STM32F103系列晶振選型示例

時(shí)間：2022-12-06 20:24:02

關(guān)鍵字： STM32F103 晶振電容

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[導(dǎo)讀]對于 CL1 和 CL2，建議使用 5pF 至 25pF 范圍（典型值）的高質(zhì)量外部陶瓷電容器，專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)，并根據(jù)晶體或諧振器的要求進(jìn)行選擇（見圖24)。CL1 和 CL2 通常大小相同。晶體制造商通常會指定負(fù)載電容，即 CL1 和 CL2 的串聯(lián)組合。在確定 CL1 和 CL2 的大小時(shí)，必須包括 PCB 和 MCU 引腳電容（10 pF 可用作引腳和電路板總電容的粗略估計(jì)）。

大家好，今天聊一下STM32晶振設(shè)計(jì)選型。

下載STM32F103 datasheet，Page1 找到與晶振相關(guān)的參數(shù)，時(shí)鐘頻率4~16MHz;

2. MCU所需晶振參數(shù)定位到Page 51；從內(nèi)容上看，這是對外部時(shí)鐘源的參數(shù)要求，單顆MCU使用情形一般為有源晶振。有源晶振分為Clipped sine wave 和CMOS輸出，此處選擇CMOS output. OSC_IN為外部時(shí)鐘輸入pin，所有的參數(shù)都是圍繞OSC_IN開始的。

f=1~25 MHz，外部有源晶振輸出頻率

0.7VDD<VHDD, OSC_IN高電平輸入

VSS<VL<0.3VSS, OSC_IN低電平輸入

Tw>5ns, OSC_IN保持高/低電平時(shí)間（不同于保持時(shí)間）

Tr/Tf<20ns, OSC_IN上升/下降時(shí)間

Cin=5pF, OSC_IN引腳分布參數(shù)

45%55%, 一般為50%

-1uA<IL<1uA 輸入漏電流

首先看下有沒有推薦的型號，Datasheet內(nèi)沒看到，但是不代表沒有，有的供應(yīng)商提供的EVB評估板會提供詳細(xì)的BOM。

此時(shí)，可以看看常見的一些晶體供應(yīng)商，Refer to the application note AN2867 “Oscillator design guide for ST microcontrollers”

ABRACON
EPSON
KYOCERA
MICROCRYSTAL
MURATA
NDK
RIVER

無線通信應(yīng)用中，以EPSON TG3225/TG2520為例，晶振頻率選擇25MHz.封裝可選2520或者3225，CMOS輸出，電源電壓3.3V。

3. 無源晶振

對于 CL1 和 CL2，建議使用 5pF 至 25pF 范圍（典型值）的高質(zhì)量外部陶瓷電容器，專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)，并根據(jù)晶體或諧振器的要求進(jìn)行選擇（見圖24)。CL1 和 CL2 通常大小相同。晶體制造商通常會指定負(fù)載電容，即 CL1 和 CL2 的串聯(lián)組合。在確定 CL1 和 CL2 的大小時(shí)，必須包括 PCB 和 MCU 引腳電容（10 pF 可用作引腳和電路板總電容的粗略估計(jì)）。