韓國(guó)政府宣布往后5年將投資1.7兆韓元與民間企業(yè)合作,培育系統(tǒng)芯片和半導(dǎo)體設(shè)備,并計(jì)劃將系統(tǒng)芯片和半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化比例各提升至50%及35%。韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部在9日召開(kāi)的危機(jī)管理對(duì)策會(huì)議中,發(fā)表了包含相關(guān)內(nèi)容的系統(tǒng)
基于數(shù)字頻率合成技術(shù)給出一種高速任意波形發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案,詳細(xì)介紹各個(gè)模塊的硬件電路設(shè)計(jì)以及MCU部分的軟件設(shè)計(jì)。該方案采用高速波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、高速D/A轉(zhuǎn)換器以及奇偶數(shù)據(jù)選擇電路,任意波形采樣速率可達(dá)200 MS/s,任意波形的最高輸出頻率可以達(dá)到50 MHz。針對(duì)不同的輸出波形,波形輸出電路采用七階橢圓濾波器以及高斯濾波器以減小波形失真。該方案具有輸出波形數(shù)據(jù)不丟失、輸出波形穩(wěn)定等特點(diǎn)。
韓國(guó)政府宣布往后5年將投資1.7兆韓元與民間企業(yè)合作,培育系統(tǒng)芯片和半導(dǎo)體設(shè)備,并計(jì)劃將系統(tǒng)芯片和半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化比例各提升至50%及35%。韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部在9日召開(kāi)的危機(jī)管理對(duì)策會(huì)議中,發(fā)表了包含相關(guān)內(nèi)容的系統(tǒng)
韓國(guó)政府宣布往后5年將投資1.7兆韓元與民間企業(yè)合作,培育系統(tǒng)芯片和半導(dǎo)體設(shè)備,并計(jì)劃將系統(tǒng)芯片和半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化比例各提升至50%及35%。韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部在9日召開(kāi)的危機(jī)管理對(duì)策會(huì)議中,發(fā)表了包含相關(guān)內(nèi)容的系統(tǒng)
盡管目前半導(dǎo)體市場(chǎng)看似十分火旺,但分析師們看到要引起警覺(jué)的訊號(hào)。分析師提醒此次復(fù)蘇是不一樣的。 由于半導(dǎo)體設(shè)備和材料市場(chǎng)爆出超乎尋常的增長(zhǎng),但是許多產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為工業(yè)己經(jīng)看到陰影。盡管SEMI的訂單/銷(xiāo)售
三星電子(Samsung Electronics)表示,智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等革新性行動(dòng)裝置制作成實(shí)體的過(guò)程中,對(duì)高性能、低耗電半導(dǎo)體的需求也正逐漸增加,因此三星計(jì)劃以性能提升,且減少耗電量的半導(dǎo)
今年年初以來(lái)全球半導(dǎo)體缺貨,這對(duì)芯片制造企業(yè)而言是一個(gè)利好消息。但中國(guó)芯片制造業(yè)卻接連傳來(lái)警訊:自成都成芯掛牌出售之后,又傳出武漢新芯將被國(guó)外存儲(chǔ)器企業(yè)收購(gòu)的消息。兩家由地方政府投資、中芯國(guó)際代管的
今年年初以來(lái)全球半導(dǎo)體缺貨,這對(duì)芯片制造企業(yè)而言是一個(gè)利好消息。但中國(guó)芯片制造業(yè)卻接連傳來(lái)警訊:自成都成芯掛牌出售之后,又傳出武漢新芯將被國(guó)外存儲(chǔ)器企業(yè)收購(gòu)的消息。兩家由地方政府投資、中芯國(guó)際代管的芯
全球晶圓(GlobalFoundries)除了在28納米制程上,宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù),試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外,同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù),進(jìn)一步強(qiáng)化
全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上,宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù),試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外,同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù),進(jìn)一步強(qiáng)化
全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上,宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù),試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外,同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù),進(jìn)一步強(qiáng)化
ATMI公司(NASDAQ:ATMI)和Ovonyx公司今日宣布,雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物的相變存儲(chǔ)器(PCM)方面取得突破性進(jìn)展。兩家企業(yè)正在合作開(kāi)發(fā)的項(xiàng)目獲得重大進(jìn)步,該化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)的基于鍺
ARM與GlobalFoundries加緊28nm代工合作時(shí)代
1、硬件設(shè)計(jì) 硬件設(shè)計(jì)方框圖如圖1所示。 從圖1可看到,除CPU單元以外,網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的實(shí)現(xiàn)主要包括兩個(gè)部分:I/O接口和存儲(chǔ)器接口。下面以CPU為中心,說(shuō)明這兩個(gè)接口的主要功能?! 、買(mǎi)/O接口。這里指CPU與E
上世紀(jì)60年代,英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。然而,芯片的進(jìn)一步小型化遇到越來(lái)越多的技術(shù)局限。在傳統(tǒng)硅
來(lái)自北京清華大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù),號(hào)稱(chēng)能讓MARM的儲(chǔ)存速度與功耗大幅改善;這種電子開(kāi)關(guān)(electrical switching)技術(shù)寫(xiě)入位元所需的能源較少。 上述新技術(shù)的基本概念,是將磁域開(kāi)關(guān)「部分」開(kāi)關(guān)、而
北京時(shí)間8月30日晚間消息,惠普公司(HPQ)宣布,已獲得了美國(guó)空軍的一項(xiàng)為期5年的電腦合同,價(jià)值至多8億美元。根據(jù)合同,惠普將向美國(guó)空軍提供桌面及筆記本電腦,以及服務(wù)器和存儲(chǔ)器。過(guò)去5年,惠普向美國(guó)空軍出售了價(jià)
Linux網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)
Linux網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)
美國(guó)應(yīng)用材料公司(AMAT)發(fā)布了支持20nm工藝以后的存儲(chǔ)器及邏輯IC的新CVD技術(shù)“Eterna FCVD(Flowable CVD)”。在20nm以后的工藝中,即使采用與目前相同的存儲(chǔ)器單元構(gòu)造和晶體管構(gòu)造,隨著微細(xì)化的發(fā)展,隔離元件