鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī),臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計(jì)將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市
鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī),臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計(jì)將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市
鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14奈米市場(chǎng)商機(jī),臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計(jì)將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市
據(jù)外媒electronicsweekly報(bào)道,東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動(dòng)工,應(yīng)對(duì)未來(lái)NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求;該新建廠房被稱(chēng)為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示:“公司將擴(kuò)大五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(Fa
由數(shù)據(jù)顯示,目前全球有8 寸晶圓廠的半導(dǎo)體公司約有76家,12寸廠有27家,升級(jí)的家數(shù)越來(lái)越少,會(huì)有這樣的現(xiàn)象,原因在于資金墊高了產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門(mén)檻。由早期投資一座月產(chǎn)能2 萬(wàn)片的八寸廠需花費(fèi)8~10 億美元,到了現(xiàn)在1
大陸太陽(yáng)能廠獲喘息,推升太陽(yáng)能多晶硅價(jià)格上揚(yáng),硅晶圓報(bào)價(jià)也同步攀升,臺(tái)灣太陽(yáng)能硅晶圓也決定跟進(jìn)調(diào)漲,預(yù)料有助第4季虧損減輕,甚至力拚轉(zhuǎn)盈。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦科技(TrendForce)旗下綠能研究部門(mén)EnergyTre
由數(shù)據(jù)顯示,目前全球有8 寸晶圓廠的半導(dǎo)體公司約有76家,12寸廠有27家,升級(jí)的家數(shù)越來(lái)越少,會(huì)有這樣的現(xiàn)象,原因在于資金墊高了產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門(mén)檻。由早期投資一座月產(chǎn)能2 萬(wàn)片的八寸廠需花費(fèi)8~10 億美元,到了現(xiàn)在1
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)和Nippon Denno Co., Ltd.開(kāi)發(fā)出一種自動(dòng)中止與關(guān)閉系統(tǒng),可在發(fā)生地震時(shí),關(guān)閉半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。該系統(tǒng)已從2013年2月起在東芝旗下子公司—東芝巖手電子公司(Iwate Toshi
上海2013年8月27日電 /美通社/ -- 國(guó)際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(紐約交易所:SMI;香港聯(lián)交所:981)("中芯"或"本公司")公布截至二零一三年六月三十日止六個(gè)月未經(jīng)審核中期業(yè)績(jī)。 摘
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」,該座代號(hào)為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」,該座代號(hào)為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18吋(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」,該座代號(hào)為D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18吋晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起"順利展開(kāi)",該座代號(hào)為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」,該座代號(hào)為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」,該座代號(hào)為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18吋(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」,該座代號(hào)為D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18吋晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露,該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」,該座代號(hào)為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解,英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