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全球晶圓廠設(shè)備支出大增 漢微科受惠
市場調(diào)查預(yù)估，今年全球晶圓廠設(shè)備支出金額將達395億美元，比去年增長2%，明年將大幅增長達463億美元，創(chuàng)歷史新高可期，法人預(yù)期漢微科（3658）等設(shè)備股將受惠。 國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新報告指出
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晶圓廠設(shè)備支出：2012和2013年正增長 2013年創(chuàng)歷史新高
2012年6月5日, 據(jù)2012年5月末出版的《SEMI全球晶圓廠預(yù)測》報告，2012年晶圓廠設(shè)備支出終于突破壁壘，實現(xiàn)增長，達到395億美元，同比增長2%。預(yù)計2013年晶圓廠設(shè)備支出將創(chuàng)歷史新高，達到463億美元，較2012年增長17%
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SEMI估明年晶圓廠設(shè)備支出增17%，將創(chuàng)新高
半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(SEMI)在最新一期「SEMI全球晶圓廠預(yù)測報告(SEMI World Fab Forcast)」中指出，2012年全球晶圓廠總設(shè)備支出將達395億美元，年增2%，而2013年全球晶圓廠更將投入總值達463億美元的設(shè)備支出，較今
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SEMI：2013年晶圓廠設(shè)備支出達463億美元將創(chuàng)新高
SEMI今(6)日公布最新全球晶圓廠預(yù)測(SEMI World Fab Forecast)，估今年及2013年晶圓廠設(shè)備支出亮眼，估今年晶圓廠設(shè)備支出將達395億美元，較去年成長2 %，2013年預(yù)估將大幅成長17%，達463億美元，創(chuàng)歷史新高。SEMI指
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關(guān)鍵區(qū)域分析與存儲器冗余
要點1.一個隨機微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數(shù)。因為存儲器有相對致密的結(jié)構(gòu)，它們天生就對隨機缺陷更加敏感，于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關(guān)鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲器冗余，就必須了解
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英特爾開始在愛爾蘭部署14nm晶圓廠
英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。英特爾(Intel) CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這
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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線
核心提示：英特爾于2009年關(guān)閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠，將當?shù)鼐A廠的數(shù)量減少至三個，分別為Fab10,24和24-2。2011年1月，英特爾花費約五億美元重建Fab14舊廠，但當時并未說明翻新這座晶圓廠的詳細規(guī)劃。
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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線
英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。英特爾(Intel)CEOPaulOtellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這些晶
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臺電池廠報價漲聲響起 晶圓廠續(xù)勢待發(fā)
5月29日消息，據(jù)TrendForce旗下研究部門EnergyTrend的調(diào)查顯示，受到美國雙反判決的影響，加上太陽能安裝進入傳統(tǒng)旺季，訂單加溫，使得臺灣電池廠商報價出現(xiàn)上漲，訪查顯示目前產(chǎn)品報價已來到$0.5/Watt以上。根據(jù)了解
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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線
英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾(Intel) CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關(guān)投資規(guī)劃。
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聯(lián)電南科廠動土2013下半年裝機
在一個溫暖、陽光明媚的日子，聯(lián)電(UMC)砸下2,400億興建的南科Fab 12A新廠正式動土。據(jù)表示，新廠完工時每月產(chǎn)能將達五萬片300mm晶圓，最初將采用28nm制程，隨后將轉(zhuǎn)移到20nm和14nm制程。該公司預(yù)計2013下半年開始裝
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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線
英特爾開始部署14nm產(chǎn)線
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晶圓廠大擴產(chǎn)設(shè)備商雙雄漢微科、家登吃補股價大漲逾5%
隨著臺積電(2330-TW)及聯(lián)電(2303-TW)紛紛砸下上千億元以上積極擴產(chǎn)，激勵半導(dǎo)體設(shè)備雙雄漢微科(3658-TW)、家登(3680-TW)今(25)日股價逆勢大漲，其中家登早盤一度攻上漲停，目前上漲3.62%，來到57.3元；另外漢微科早盤
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晶圓廠大擴產(chǎn)設(shè)備商雙雄漢微科、家登吃補股價大漲逾5%
隨著臺積電(2330-TW)及聯(lián)電(2303-TW)紛紛砸下上千億元以上積極擴產(chǎn)，激勵半導(dǎo)體設(shè)備雙雄漢微科(3658-TW)、家登(3680-TW)今(25)日股價逆勢大漲，其中家登早盤一度攻上漲停，目前上漲3.62%，來到57.3元；另外漢微科早盤
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產(chǎn)能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產(chǎn)能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子開啟12英寸紀元 為20nm及以下制程奠定基石
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產(chǎn)能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產(chǎn)能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)電砸80億美元南科擴廠，攻28納米以下制程
聯(lián)電(2303)南科擴廠，今早舉辦動土典禮；聯(lián)電Fab 12A第5、6期廠房預(yù)計新增投資80億美元，專攻28納米以下制程，月產(chǎn)能估新增12寸晶圓5萬片。 繼臺積電南科14廠第5期于上個月動土、預(yù)計將導(dǎo)入20納米產(chǎn)能；聯(lián)電(2303)F
