當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模
當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模
D類升壓放大器驅(qū)動揚(yáng)聲器的電壓高于供電電壓,由于可以用單節(jié)鋰離子(Li+)電池供電就能實(shí)現(xiàn)較高性能的音頻,這類放大器應(yīng)用廣泛。然而,大多數(shù)D類升壓放大器并不為用戶提供內(nèi)部升壓后的電壓,這就使復(fù)用揚(yáng)聲器難以利
1 引言近年來,無線通信技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展。它對收發(fā)信機(jī)前端電路提出的新要求是:高線性,低電壓,低功耗,高度集成?;祛l器作為無線通信系統(tǒng)射頻前端的核心部分之一,其性能的好壞將直接影響整個系統(tǒng)的性能。從
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布3顆采用超小尺寸WCSP 4凸點(diǎn)x 4凸點(diǎn)陣列封裝的新款200Ω精密單片四路單刀單擲(SPST)模擬開關(guān)--- DG2501、DG2502和DG2503。Vishay Si
器件采用業(yè)內(nèi)最小的封裝,功耗小于0.01μW,具有低泄漏電流、低寄生電容和低電荷注入日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布3顆采用超小尺寸WCSP 4凸點(diǎn)x 4凸點(diǎn)陣
為了滿足GSM/GPRS 以及3G (第三代) 多模式蜂窩電話和其它便攜式產(chǎn)品的功能聚合需求,高性能模擬開關(guān)應(yīng)運(yùn)而生。這是最重要的器件之一,能幫助設(shè)計人員降低成本、節(jié)省空間
為應(yīng)對日益復(fù)雜的處理任務(wù),越來越多的應(yīng)用會使用微處理器搭載各種操作系統(tǒng)的方案。操作系統(tǒng)的啟動周期一般在十幾秒,有的甚至在一分鐘以上。另外,為保證在程序跑飛時系統(tǒng)
【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體大幅增益 模擬開關(guān)和高性能功率模塊暢銷 美國飛兆半導(dǎo)體公布了07財年第四季度(07年10~12月)以及07全財年(07年1~12月)的季報和年報。第四季度銷售額比上財年同期增長3%,達(dá)到4億3190萬
本文介紹的是常用攝像機(jī)拍攝的自動控制電路圖。本控制器所用的元件易于購買,成本極低,容易制作是電教工作者的好幫手。如下圖所示,圖中0是數(shù)字集成電路ICI(CD40106)中的6
本文介紹的是一款多功能的可控積分器電路。該電路具有復(fù)零、保持和不同積分時間常數(shù)的可控積分器。其中模擬開關(guān)為CH300,運(yùn)算放大器為F007.如下圖所示,圖中的R和C1、C2數(shù)值
由TC4013和模擬開關(guān)TC4066構(gòu)成的可編程定時電路
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有1.5Ω低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出
器件導(dǎo)通電阻低至1.5Ω,具有11pF的CS(OFF)的低寄生電容、100ns的開關(guān)時間和0.033μW的功耗21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有1.5Ω低導(dǎo)
高觸發(fā)率高頻模擬開關(guān)電路圖
XR1071的應(yīng)用電路
電子電位器的調(diào)節(jié)原理
采用模擬開關(guān)盒差動放大器使電路簡化的同步檢波電路
采用模擬開關(guān)IC的全波同步檢波電路
采用模擬開關(guān)的載波抑制調(diào)幅電路