引言在密集排列的系統(tǒng)電路板上,開關(guān)模式DC/DC穩(wěn)壓器是流行的電壓調(diào)節(jié)方法,因?yàn)檫@種穩(wěn)壓器具有較低的熱耗散。然而,電流的快速切換、定義不完備的布局、電感器等組件的放置和選擇使組成的電路有可能成為主要的EMI(電
引言在密集排列的系統(tǒng)電路板上,開關(guān)模式DC/DC穩(wěn)壓器是流行的電壓調(diào)節(jié)方法,因?yàn)檫@種穩(wěn)壓器具有較低的熱耗散。然而,電流的快速切換、定義不完備的布局、電感器等組件的放置和選擇使組成的電路有可能成為主要的EMI(電
株式會(huì)社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱瑞薩)宣布推出適用于兩輪機(jī)動(dòng)車穩(wěn)壓器和通用電池的引擎——CRD5CM反向?qū)ňчl管。CRD5CM 在單個(gè)元件內(nèi)整合了晶閘管和整流二極管。該產(chǎn)品將于2010年2月開始發(fā)售樣品。CRD5CM主要面向于在
Analog Devices, Inc.最新推出業(yè)界最小尺寸的高性能、雙通道 600mA 降壓型穩(wěn)壓器 ADP5022 (http://www.analog.com/zh/adp5022 ),專為空間有限的便攜式電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品尺寸僅有 2mm x 2mm x 0.6mm,大小僅為
HB-LED有潛能成為多種多樣照明應(yīng)用的主力軍。將HB-LED照明與其他照明技術(shù)相比時(shí),電源能效、長(zhǎng)壽命及設(shè)計(jì)多樣性僅是我們正面平價(jià)的一部分。隨著特定用途恒流穩(wěn)壓器的發(fā)展,更佳的多用途(all-round)系統(tǒng)方案將會(huì)誕生。
HB-LED有潛能成為多種多樣照明應(yīng)用的主力軍。將HB-LED照明與其他照明技術(shù)相比時(shí),電源能效、長(zhǎng)壽命及設(shè)計(jì)多樣性僅是我們正面平價(jià)的一部分。隨著特定用途恒流穩(wěn)壓器的發(fā)展,更佳的多用途(all-round)系統(tǒng)方案將會(huì)誕生。
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 4A 系統(tǒng)級(jí)封裝 DC/DC 微型模塊 (uModule®) 穩(wěn)壓器 LTM8027,該器件能用 60V 單電源工作,而不需任何輸入保護(hù)。LTM8027 在小型 2.6g 15mm x 15mm x 4.32mm 焊
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 4A 系統(tǒng)級(jí)封裝 DC/DC 微型模塊 (uModule®) 穩(wěn)壓器 LTM8027,該器件能用 60V 單電源工作,而不需任何輸入保護(hù)。LTM8027 在小型 2.6g 15mm x 15mm x 4.32mm 焊
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一個(gè)完整的 1A DC/DC 穩(wěn)壓器系統(tǒng)級(jí)封裝 LTM8031。這是凌力爾特公司新的電磁兼容 (EMC) DC/DC 微型模塊 (uModule®) 系列的第二個(gè)成員。LTM8031 含有電感器、開
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、同步降壓型穩(wěn)壓器 LTC3620,該器件具非常小的占板面積,可為單節(jié)鋰離子電池供電的應(yīng)用提供高達(dá) 15mA 電流。內(nèi)部同步開關(guān)提供高達(dá) 95% 的效率,而突發(fā)模式
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款采用纖巧表面貼裝型封裝和內(nèi)含電感器的完整雙通道 DC/DC uModule® 穩(wěn)壓器系統(tǒng) LTM4614。該系統(tǒng)能夠調(diào)節(jié)兩個(gè)輸出電壓在 0.8V至5V 范圍 (各在高達(dá) 4A 的電流
由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸,內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須要和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。對(duì)當(dāng)今的高性能處理器而言,5年或10年以
由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸,內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須要和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。對(duì)當(dāng)今的高性能處理器而言,5年或10年以
由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸,內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須要和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。對(duì)當(dāng)今的高性能處理器而言,5年或10年以
由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸,內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須要和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。對(duì)當(dāng)今的高性能處理器而言,5年或10年以