斯坦福大學(xué)成功研制出具備較復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的碳納米管集成電路

最近斯坦福大學(xué)研制出了首個(gè)三維碳納米管結(jié)構(gòu)電路，這項(xiàng)成果可能標(biāo)志著科學(xué)家在研制納米管計(jì)算機(jī)方面又取得了一項(xiàng)重要的進(jìn)展，納米管計(jì)算機(jī)相比現(xiàn)有的硅半導(dǎo)體計(jì)算機(jī)在運(yùn)算速度和省電性能方面擁有較大的優(yōu)勢(shì)。盡管納

CAN現(xiàn)場(chǎng)總線的時(shí)間信息共享技術(shù)

本文闡述了CAN現(xiàn)場(chǎng)總線、總線接口技術(shù)、時(shí)間信息提取電路結(jié)構(gòu)、信息無(wú)線發(fā)送結(jié)構(gòu)等原理，及如何利用CAN現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)實(shí)現(xiàn)時(shí)間信息共享技術(shù)。

阻變型非易失性存儲(chǔ)器單元電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與Spice仿真

O 引 言 隨著微電子工藝進(jìn)入45 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，基于傳統(tǒng)浮柵MOSFET結(jié)構(gòu)的FLASH存儲(chǔ)器將遇到極為嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，相鄰存儲(chǔ)器件單元之間的交叉串?dāng)_(Cross—Talk)變得顯著而無(wú)法忽略。對(duì)此學(xué)術(shù)界和工業(yè)界主要從阻變型非易

阻變型非易失性存儲(chǔ)器單元電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與Spice仿真

O 引 言 隨著微電子工藝進(jìn)入45 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，基于傳統(tǒng)浮柵MOSFET結(jié)構(gòu)的FLASH存儲(chǔ)器將遇到極為嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，相鄰存儲(chǔ)器件單元之間的交叉串?dāng)_(Cross—Talk)變得顯著而無(wú)法忽略。對(duì)此學(xué)術(shù)界和工業(yè)界主要從阻變型非易

從知識(shí)平臺(tái)角度重新認(rèn)識(shí)集成電路

從知識(shí)平臺(tái)角度重新認(rèn)識(shí)集成電路

ZVT-PWM三相變頻電源主電路結(jié)構(gòu)示意圖

ZVT-PWM三相變頻電源主電路結(jié)構(gòu)示意圖

基于SRAM編程技術(shù)的PLD核心可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

本文針對(duì) CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu)：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設(shè)計(jì)了功能相近的基于SRAM編程技術(shù)的可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)。

中高壓變頻器的分類和比較

對(duì)幾種常見(jiàn)的中高壓變頻器進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及du/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的選型原則提出了一些看法。