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抗單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）的加固單元庫設(shè)計(jì)：三模冗余與EDAC糾錯(cuò)電路實(shí)現(xiàn) 摘要
隨著汽車電子、航空航天等安全關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)呻娐房煽啃砸蟮奶嵘?，抗單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）技術(shù)成為設(shè)計(jì)焦點(diǎn)。本文提出一種基于三模冗余（TMR）與糾錯(cuò)碼（EDAC）的混合加固方案，通過RTL級建模實(shí)現(xiàn)高可靠單元庫設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)表明，該方案可使電路SEU容錯(cuò)率提升至99.9999%，同時(shí)面積開銷控制在2.3倍以內(nèi)。通過Verilog硬件描述語言與糾錯(cuò)碼算法的協(xié)同優(yōu)化，本文為安全關(guān)鍵系統(tǒng)提供了從單元級到系統(tǒng)級的抗輻射加固解決方案。
