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硅

我要報(bào)錯(cuò)

  • 氮化鎵是未來的硅？

    相對(duì)硅，氮化鎵擁有跟寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力，并且可以承受比硅更高的電壓。簡(jiǎn)而言之，相同體積下，氮化鎵比硅的效率高出不少。

  • 急需自主發(fā)展，我國(guó)集成電路用硅幾乎完全依賴進(jìn)口

    據(jù)陳全訓(xùn)介紹，2017年，我國(guó)集成電路進(jìn)口額1.76萬億元人民幣，遠(yuǎn)超過石油和天然氣的1.1萬億元，是最大的進(jìn)口商品，但集成電路用12英寸硅片幾乎完全依賴進(jìn)口。

  • 光伏價(jià)格評(píng)析：MIP終止！歐洲市場(chǎng)訂單將洗牌

    本周硅料市場(chǎng)如預(yù)期般進(jìn)入僵持，盡管九月已經(jīng)來到眼前，但由于買賣雙方對(duì)于價(jià)格還是有不小的差異，因此本周幾乎沒有成交。目前觀察，不管在硅料或硅片企業(yè)端幾乎都沒有硅料的庫(kù)存，因此誰先松手賣料或買料將決定價(jià)格的變化，但由于預(yù)期九月硅料的供給可以逐漸增加，加上下游的需求狀況不佳，單晶致密料一旦開始成交，價(jià)格將會(huì)比目前的均價(jià)為低，但預(yù)期九月價(jià)格仍會(huì)在每公斤90元人民幣之上。菜花料則是受到多晶硅片價(jià)格再度下降的壓力，勢(shì)必也要下修，但主要的變化將視多晶硅片企業(yè)的開工率來決定，如九月中下旬多晶硅片企業(yè)大幅度調(diào)整開工率，則菜

  • 金屬鉑真的可以擁有類似歸等半導(dǎo)體的特性嗎？日本研究人員告訴你

    日本研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，可以擁有類似硅等半導(dǎo)體的特性。研究人員認(rèn)為，這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)了對(duì)于半導(dǎo)體材料的傳統(tǒng)認(rèn)知，有助于推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域發(fā)展。 傳統(tǒng)意義上，金屬和半導(dǎo)體被嚴(yán)格區(qū)分，金屬一般導(dǎo)電性能好，而半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，導(dǎo)電性可受控制。用硅等常見半導(dǎo)體材料制造的晶體管廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 京都大學(xué)研究小組發(fā)現(xiàn)，在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，它可以像半導(dǎo)體一樣，通過外部電壓控制電阻。 此外，研究人員還發(fā)

  • 創(chuàng)新記錄！瑞士科學(xué)家研發(fā)新的硅和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組合技術(shù) 效率可提高25.2%

    據(jù)外媒報(bào)道，硅一直是太陽(yáng)能電池技術(shù)的首選材料，因?yàn)槠渚哂袃r(jià)格低廉、穩(wěn)定且高效等特別。不幸的是，硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率正快速接近其理論極限，但將其與其他材料配對(duì)可能有助于突破該上限?，F(xiàn)在，瑞士洛桑聯(lián)邦理工大學(xué)(EPFL)和瑞士電子與微技術(shù)中心(CSEM)的研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種新的硅和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組合技術(shù)，并報(bào)告了25.2%的效率紀(jì)錄-這是這種太陽(yáng)能電池組合技術(shù)的全新記錄。

  • 高介電質(zhì)材料帶給芯片新體驗(yàn)

    在芯片的大部分歷史中，硅一直是其主要組成部分。這在很大程度上是因?yàn)楣钃碛?.1電子伏特(eV)的“Goldilocks”帶隙，這使得硅可以在低電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)集成電路，減少電流泄漏。

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