小功率開關(guān)穩(wěn)壓器電路

兆伏與愛索雙劍合璧 共贏未來

目前，分別在國(guó)際及國(guó)內(nèi)排名前三甲的中國(guó)逆變器企業(yè)，江蘇艾索新能源有限公司與江蘇兆伏新能源有限公司(以下簡(jiǎn)稱“艾索”和“兆伏”)，在蘇州清山酒店舉行“雙劍合璧，共贏未來”慶典發(fā)布會(huì)，暨江蘇兆伏愛索落戶蘇州

小功率逆變器電路

小功率開關(guān)穩(wěn)壓器電路

小功率電源變換器電路

可調(diào)DC-DC小功率變換器電路（2）

可調(diào)DC-DC小功率變換器電路（1）

BL8532芯片驅(qū)動(dòng)LED分析

BL8532是國(guó)內(nèi)常用的PFM控制模式的開關(guān)型DC/DC升壓恒流芯片。如今已經(jīng)廣泛運(yùn)用于LED屏的背光LED驅(qū)動(dòng)和超薄電子燈箱LED光源的驅(qū)動(dòng)，以及LED枱燈、LED日光燈的光源驅(qū)動(dòng)之中。BL8532常通過多個(gè)并聯(lián)或多并兩串的方式給多個(gè)

基于NE5532的小功率電路及耳機(jī)放大器設(shè)計(jì)

NE5532從面世到如今已歷經(jīng)數(shù)載，大家對(duì)其電路也非常熟悉，有著多種多樣的玩法。在此介紹的耳放的特點(diǎn)是簡(jiǎn)單、功率小，側(cè)重的是制作的過程。說到小功率的耳放，不得不提到20世紀(jì)的運(yùn)放之皇NE5532，曾經(jīng)出現(xiàn)在無數(shù)的優(yōu)

雙管正激小功率電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

正激變換由于拓?fù)浜?jiǎn)單， 升/ 降壓范圍寬， 廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場(chǎng)合。正激變換器的輸出功率不象反激變換器那樣受變壓器儲(chǔ)能的限制， 因此輸出功率較反激變換器大， 但是正激變換器的開關(guān)管電壓應(yīng)力高， 為兩倍

雙管正激小功率電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

正激變換由于拓?fù)浜?jiǎn)單， 升/ 降壓范圍寬， 廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場(chǎng)合。正激變換器的輸出功率不象反激變換器那樣受變壓器儲(chǔ)能的限制， 因此輸出功率較反激變換器大， 但是正激變換器的開關(guān)管電壓應(yīng)力高， 為兩倍

小功率音頻信號(hào)放大器電路

基于恒流二極管的小功率LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

中心議題： LED連接方式 小功率LED 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)解決方案： 電容降壓電路設(shè)計(jì) 市電供電的小功率LED 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 由于小功率白光LED 價(jià)格低廉，發(fā)熱量小，光效高等特點(diǎn)，被大范圍的應(yīng)用到了普通照明，景

基于恒流二極管的小功率LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

中心議題： LED連接方式 小功率LED 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)解決方案： 電容降壓電路設(shè)計(jì) 市電供電的小功率LED 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 由于小功率白光LED 價(jià)格低廉，發(fā)熱量小，光效高等特點(diǎn)，被大范圍的應(yīng)用到了普通照明，景

嵌入式系統(tǒng)中小功率開關(guān)電源的設(shè)計(jì)

0 引言隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)以及電子應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)以其體積小、可靠性高、功耗低、軟硬件集成度高等特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、過程控制、儀器儀表、航天航空、汽車船舶、網(wǎng)絡(luò)通信、軍事裝備、消費(fèi)

嵌入式系統(tǒng)中小功率開關(guān)電源的設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)中小功率開關(guān)電源的設(shè)計(jì)

IBM和ARM正進(jìn)行小功率SOI芯片研究

11月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。 由于受超薄氧化物層覆蓋，采用該種芯片的設(shè)備將提

IBM和ARM正進(jìn)行小功率SOI芯片研究

11月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。由于受超薄氧化物層覆蓋，采用該種芯片的設(shè)備將提供

小功率微處理機(jī)可編程時(shí)間間隔定時(shí)器

零電壓切換的小功率測(cè)試控制器