6U8+6900推421推挽電路圖如下所示:
恒流源是能夠向負載提供恒定電流的電源,因此恒流源的應用范圍非常廣泛,并且在許多情況下是必不可少的。例如在用通常的充電器對蓄電池充電時,隨著蓄電池端電壓的逐漸升高,充電電流就會相應減少。為了保證恒流充電
1、基本原理:運放制作恒流源的原理是運放的加減法運算電路。電路中需要一個確定輸出電流大小的基準電源和采樣電阻,在采樣電阻兩端的電位進行比較運算并控制采樣輸出保證采樣電阻上電壓保持恒定,從而保證輸出電流的
對比幾種V/I電路,凡是沒有三極管之類的單向器件,都可以實現(xiàn)交流恒流,加了三極管之后就只能做單向直流恒流了。當然可以用功率放大器擴展輸出電流。第四和第五種是建立在正負反饋平衡的基礎(chǔ)上的,電阻的誤差而失去平
本文介紹了電路制作簡單,所用元器件只有簡單的電阻與運算放大器?;谶\放的差動放大器電路如下:
延時開關(guān)電路圖及詳細分析圖1: 相信大家也看明白上圖...因為圖上都有標明...HE HE...最左邊的是RC延時及放電二極管...中間的是為關(guān)機而設(shè)置的電路,在此大家可以把它看成一個電源...最右邊的是模擬音頻信號...再發(fā)一
1:直流等效電路分析法在分析電路原理時,要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒有輸入信號時,各半導體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置,也就是它們的靜態(tài)工作點。交流電路是指交流信號傳送的途徑,即交
本文以TLV3501滯回比較器電路設(shè)計為示例,簡單為您講解滯回比較器電路設(shè)計的方法與思路,希望對您設(shè)計比較器電路有所幫助。什么是滯回比較器?滯回比較器:又稱施密特觸發(fā)器,其抗干擾能力強,如果輸入電壓受到 干擾或
AN7177功放電路圖
Protel99SE仿真器具有9種仿真項目.包括仿真點分析(Operaling Point),瞬態(tài)傅里葉分析(Transient Fourier),交流小信號分析(AC Small Signal),直流掃描分析(DC Sweep),噪聲分析(Noise),傳遞函數(shù)分析(Transfer Function),溫度掃描分析(Temperature Sweep),參數(shù)掃描分析(Parameter Sweep),蒙特卡羅分折(Montel Carlo)在每種仿真分析類型中部提供了一組參數(shù),通過對畫框可以方便地進行設(shè)置。
1、二極管的單向?qū)щ娦裕悍蔡匦郧€理想開關(guān)模型和恒壓降模型2、橋式整流電流流向過程輸入輸出波形3、計算:Vo, Io,二極管反向電壓。二、 電源濾波器 1、電源濾波的過程分析:波形形成過程:2、計算:濾波電容的
本文介紹了聲音模擬電路:手控警笛聲、低頻時鐘聲
上拉是對器件注入電流,下拉是輸出電流;弱強只是上拉電阻的阻值不同,沒有什么嚴格區(qū)分;對于非集電極(或漏極)開路輸出型電路(如普通門電路)提升電流和電壓的能力是有限的,上拉電阻的功能主要是為集電極開路輸出型電路輸出電流通道。
數(shù)字電路與模擬電路隔離用0歐姆還是磁珠。
至今為止,電子技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到如此高的水平。但如果我們觀察各種電子電路的發(fā)展,我們會發(fā)現(xiàn):幾乎所有的電子技術(shù)都離不開放大技術(shù)。即使是數(shù)字芯片內(nèi)部,其基本單元都是互補型源極接地放大電路。模擬電子技術(shù)的重要性時不我待。
前級10倍放大電路(NE5532)
太陽能光伏發(fā)電的實質(zhì)就是在太陽光的照射下,太陽能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽能轉(zhuǎn)換成電能,輸出的直流電經(jīng)由逆變器后轉(zhuǎn)變成用戶可以使用的交流電。以往的光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。
IGBT屬于場控功率管,具有開關(guān)速度快、管壓降小等特點,在各領(lǐng)域的電子電器中得到越來越廣泛的應用,在運用中,針對IGBT單管耐壓值不高的情況,技術(shù)人員常常需要將多只IGBT管串聯(lián)以增加IGBT管的耐壓值,拓展其運用范圍。
IGBT模塊選型時比較關(guān)鍵的特性有柵極-發(fā)射級門檻電壓Vce(th)、柵極-發(fā)射極漏電流Ices、開通時間ton、開通延遲時間td(on)、上升時間tr、關(guān)斷耗散功率Poff、關(guān)斷耗散能量Eoff、關(guān)斷時間toff、關(guān)斷延遲時間td(off)、下降
IGBT單管工作原理IGBT管是一個非通即斷的開關(guān),由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT管是靠的是它的