一句話點(diǎn)評(píng)2012年20大技術(shù)前瞻
一句話點(diǎn)評(píng)2012年20大技術(shù)前瞻
單片機(jī)的存儲(chǔ)器有程序存儲(chǔ)器ROM與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM兩種。 這兩種存儲(chǔ)器在使用上是嚴(yán)格區(qū)分的,不得混用。 程序存儲(chǔ)器存放程序指令,以及常數(shù),表格等;而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器則存放緩沖數(shù)據(jù)。MCS-51單片機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)共有3部分:
據(jù)Korea Times報(bào)道,SK海力士已與IBM聯(lián)手,將一起打造一款RAM相變存儲(chǔ)器。這款被稱為PcRAM或是PCM的存儲(chǔ)器可能就是SK海力士公司要推出的下一代非易失性存儲(chǔ)器。可以看出,SK希望能在DRAM和像MRAM,STT-MRAM和Re-RAM這
隨著科技的發(fā)展和現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)的需要,溫度的測(cè)量和控制越來(lái)越受到人們的關(guān)注,對(duì)溫度的準(zhǔn)確采集及合理調(diào)控,將會(huì)對(duì)溫度要求較高的工作環(huán)境起到至關(guān)重要的作用。尤其是在炸藥爆破等惡劣環(huán)境條件下對(duì)爆炸場(chǎng)溫度的分
在學(xué)習(xí)單片機(jī)和進(jìn)行單片機(jī)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中,我們通常使用仿真器作為調(diào)試程序的有力工具。但仿真器價(jià)格昂貴,對(duì)于初學(xué)者和一般個(gè)人開(kāi)發(fā)人員很難承受。為此,我們選用了帶ISP 功能的AT89S51/52 系列單片機(jī),不需要仿真器
單片機(jī)8051的CPU由運(yùn)算器和控制器組成。一、運(yùn)算器運(yùn)算器以完成二進(jìn)制的算術(shù)/邏輯運(yùn)算部件ALU為核心,再加上暫存器TMP、累加器ACC、寄存器B、程序狀態(tài)標(biāo)志寄存器PSW及布爾處理器。累加器ACC是一個(gè)八位寄存器,它是CP
矽格(6257)公布自結(jié)2012年5月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣3.91億元,較上月增加2.1%,比去年同期減少1.6%,矽格表示,由于5月各項(xiàng)產(chǎn)品出貨情況良好,營(yíng)收表現(xiàn)已連續(xù)第3個(gè)月成長(zhǎng),對(duì)于6月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)也相當(dāng)樂(lè)觀。 矽格5月合并營(yíng)業(yè)收
6月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,近日三星電子發(fā)布了三段有趣的網(wǎng)絡(luò)視頻,面向全球消費(fèi)者開(kāi)展感性營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng),讓用戶直觀了解“他們關(guān)心但并不熟悉”的電子存儲(chǔ)器。事實(shí)上,電子元器件的一般市場(chǎng)推廣,由于其獨(dú)特的行業(yè)特性,
Dallas公司的iButton產(chǎn)品是一系列1-wire總線新型器件。DS1991是一種加密存儲(chǔ)器型信息紐扣,封裝于直徑為16mm的不銹鋼外殼中,體積小巧,便于攜帶、保存,防塵、防腐蝕,可以在惡劣的應(yīng)用環(huán)境中實(shí)現(xiàn)帶密碼
NAND Flash產(chǎn)業(yè)2012年上半年非常辛苦,產(chǎn)業(yè)本身有供過(guò)于求困境,加上歐債風(fēng)暴蔓延影響全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展。NAND Flash芯片既有的應(yīng)用如閃存卡和U盤(pán)市場(chǎng)需求疲弱,產(chǎn)值雙雙出現(xiàn)萎縮,市場(chǎng)發(fā)展空間有限。2012年一直寄望的SSD
NAND Flash產(chǎn)業(yè)2012年上半年非常辛苦,產(chǎn)業(yè)本身有供過(guò)于求困境,加上歐債風(fēng)暴蔓延影響全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展。NAND Flash芯片既有的應(yīng)用如閃存卡和U盤(pán)市場(chǎng)需求疲弱,產(chǎn)值雙雙出現(xiàn)萎縮,市場(chǎng)發(fā)展空間有限。2012年一直寄望的SSD
要點(diǎn)1.一個(gè)隨機(jī)微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數(shù)。因?yàn)榇鎯?chǔ)器有相對(duì)致密的結(jié)構(gòu),它們天生就對(duì)隨機(jī)缺陷更加敏感,于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關(guān)鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲(chǔ)器冗余,就必須了解
如今的手機(jī)正逐漸成為融合多種技術(shù)的多功能設(shè)備。它們具有互聯(lián)網(wǎng)接入、Wi-Fi連接、一體化音樂(lè)回放、GPS導(dǎo)航、高質(zhì)量數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙連接等功能,并且配備有標(biāo)準(zhǔn)的PC類(lèi)接口,可用于開(kāi)發(fā)和增加程序。隨著手持設(shè)備集成度
利用西橋架構(gòu)有效管理多媒體手機(jī)數(shù)據(jù)流
單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分析我們來(lái)思考一個(gè)問(wèn)題,當(dāng)我們?cè)诰幊唐髦邪岩粭l指令寫(xiě)進(jìn)單片要內(nèi)部,然后取下單片機(jī),單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令,那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方,并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后依然可以
如圖所示,用一個(gè)具有容性響應(yīng)的傳感器和一只PIC微控制器(MCU)就可以構(gòu)成一個(gè)相對(duì)濕度計(jì)。其中Humirel公司提供的HS1101型傳感器的電容取值范圍為162 ~202pF。使用一個(gè)TLC555 CMOS 定時(shí)器作為振蕩器,完成從電容到頻率
摘要:基于相變存儲(chǔ)器(PCM) 已有的2T2R 結(jié)構(gòu),提出一種以比值為導(dǎo)向的狀態(tài)定義方法,以實(shí)現(xiàn)2T2R 結(jié)構(gòu)下PCM 的多值存儲(chǔ)。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫(xiě)的能力下,可以實(shí)現(xiàn)單元內(nèi)8 態(tài)存儲(chǔ),同時(shí)對(duì)小尺寸驗(yàn)證,而對(duì)PCM 存
日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級(jí)工藝的4GbLPDDR2DRAM,旨在全面擴(kuò)大其4GbDRAM市場(chǎng)。三星電子繼2012年3月開(kāi)始批量生產(chǎn)20納米級(jí)8GBDDR3筆記本電腦模塊,4月又開(kāi)始批量生產(chǎn)20納米級(jí)4GbLPDDR2DRAM,從而
日?qǐng)A升值,加速日本整合元件大廠(IDM)委外釋單,除了近期外傳瑞薩將大舉釋單臺(tái)積電外,包括日月光(2311)、京元電、力成、超豐、矽格、泰林及華東等,拓展日本市場(chǎng)也頻傳捷報(bào)。封測(cè)業(yè)者透露,IDM委外釋單長(zhǎng)期以來(lái)