為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對寄生電容予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對可調(diào)貼片電容予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將中電容的優(yōu)缺點(diǎn)、電容的基本特性予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對薄膜電容予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對負(fù)載電容、負(fù)載電容的作用予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對啟動電容和運(yùn)行電容予以介紹。通過本文,你將了解到啟動電容和運(yùn)行電容的工作原理和選型知識。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對法拉電容的原理、法拉電容的特點(diǎn)以及法拉電容的應(yīng)用予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對旁路電容和去耦電容的區(qū)別予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對電容參數(shù)、分布電容以及分布電容的影響予以介紹。
上篇文章本來想寫B(tài)UCK輸出電容的計(jì)算的,但是看到好多電子同行理解都比較深刻,理論基礎(chǔ)都非常扎實(shí),我就改變了想法,轉(zhuǎn)而寫了一篇關(guān)于續(xù)流二極管參數(shù)的短文,所以如果對理論計(jì)算感興趣的話,還是優(yōu)先閱讀同行的文章吧,如果我覺得時(shí)機(jī)成熟的話后期還是會寫的,今天主要從工程的角度聊聊輸出電容。
對于 CL1 和 CL2,建議使用 5pF 至 25pF 范圍(典型值)的高質(zhì)量外部陶瓷電容器,專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì),并根據(jù)晶體或諧振器的要求進(jìn)行選擇(見圖24)。CL1 和 CL2 通常大小相同。晶體制造商通常會指定負(fù)載電容,即 CL1 和 CL2 的串聯(lián)組合。在確定 CL1 和 CL2 的大小時(shí),必須包括 PCB 和 MCU 引腳電容(10 pF 可用作引腳和電路板總電容的粗略估計(jì))。
以IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)人體靜電模型(HBM)為例,下圖是靜電發(fā)生器等效模型。Vx是合成電壓,Cx為待測件DUT(Device under test),Rc為充電電阻,Cd為充電電容,Rd為放電電阻。簡單的工作原理就是:充電開關(guān)1閉合,放電開關(guān)2斷開,高壓電源Vd通過Rc對Cd充電;充電開關(guān)1斷開,放電開關(guān)2閉合,Cd儲存電荷對DUT放電。 到此可以發(fā)現(xiàn)電容對抗靜電的原理就是能量的轉(zhuǎn)移,將Cd儲存的能量瞬間轉(zhuǎn)移到放電時(shí)的Cd和Cx上面。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對超級電容以及濾波電容予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對去耦電容和濾波電容的區(qū)別,以及電容擊穿的相關(guān)事項(xiàng)予以介紹。
通過本文,你將了解到什么是旁路電容、旁路電容和去耦電容的區(qū)別和作用。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對固態(tài)電容和電解電容的區(qū)別以及查看固態(tài)電容正負(fù)極的方法予以介紹。
為增進(jìn)大家對固態(tài)電容的認(rèn)識,本文將對固態(tài)電容的利與弊予以介紹。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對固態(tài)電容以及固態(tài)電容的優(yōu)點(diǎn)予以介紹。
旁路(bypass)電容:pass是通過的意思,bypass指從靠近的地方,從旁邊通過。大路不走走小路,主路不走走輔路。所以, 旁路電容可以理解成把信號高頻成分旁路掉的電容。
為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識,本文將對鉭電解電容器的分類、鉭電解電容器的電場強(qiáng)度、鉭電解電容器的優(yōu)點(diǎn)予以介紹。