量產(chǎn) 2020年成為主流
6月中旬全球第二大閃存供應(yīng)商東芝在日本5座NAND閃存工廠遭遇斷電事故，導(dǎo)致部分工廠要停產(chǎn)到這個月，再加上本月初爆發(fā)的日本與韓國之間的貿(mào)易制裁，連跌了6個季度的閃存市場存在著多種不確定性。 影響閃存價
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內(nèi)存低價的好日子結(jié)束 JS又勝利了
最擔(dān)心的事情還是來了，自從前幾天內(nèi)存現(xiàn)貨價格首次出現(xiàn)10個月來的漲價之后，這幾天現(xiàn)貨價格連續(xù)上漲了。盡管半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)上周才給內(nèi)存漲價潑了一盆冷水，指出價格跌幅從之前的10
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內(nèi)存價格降至冰點 但美光正在為DDR5擴大產(chǎn)能
6月30日消息 在本周早些時候與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產(chǎn)能的計劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進的工藝技術(shù)。 美光表示，“我們相
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三星美光發(fā)力96層堆棧閃存 2020年將成為主流
6月中旬全球第二大閃存供應(yīng)商東芝在日本5座NAND閃存工廠遭遇斷電事故，導(dǎo)致部分工廠要停產(chǎn)到這個月，再加上本月初爆發(fā)的日本與韓國之間的貿(mào)易制裁，連跌了6個季度的閃存市場存在著多種不確定性。影響閃存價格走勢的還
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固態(tài)硬盤新趨勢？美光3D QLC閃存出貨量猛增75％
一款產(chǎn)品要獲得大眾的認(rèn)可，通常要在技術(shù)和性能、價格之間達到一個很好的平衡，硬盤從SLC、MLC、TLC、QLC……不同閃存規(guī)格一路走下來，性能強勁并不是第一
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