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宏光半導體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn) 實現(xiàn)GaN業(yè)務產(chǎn)能落地 銳意創(chuàng)造全新盈利增長點
(2022年11月2日，香港)宏光半導體有限公司(「宏光半導體」，連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團」; 股份代號：6908. HK)欣然宣布，集團近期已開始生產(chǎn)其自家6英寸氮化鎵(「GaN」)功率器件外延片(「外延片」)。 遠早于預期時間表成功制造外延片為集團快速產(chǎn)業(yè)化及量產(chǎn)第三代半導體鋪路，乃其轉(zhuǎn)型成為第三代半導體GaN 供應商的重要成果，標志著集團邁向第三代半導體GaN商業(yè)化的里程碑。
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宏光半導體與協(xié)鑫科技朱共山正式簽定股份及認股權證認購協(xié)議 正式成為主要戰(zhàn)略股東
(2022年9月30日，香港)宏光半導體有限公司(「宏光半導體」，連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團」; 股份代號：6908. HK)欣然宣布，集團與協(xié)鑫科技控股有限公司(股份代號：3800. HK; 「協(xié)鑫科技」)創(chuàng)辦人、主席兼執(zhí)行董事朱共山先生(「朱先生」)正式簽定于2022年8月4 日所訂立之投資協(xié)議(「投資協(xié)議」)的認購協(xié)議(「認購協(xié)議」)。
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宏光半導體與協(xié)鑫科技創(chuàng)始人朱共山先生之家族信托 訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議
充分發(fā)揮雙方優(yōu)勢 推進GaN業(yè)務在新能源領域之發(fā)展
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協(xié)鑫朱共山擬入股宏光半導體， 第三代半導體產(chǎn)品能快將落地？
港股半導體上市公司宏光半導體(6908.HK)于2022年8月8日宣布按配售價每股3.20港元向不少于六名承配人配售3,000萬股新股。此外，宏光半導體與協(xié)鑫科技(3800.HK)的創(chuàng)辦人兼執(zhí)行董事朱共山先生之間接全資擁有的常盛有限公司(“戰(zhàn)略投資者”)訂立投資協(xié)議，宏光半導體已有條件同意發(fā)行，且相關戰(zhàn)略投資者已有條件同意認購6,000萬股認購股份及6,000萬份認股權證。據(jù)悉，宏光半導體此次配售新股的主要目的在于加強半導體相關產(chǎn)品的生產(chǎn)研發(fā)能力如發(fā)光二極管、迷你LED、快速電池充電、第三代半導體氮化鎵(GaN)器件等。
