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京元電Q3營(yíng)收逼近30億
(中央社記者鐘榮峰臺(tái)北2011年10月5日電)IC晶圓和成品測(cè)試廠京元電子(2449)自結(jié)9月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣9.5億元，比8月10.02億元月減5.19%，比去年同期11.92億元減少20.23%。 京元電自結(jié)1到9月?tīng)I(yíng)收87億元，比去年同期109.26億
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聯(lián)發(fā)科訂單京元電Q3營(yíng)收回溫
(中央社記者鐘榮峰臺(tái)北2011年10月4日電)在主要客戶(hù)聯(lián)發(fā)科(2454)訂單成長(zhǎng)帶動(dòng)下，IC晶圓和成品測(cè)試廠京元電子(2449)第3季營(yíng)收可望逼近新臺(tái)幣30億元，預(yù)估比第2季成長(zhǎng)近8%。 法人指出，京元電9月?tīng)I(yíng)收有機(jī)會(huì)突破10億
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旭晶：近90億資金在手 有信心渡過(guò)寒冬
周德國(guó)EU PVSEC展后，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)對(duì)Q4市況看法仍是相當(dāng)保守，國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能矽晶圓廠商旭晶(3647)董事長(zhǎng)郭彥辰表示，旭晶目前每股凈值為22元，但在興柜股價(jià)已不到9元并不合理，且即便太陽(yáng)能市況短期保守，但旭晶包括在手現(xiàn)
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友達(dá)晶材后里廠動(dòng)土，預(yù)計(jì)明年Q1量產(chǎn)
面板大廠友達(dá)光電（2409）旗下友達(dá)晶材繼中港園區(qū)動(dòng)土建廠之后，公司于4/11又宣布，將于中部科學(xué)園區(qū)后里基地興建第2座太陽(yáng)能晶片廠，并已舉行第1期工程動(dòng)土典禮。預(yù)計(jì)機(jī)臺(tái)設(shè)備將于今年11月份進(jìn)駐，明（2012）年第一
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Antaris Solar公司單晶及多晶硅光伏組件獲UL認(rèn)證
AntarisSolar公司的ASM及ASP系列光伏組件日前獲得了美國(guó)保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室(UnderwritersLaboratories)的認(rèn)證。此前，該公司的組件還獲得了德國(guó)測(cè)試組織TÜVNord的質(zhì)量及安全驗(yàn)證。ASM系列高效率單晶硅電池板輸出功率超
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Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底
美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘
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Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底
美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于
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Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底
美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于
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晨星STB晶片 搶下中南美洲領(lǐng)導(dǎo)地位
IC設(shè)計(jì)大廠晨星(3691)繼2010年于全球電視晶片市場(chǎng)擁有超過(guò)50%市場(chǎng)占有率后，在STB機(jī)上盒晶片的部分，晨星表示，公司于中南美洲市場(chǎng)推出符合當(dāng)?shù)靥厥庖?guī)格要求、且內(nèi)建晨星自有開(kāi)發(fā)的Ginga軟體平臺(tái)的機(jī)上盒解決方案，并
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日開(kāi)發(fā)出制作有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜新技術(shù)
日本一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)近日在英國(guó)《自然》雜志網(wǎng)絡(luò)版上報(bào)告說(shuō)，他們開(kāi)發(fā)出一種制作有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜的新技術(shù)。新技術(shù)由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所等機(jī)構(gòu)的科研人員聯(lián)合開(kāi)發(fā)。據(jù)稱(chēng)，該技術(shù)能使平板顯示器等大面積電子設(shè)備所
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湖北首條單晶棒生產(chǎn)線(xiàn)試產(chǎn)成功
