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簡化 SiC MOSFET 高效 AC/DC 轉換器設計的關鍵路徑與實踐
在新能源發(fā)電、電動汽車充電樁、工業(yè)電源等領域，對 AC/DC 轉換器的效率、功率密度和可靠性要求持續(xù)提升，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借高頻、高效、耐高溫的特性，逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件成為核心選擇。然而，SiC MOSFET 的高速開關特性、特殊驅動需求及寄生參數(shù)敏感性，給設計帶來諸多挑戰(zhàn)。本文從工程化設計角度出發(fā)，梳理簡化 SiC MOSFET AC/DC 轉換器設計的關鍵技術，幫助工程師降低開發(fā)難度、縮短研發(fā)周期。
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寄生參數(shù)對MOS管有什么影響？MOS管工作狀態(tài)解讀
MOS管將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOS管的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。
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Synopsys的Star RC創(chuàng)造“寄生參數(shù)提取性能”和“可擴展性能”新高度
新思科技(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：其StarRC™解決方案的2015.12版本實現(xiàn)了關鍵技術創(chuàng)新，可以解決由于摩爾定律(Moore’s Law)繼續(xù)向更精細化延伸，而引起的越來越多的寄生參
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如何解決Pspice仿真電路不能過大的問題？
PSPICE仿真的是理想環(huán)境，除非你自己將一些寄生參數(shù)定義到回路中，所以RC過大或過小也不會計算到寄生參數(shù)中。您這個問題有兩個可能，但兩種都是因為時間的關系：1.因為RC振蕩電路有一個關鍵參數(shù)就是響應時間和振蕩頻
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開關電源傳導EMI預測探討
針對開關電源設計階段應考慮的EMC問題，介紹了PCB及其結構寄生參數(shù)提取和頻域仿真的方法，在開關電源設計階段對其傳導EMI進行預測，定位開關電源傳導EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎上給出開關電源PCB及其結構設計的
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時序分析
摘要：本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時序分析工具PrimeTime的基礎上,對已通過物理驗證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內部互連網絡的詳細寄生
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時序分析
摘要：本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時序分析工具PrimeTime的基礎上,對已通過物理驗證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內部互連網絡的詳細寄生
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時序分析
摘要：本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時序分析工具PrimeTime的基礎上,對已通過物理驗證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內部互連網絡的詳細寄生
