誤差放大器輸入端可能是電源中最為敏感的節(jié)點(diǎn),因?yàn)槠渫ǔ>哂凶疃嗟倪B接組件。如果將其與該級(jí)的極高增益和高阻抗相結(jié)合,后患無窮。在布局過程中,您必須最小化節(jié)點(diǎn)長度,并盡可能近地將反饋和輸入組件靠近誤差放大器放置。如果反饋網(wǎng)絡(luò)中存在高頻積分電容,那么您必須將其靠近放大器放置,其他反饋組件緊跟其后。
防止電路免受高浪涌電流、電壓尖峰和熱耗散的損害,性能和可靠性優(yōu)于競爭對(duì)手,例如采用獨(dú)特的3態(tài)使能/故障引腳,可并聯(lián)eFuse以增強(qiáng)電流能力,IMON新特性可實(shí)現(xiàn)輸出電流監(jiān)控,熱插拔啟動(dòng)延遲實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)增強(qiáng)等。
采用 LT6110 這類元件,就可以根據(jù)相應(yīng)的負(fù)載電流來調(diào)節(jié)電源電壓;不過,進(jìn)行這種調(diào)節(jié)需要了解線路電阻相關(guān)信息。大多數(shù)應(yīng)用都會(huì)提供此信息。如果在器件的使用壽命期間,將連接線更換成更長或更短的連接線,則還必須對(duì)采用 LT6110 實(shí)現(xiàn)的電壓補(bǔ)償進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。
通過使用BQ25619的升壓功能,可以增強(qiáng)到所需的最低電壓,以便在充電盒和耳機(jī)電池之間留出足夠的凈空高度。這減少了不必要的升壓功率損失且還增加了耳機(jī)充電效率,因?yàn)榻档土穗妷翰睢?/p>
性能卓越的SPICE軟件工具能夠分析工作溫度變化如何影響RLC網(wǎng)絡(luò)的輸出。這對(duì)于PCB尤其重要,因?yàn)槌俏覀冊O(shè)計(jì)的電路板具有精密的熱管理能力,否則PCB運(yùn)行溫度可能超過室溫。
然而,這又導(dǎo)致了另一個(gè)問題:如何在消費(fèi)者數(shù)量增加的同時(shí)控制需求?解決這個(gè)問題的方法是設(shè)計(jì)更高效的電源,其既可提供更多的能源,又能減少浪費(fèi)。電源設(shè)計(jì)師當(dāng)然不會(huì)無從下手,他們正在尋找可以幫助改善電源性能的“魔法”元素。
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每個(gè)設(shè)計(jì)都有用于比較設(shè)計(jì)的復(fù)選框。此項(xiàng)新功能會(huì)生成一個(gè)表格,如圖3所示,其中包含了其他信息,如集成電路(IC)參數(shù)和集成電路特性,這些信息支持對(duì)多個(gè)設(shè)計(jì)進(jìn)行并列比較。
貿(mào)澤和Bourns 共同推出的這本電子書為具體的電路保護(hù)應(yīng)用提供了詳細(xì)的說明,包括用于以太網(wǎng)供電的電氣瞬態(tài)保護(hù)、直流電源浪涌保護(hù),以及外部以太網(wǎng)端口保護(hù)。此外,書中的多篇文章還重點(diǎn)介紹了以太網(wǎng)保護(hù)以及主要和次要保護(hù)標(biāo)準(zhǔn),有助于讀者深入了解國際電信聯(lián)盟 (ITU-T) 和Telcordia法規(guī)。
在可預(yù)見的未來,使用Type-C連接器通過USB供電預(yù)計(jì)將主導(dǎo)電源適配器的設(shè)計(jì),其在許多應(yīng)用領(lǐng)域的采用已經(jīng)非常突出,它的多功能性意味著它將成為制造商和消費(fèi)者的首選方案。
