摘要:針對沒有集成ISP功能的MCU系統(tǒng),提出了一種通用的嵌入式系統(tǒng)Flash在線編程(ISP)方案。該方案借用RAM作為ISP的程序存儲器,可降低系統(tǒng)成本并具有較大的靈活性。以MC68332平臺為例,詳細(xì)介紹了這種ISP方案的具體
摘要:DS1991是一種多密鑰信息紐扣,文章介紹了DS1991的主要特點、工作原理及讀寫方法。給出了一種基于DS1991和PIC單片機的智能水卡設(shè)計方案,同時給出了整個系統(tǒng)的硬件組成原理和軟件設(shè)計方法。 關(guān)鍵詞:信息紐扣;
摘要:針對傳統(tǒng)硬件測試軟件的弊端,文章提出一種便攜式視頻數(shù)據(jù)邏輯分析存儲器的設(shè)計方法,這種分析存儲器能夠針對網(wǎng)絡(luò)多媒體數(shù)據(jù)進行采集、分析和存儲等操作。在不影響網(wǎng)絡(luò)正常傳輸?shù)那疤嵯拢槍S流進行采集、存
半導(dǎo)體制程再告前進一里!財團法人國家實驗研究院國家納米元件實驗室成功開發(fā)出9納米的超節(jié)能存儲器陣列晶胞,不僅容量較快閃存儲器增加了20倍,同時也降低了兩百倍的功耗,
日系存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財報較2009年同期大幅增加,但相較上季卻是明顯縮水,主要還是受到個人計算機(PC)市場需求不振的影響,未來爾必達(dá)
DRAM拉貨潮啟動,加上芯片廠制程推進受阻,主流DDR34Gb顆?,F(xiàn)貨報價攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價,本季漲幅近二成,有機會向歷史新高4.6美元邁進,華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM
摘要:在對ARM體系結(jié)構(gòu)進行分析的基礎(chǔ)上,介紹了32位ARM核處理器W90N740的結(jié)構(gòu)特點和優(yōu)異性能,討論了它的應(yīng)用方法。給出了用 W90N740芯片降低系統(tǒng)成本的實現(xiàn)方案。 關(guān)鍵詞
摘要:文中介紹了MOTOROLA公司的嵌入式微處理器MCF5249的原理、特點和引腳功能,說明了基于該處理器和嵌入式操作系統(tǒng)UCLINUX的網(wǎng)絡(luò)相機結(jié)構(gòu),給出了用MCF5249進行網(wǎng)絡(luò)相機設(shè)
摘要:提出一種可進化IP核的設(shè)計和實現(xiàn)方法。這種IP核采用進化硬件的設(shè)計思想,將遺傳算法運用于硬件電路的設(shè)計中,使電路能根據(jù)當(dāng)前的環(huán)境自動進行內(nèi)部電路的時化,從而生
美系存儲器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財報,美光近幾年多角化發(fā)展十分成功,目前DRAM營收比重有僅剩下25%,受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意
一家股東包括半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲器公司Adesto Technologies,正準(zhǔn)備推出首款導(dǎo)電橋接隨機存取存儲器(conductive-bridging RAM, CBRAM
上世紀(jì)60年代,英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。然而,芯片的進一
來自北京清華大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù),號稱能讓MARM的儲存速度與功耗大幅改善;這種電子開關(guān)(electrical switching)技術(shù)寫入位元所需的能源較少。上述新技術(shù)的基本
據(jù)美國物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報道,日本東北大學(xué)的科學(xué)家們在試驗室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit,達(dá)成了鐵電存儲體的新世界
低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布,已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias™無線存儲器商用樣
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體,加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進有延宕的情形
全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示,由于 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體,加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進有延宕的情形
摘要:為方便單片機對AT24C512中的數(shù)據(jù)進行系統(tǒng)化管理,在介紹AT24C512基本結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上,按照PC機文件管理的思想實現(xiàn) AT24C512的文件系統(tǒng),提高數(shù)據(jù)管理的效率。 關(guān)鍵詞:AT24C512 單片機 文件系統(tǒng) 數(shù)據(jù)
乘著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)甦潮,存儲器供應(yīng)商與晶圓代工廠可說是2010上半年表現(xiàn)最佳的一群;根據(jù)市場研究機構(gòu)IC Insights公布的最新全球前二十大半導(dǎo)體廠商排行榜,存儲器廠商與
2010年全球存儲器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨,而且非??赡軙永m(xù)下去。為什么?可能有三個原因,1),存儲器市場復(fù)蘇;2),前幾年中存儲器投資不足;3),由ASML供應(yīng)的光刻機交貨期延長。