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選擇高壓場效應(yīng)管實現(xiàn)節(jié)能
高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問題，并實現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實現(xiàn)更高的電流強度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。
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開關(guān)電源的可靠性熱設(shè)計
1引言 高功率密度是開關(guān)電源發(fā)展的方向之一,通過熱設(shè)計盡可能減少電源內(nèi)部產(chǎn)生的熱量、減少熱阻以提高效率外、選擇合理的冷卻方式是開關(guān)電源熱設(shè)計的基本任務(wù).開關(guān)電源除了電應(yīng)力之外,溫度是影響開關(guān)電源可靠性最重
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開關(guān)電源的可靠性熱設(shè)計
1引言 高功率密度是開關(guān)電源發(fā)展的方向之一,通過熱設(shè)計盡可能減少電源內(nèi)部產(chǎn)生的熱量、減少熱阻以提高效率外、選擇合理的冷卻方式是開關(guān)電源熱設(shè)計的基本任務(wù).開關(guān)電源除了電應(yīng)力之外,溫度是影響開關(guān)電源可靠性最重
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LED 醫(yī)療照明的節(jié)能訴求
不知不覺，具有顯著節(jié)能特性的發(fā)光二極體(也稱作發(fā)光二極管，簡稱led)，在人們生活中扮演的角色越來越豐富——手機按鍵的光源、筆記本電腦的指示燈、汽車防霧燈、室內(nèi)照明燈……在上海世博會上，LED產(chǎn)品帶來的絢麗景
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LED醫(yī)療照明的節(jié)能訴求
不知不覺，具有顯著節(jié)能特性的發(fā)光二極體（也稱作發(fā)光二極管，簡稱LED)，在人們生活中扮演的角色越來越豐富——手機按鍵的光源、筆記本電腦的指示燈、汽車防霧燈、室內(nèi)照明燈……在上海世博會上，LED產(chǎn)品帶來的絢麗景
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高取光率低熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴大，首先進入特種照明的市場領(lǐng)域，并向普通照明市場邁進。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點要求：一是
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高取光率低熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴大，首先進入特種照明的市場領(lǐng)域，并向普通照明市場邁進。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點要求：一是
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喇叭狀鰭片設(shè)計可提高針鰭散熱片散熱效率
喇叭狀鰭片設(shè)計可提高針鰭散熱片散熱效率
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中國正遭受大型LED封裝企業(yè)缺失之痛
中國目前是LED的封裝大國，占全球封裝產(chǎn)量的70%。然而，中國LED封裝企業(yè)非常分散，有近2000家封裝企業(yè)，缺乏能與國際巨頭抗衡的大型企業(yè)，至目前為止還沒有一家上市公司。 深圳雷曼光電總經(jīng)理李漫鐵認為，國內(nèi)外在封
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺
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設(shè)計電源管理電路時必需考慮的散熱問題
高溫或內(nèi)部功耗產(chǎn)生的過多熱量可能改變電子元件的特性并導(dǎo)致其關(guān)機、在指定工作范圍外工作，甚或出現(xiàn)故障。電源管理器件(及其相關(guān)電路)經(jīng)常會遇到這些問題，因為輸入與負載之間的任何功耗都會導(dǎo)致器件發(fā)熱，所以必須
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設(shè)計電源管理電路時必需考慮的散熱問題
高溫或內(nèi)部功耗產(chǎn)生的過多熱量可能改變電子元件的特性并導(dǎo)致其關(guān)機、在指定工作范圍外工作，甚或出現(xiàn)故障。電源管理器件(及其相關(guān)電路)經(jīng)常會遇到這些問題，因為輸入與負載之間的任何功耗都會導(dǎo)致器件發(fā)熱，所以必須
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電動車控制器短路保護時間的計算方法
議題內(nèi)容： 電動車無刷電機控制器短路的工作模型 控制器在短路時MOSFET的工作狀態(tài) 計算MOSFET瞬態(tài)溫升的計算公式 設(shè)定短路保護時間的原則 解決方案： 溫升公式：Tj = Tc + P × Rth(jc) 根據(jù)單脈沖的熱阻系
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提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴大，首先進入特種照明的市場領(lǐng)域，并向普通照明市場邁進。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點要求：一是封
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提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴大，首先進入特種照明的市場領(lǐng)域，并向普通照明市場邁進。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點要求：一是封
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模塊電源的熱測試
以小體積著稱的模塊電源，正朝著低電壓輸入、大電流輸出，以及大的功率密度方向發(fā)展。但是，高集成度、高功率密度會使得其單位體積上的溫升越來越成為影響系統(tǒng)可靠工作、性能提升的最大障礙。統(tǒng)計資料表明，電子元器
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