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PWM方式開關電源中IGBT的損耗分析
在電力電子領域，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為高性能開關器件，廣泛應用于PWM(脈寬調(diào)制)方式工作的開關電源中。IGBT的損耗直接影響開關電源的效率、熱設計及可靠性。因此，深入分析IGBT在PWM方式下的損耗特性，對于優(yōu)化開關電源設計具有重要意義。
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IGBT的損耗與結(jié)溫計算：深入探討與公式解析
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領域的核心元件，其損耗與結(jié)溫的計算對于電路的設計與優(yōu)化至關重要。本文將從IGBT的損耗類型出發(fā)，詳細闡述其計算方法，并進一步探討結(jié)溫的計算公式與步驟，以期為工程師們提供有益的參考。
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你了解IGBT的結(jié)構(gòu)嗎？IGBT通態(tài)漂移區(qū)少子分布仿真分析
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT的相關消息予以報道，如果IGBT是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制
在電力電子技術的快速發(fā)展中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為關鍵的功率半導體器件，廣泛應用于電動/混合動力汽車、工業(yè)變頻器、太陽能逆變器等領域。這些應用領域?qū)υO備的可靠性和性能要求極高，因此，現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器必須具備高效的隔離功能和強大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器在提供隔離功能時的最大功率限制及其實現(xiàn)機制。
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IGBT 國內(nèi)與國外廠商，可替代的有哪些？
什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。
