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降低MOSFET損耗并提升EMI性能：二者兼得的有效方法
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為關鍵的功率開關元件，其性能對整體系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性具有重要影響。然而，MOSFET在開關過程中會產生損耗，同時，快速開關動作還可能導致電磁干擾(EMI)問題。因此，如何在降低MOSFET損耗的同時提升EMI性能，成為電子工程師面臨的重要挑戰(zhàn)。
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開關電源傳導 EMI 問題基本技巧
眾所周知，開關電源是將功率半導體器件作為開關元件并通過周期性通斷開關，控制開關元件的占空比來調整輸出電壓。
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數(shù)字晶體管的作用
隨著信息技術的飛速發(fā)展，數(shù)字電路已成為現(xiàn)代電子設備不可或缺的核心組成部分。在數(shù)字電路中，數(shù)字晶體管作為一種重要的開關元件，發(fā)揮著至關重要的作用。本文將詳細探討數(shù)字晶體管的基本概念、工作原理、主要類型、應用領域以及未來發(fā)展趨勢，以期對讀者深入理解數(shù)字晶體管的作用提供有益的參考。
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互聯(lián)網(wǎng)絡概述
由開關元件按一定拓撲結構和控制方式構成的網(wǎng)絡以實現(xiàn)計算機系統(tǒng)內部多個處理機或多個功能部件間的相互連接。在并行處理計算機系統(tǒng)、分布計算機系統(tǒng)和計算機網(wǎng)等由多個處理機或多個功能部件組成的各種系統(tǒng)中，都會遇到機間互連問題。
