紅外焦平面硅基通孔加工及電極互連技術(shù)

摘 要： 通過(guò)硅通孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)紅外焦平面電極垂直互連，提高像元占空比，縮短了互連引線長(zhǎng)度，降低了信號(hào)延遲。用單晶硅濕法刻蝕方法形成通孔，利用直寫技術(shù)將耐高溫Ag-Pd導(dǎo)體漿料填充通孔，實(shí)現(xiàn)紅外焦平面陣列底電極與

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