新思科技接口和基礎(chǔ) IP 組合已獲多家全球領(lǐng)先企業(yè)采用,可為 ADAS 系統(tǒng)級(jí)芯片提供高可靠性保障
進(jìn)入2023年,工業(yè)4.0背景下工業(yè)控制市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈各級(jí)廠商全面發(fā)力,不斷加速工業(yè)制造在數(shù)字化、智能化、綠色化等發(fā)展方向上的推陳出新。據(jù)Prismark統(tǒng)計(jì),2019-2023年全球工業(yè)控制市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率為3%,預(yù)計(jì)2023年全球工業(yè)控制的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2600億美元。此外,據(jù)Yole Development統(tǒng)計(jì),存儲(chǔ)器細(xì)分領(lǐng)域NOR Flash在2021年的市場(chǎng)規(guī)模為35億美元,預(yù)計(jì)2027年增長(zhǎng)至49億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為6%??梢灶A(yù)見,MCU芯片、嵌入式存儲(chǔ)器等作為工業(yè)控制領(lǐng)域的核心部件,市場(chǎng)需求量持續(xù)攀升,眾多上游原廠也在爭(zhēng)先發(fā)力,各自推出更高性能、更高可靠性的產(chǎn)品以搶占市場(chǎng)先機(jī)。
近期關(guān)于格芯(GLOBALFOUNDRIES)將出售新加坡Fab 7廠的消息和猜測(cè)純屬謠言。任何關(guān)于出售Fab 7廠和出售格芯的傳聞均為無(wú)稽之談。
為新的ASIC/SOC選擇最優(yōu)嵌入式存儲(chǔ)器IP是設(shè)計(jì)決策的關(guān)鍵。設(shè)計(jì)師應(yīng)了解適用于其特定應(yīng)用程序的最佳存儲(chǔ)器特性的所有關(guān)鍵參數(shù),其尋求的存儲(chǔ)器IP應(yīng)具有足夠的適應(yīng)性,可滿足目標(biāo)SoC的各種需求。盡管有現(xiàn)成的免費(fèi)存儲(chǔ)器IP可供使用,但與可為特定應(yīng)用程序提供更好特性的收費(fèi)IP相比,它并不能總是提供最佳解決方案。
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上
近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中,首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用22nm工藝。這種次世代存儲(chǔ)將能夠?yàn)槲锫?lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算電腦和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快和耗電更低的存儲(chǔ)效能。臺(tái)積電此舉讓嵌入式存儲(chǔ)器再度回到人們的視線中。本文將為你闡述嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生。
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)發(fā)展熱潮將推升嵌入式記憶體需求。行動(dòng)裝置、汽車、工業(yè)等機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)裝置對(duì)固態(tài)硬碟需求持續(xù)攀升,加上嵌入式系統(tǒng)因應(yīng)巨量資料(Big Data)來臨,對(duì)記憶體容
1 引言 建立芯片模型是在早期進(jìn)行芯片架構(gòu)決策的有效方法,通過建模不僅可以對(duì)芯片的性能做出分析,還可以在硬件沒有完成之前開發(fā)軟件,不僅提高了產(chǎn)品成功率,而且
在傳統(tǒng)的大規(guī)模ASIC和SoC設(shè)計(jì)中,芯片的物理空間大致可分為以下三部分:1.用于新的定制邏輯2.用于可復(fù)用邏輯(第三方IP或傳統(tǒng)的內(nèi)部IP)3.用于嵌入式存儲(chǔ)如圖1所示,當(dāng)各廠商
比較:體校晶體管和FD-SOI晶體管元器件交易網(wǎng)訊 11月7日消息,據(jù)外媒 Electronicsweekly報(bào)道,Memoir Systems宣布已采用其算法內(nèi)存技術(shù)為意法半導(dǎo)體獨(dú)有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡絕緣
Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今天宣布其已通過添加嵌入式存儲(chǔ)器成功拓展了Kronos™單元特征化與分析平臺(tái)。Kronos平臺(tái)可在高級(jí)集成環(huán)境中為標(biāo)準(zhǔn)單元、I/O、復(fù)雜單元和嵌入式存儲(chǔ)器高效制作精確的性
引言 近年來,消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品的更高性能和更小尺寸的要求持續(xù)推動(dòng)著SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)產(chǎn)品集成水平的提高,并促使其具有更多的功能和更好的性能。要繼續(xù)推動(dòng)這種無(wú)止境的需求以及繼續(xù)解決器件集成領(lǐng)域的挑戰(zhàn),最
隨著SoC設(shè)計(jì)向存儲(chǔ)器比例大于邏輯部分比例的方向發(fā)展,高質(zhì)量的存儲(chǔ)器測(cè)試策略顯得尤為重要。存儲(chǔ)器內(nèi)置自測(cè)試(BIST)技術(shù)以合理的面積開銷來對(duì)單個(gè)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行徹底的測(cè)試,可提高DPM、產(chǎn)品質(zhì)量及良品率,因而正
Synopsys推出DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)
關(guān)鍵字:存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中存儲(chǔ)器容量的增加以及嵌入式存儲(chǔ)器支配整個(gè)裸片良品率的事實(shí),使良品率設(shè)計(jì)(DFY)面臨日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),特別是在新興的90nm和65nm半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。由于嵌入式存儲(chǔ)器容易產(chǎn)生較高的
新型的嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試算法
在實(shí)際測(cè)試中總是得面臨測(cè)試工具的成本,測(cè)試開發(fā)時(shí)間,測(cè)試機(jī)臺(tái)的時(shí)間,測(cè)試向量的調(diào)試時(shí)間,以及測(cè)試覆蓋率之間的考量與抉擇。宏測(cè)試是可以有效地對(duì)那些與日俱增的小型嵌入式模塊進(jìn)行靜態(tài)與實(shí)速故障測(cè)試的工具。它甚至可以應(yīng)用到較大的存儲(chǔ)器,透過芯片的功能邏輯,自動(dòng)執(zhí)行全速測(cè)試。