支持SPI接口的Si834x8x隔離開關(guān),采購量達(dá)10萬片數(shù)量級(jí)時(shí)單價(jià)為2.09美元。為了簡化開發(fā)并加快產(chǎn)品上市時(shí)間,Silicon Labs提供了Si834x評(píng)估套件,具有并行或SPI接口及漏型/源型輸出選項(xiàng)。
XP Power正式宣布推出兩款適配器電源系列,可滿足符合醫(yī)療安規(guī)的家庭醫(yī)療應(yīng)用及能效和國際安規(guī)認(rèn)證至關(guān)重要的通訊應(yīng)用。ALM150模塊效率達(dá)到93%,ALM200模塊則達(dá)到92%。所有產(chǎn)品均達(dá)到能效六級(jí)標(biāo)準(zhǔn),待機(jī)時(shí)功耗小于0.15W。
USB 開發(fā)者論壇 (USB Implementers Forum) 總裁暨營運(yùn)長 Jeff Ravencraft 表示:「USB Type-C® 接口的采用率迅速飆漲,促進(jìn)業(yè)界朝著支持 SuperSpeed USB 20Gbps 的產(chǎn)品發(fā)展。
InnoSwitch-CE IC集成了一個(gè)具有精確輸入過壓/欠壓監(jiān)測功能的650 V MOSFET,可提供出色的輸入浪涌和電壓驟升保護(hù)。新器件支持多路輸出的應(yīng)用,同時(shí)具有精確的外部電流檢測功能。
歐洲鋰離子電池回收能力的開發(fā),將有助于應(yīng)對(duì)未來幾年內(nèi)歐洲電動(dòng)汽車市場的強(qiáng)勁增長,并為歐洲能源轉(zhuǎn)型所需的原材料供應(yīng)提供保障。此外,通過減少原材料消耗,這一良性循環(huán)工藝將支持歐洲更好地應(yīng)對(duì)來自可持續(xù)績效領(lǐng)域的重要挑戰(zhàn)。
日前發(fā)布的器件采用體積更小的 MicroSMP 封裝,典型額定電流與 SMA 封裝相當(dāng),具有更高功率密度,PCB 占用空間節(jié)省 57%。VS-1EQH02HM3和VS-2EQH02HM3采用非對(duì)稱設(shè)計(jì),大面積金屬墊片有利于散熱,熱性能極為出色,F(xiàn)RED Pt 技術(shù)實(shí)現(xiàn) 13ns 超快恢復(fù)時(shí)間,Qrr 降至 11nC,在-55 °C至+175 °C整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)具有軟恢復(fù)功能。
電源設(shè)計(jì)的工程師已經(jīng)意識(shí)到SiC晶體管確實(shí)是新開關(guān)模式設(shè)計(jì)的最佳選擇,雖然它們可能比替代品貴一點(diǎn),但它們提供了更多優(yōu)勢。以下是SiC與MOSFET和IGBT相比的優(yōu)勢:
前瞻產(chǎn)業(yè)研究院分析指出,以iPhone為例,iPhone4S的單機(jī)MLCC需求量僅為496顆,到4G時(shí)代的iPhone X已增加至1100顆。未來5G通信將大大拉動(dòng)MLCC用量,5G手機(jī)的MLCC需求量預(yù)計(jì)比4G手機(jī)增長50-200%。
該產(chǎn)品適用于工作頻段為2.4 GHz的無限通信音頻設(shè)備。由于其優(yōu)化電容達(dá)到6.8 pF,該多層元件在此頻段可快速衰減,且能夠有效抑制所產(chǎn)生的TDMA噪聲,從而提高接收器的靈敏度。
耗散鉗位中的功率損耗與存儲(chǔ)與電感的能量有關(guān)。當(dāng)FET導(dǎo)通時(shí),變壓器初級(jí)繞組中的電流逐漸增加到峰值電流。當(dāng)FET關(guān)斷時(shí),能量通過變壓器的次級(jí)繞組傳遞到輸出端,泄漏能量不通過變壓器鐵心耦合,因此它可以保留在初級(jí)側(cè)并流入鉗位。