電流
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輸電線路電壓／電流的計算機保護設(shè)計與實現(xiàn)
輸電線路電流保護和電壓保護分別作為電力系統(tǒng)保護原理和手段之一，是十分重要的保護類型。該設(shè)計分別對電力線路的過壓、欠壓以及過流進行實時的監(jiān)測與控制。同時采用相間短路的電流／電壓保護和接地短路的零序電流／電壓保護。這里利用計算機的高速處理能力性能，達到了對輸電線路進行復(fù)雜多方式監(jiān)測，復(fù)雜多方式控制與保護的目的。
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76V APD偏置和電流監(jiān)測IC（Maxim）
Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級和電流監(jiān)測IC DS1842。器件采用Maxim先進的BiCMOS工藝設(shè)計，集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡，用于監(jiān)測APD電流。該器件還包含一個FET開關(guān)，可與外部DC-DC控制器配
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基于0．5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計
針對DC－DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能，提出一種改進的欠壓鎖存電路。所設(shè)計的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下，實現(xiàn)了閾值點電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個電路采用CSMC0．5 μm BCD工藝設(shè)計，使用HSpice軟件仿真，結(jié)果表明所設(shè)計的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點。
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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中，上述理論并不成立，因此在實際的應(yīng)用中會產(chǎn)生一些問題，本文將詳細地論述這些問題，以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識的局限性和片面性。
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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
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美科學(xué)家已研制出半導(dǎo)體芯片硅替代品
據(jù)國外媒體報道，美國科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵，尤其是砷化鎵（
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基于DP標(biāo)準(zhǔn)的擴頻時鐘發(fā)生器系統(tǒng)參數(shù)研究
1 引言 DP(DisplayPort)接口標(biāo)準(zhǔn)旨在尋求代替計算機的數(shù)字視頻接口DVI(Digital Visual Interface)、LCD顯示器的低壓差分信號LVDS(Low Voltage Differential Signal)，作為設(shè)備間和設(shè)備內(nèi)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并在若干領(lǐng)
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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究
1 引言 MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關(guān)于此問題，
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即將普及的碳化硅器件
隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系
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便于現(xiàn)場使用的鉗形電流表3291-50和3293-50
生產(chǎn)商：日置電機株式會社 HIOKI 產(chǎn)品說明： 3291-50和3293-50是繼3291&3293之后的升級版折疊式鉗表。 產(chǎn)品特點：在狹小的地方也能測量、真有效值RMS測量、可翻轉(zhuǎn)設(shè)計，測量值便于讀取、白色LED背光可在暗處
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便于現(xiàn)場使用的鉗形電流表3291-50和3293-50
生產(chǎn)商：日置電機株式會社 HIOKI 產(chǎn)品說明： 3291-50和3293-50是繼3291&3293之后的升級版折疊式鉗表。 產(chǎn)品特點：在狹小的地方也能測量、真有效值RMS測量、可翻轉(zhuǎn)設(shè)計，測量值便于讀取、白色LED背光可在暗處
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PCM才是閃存之后真正的下一代存儲器技術(shù)
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器（FeRAM）和新興的磁性存儲器（MRAM），那么MRAM會成為下一代存儲器嗎？有沒有可能未來市場上下一