總投資50億元的湖北宜都市紅花套光伏產(chǎn)業(yè)園首條生產(chǎn)線(xiàn)日前試產(chǎn)成功，首批3根8英寸單晶棒正式下線(xiàn)。紅花套光伏產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目由湖北九州方園新能源有限公司投資建設(shè)，采用的關(guān)鍵設(shè)備全部由國(guó)外進(jìn)口，中國(guó)可再生能源協(xié)會(huì)光
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日開(kāi)發(fā)出制作有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜的新技術(shù)
日本一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)１４日在英國(guó)《自然》雜志網(wǎng)絡(luò)版上報(bào)告說(shuō)，他們開(kāi)發(fā)出一種制作有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜的新技術(shù)。 新技術(shù)由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所等機(jī)構(gòu)的科研人員聯(lián)合開(kāi)發(fā)。據(jù)稱(chēng)，該技術(shù)能使平板顯示器等大面積電
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晶藍(lán)德劉世全：國(guó)內(nèi)首個(gè)30公斤級(jí)藍(lán)寶石單晶體生長(zhǎng)爐即將面世
深圳晶藍(lán)德燈飾有限公司的產(chǎn)品主要集中在LED燈飾、led照明二個(gè)方面。晶藍(lán)德自1999年成立以來(lái)燈飾產(chǎn)品在業(yè)界著不錯(cuò)的口碑，發(fā)展亦非常穩(wěn)定。由于LED整體市場(chǎng)的快速發(fā)展，晶藍(lán)德除LED照明發(fā)展勢(shì)頭非常好外，還在進(jìn)行大
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日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO類(lèi)紫外LED功率提高至100ΜW
日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO（氧化鋅）類(lèi)紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍。這一發(fā)光強(qiáng)度是InGaN與GaN類(lèi)紫外LED的約110，“明確了追趕GaN類(lèi)產(chǎn)品的前進(jìn)道路”（東北大學(xué)原子分子材料科學(xué)高等研究機(jī)構(gòu)
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唐山銳晶LED藍(lán)寶石單晶一期項(xiàng)目開(kāi)工
唐山銳晶光電科技股份有限公司藍(lán)(白)光led產(chǎn)業(yè)化一期藍(lán)寶石單晶制造項(xiàng)目，日前正式開(kāi)工。唐山銳晶LED藍(lán)寶石單晶項(xiàng)目，引進(jìn)藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐、晶片切磨拋等先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備，主要生產(chǎn)藍(lán)寶石單晶等產(chǎn)品。 據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資4
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唐山銳晶光電總投資4.5億元人民幣的藍(lán)寶石單晶項(xiàng)目正式開(kāi)工
近日，銳晶光電總投資4.5億元人民幣藍(lán)(白)光led產(chǎn)業(yè)化一期藍(lán)寶石單晶制造項(xiàng)目，在河北省唐山市玉田縣舉行開(kāi)工儀式。 該項(xiàng)目是玉田縣唐山玉螺水泥有限責(zé)任公司進(jìn)行二次創(chuàng)業(yè)而謀劃建設(shè)的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，依讬河北
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日本將ZnO類(lèi)紫外LED光強(qiáng)提高到原產(chǎn)品的1萬(wàn)倍
據(jù)日媒報(bào)道，日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO(氧化鋅)類(lèi)紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍，是InGaN與GaN類(lèi)紫外LED的約110倍。 據(jù)研究小組介紹，制造LED元件時(shí)采用了MBE(分子束外延)法，并開(kāi)發(fā)出了不使用
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新式有序陣列技術(shù)提升石墨烯晶體制造效率
美國(guó)普渡大學(xué)(Purdue University)的研究人員們研究出一種能夠改善石墨烯單晶體陣列的制造方法，使其能實(shí)現(xiàn)類(lèi)似于矽晶生產(chǎn)的方式與品質(zhì)。 「以矽晶所實(shí)現(xiàn)的高品質(zhì)量產(chǎn)觀點(diǎn)來(lái)看，石墨烯尚未到位，但在邁向這一發(fā)展方向
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日本一研究機(jī)構(gòu)將ZnO類(lèi)紫外LED功率提高至100ΜW
據(jù)日媒報(bào)道，日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO(氧化鋅)類(lèi)紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍。這一發(fā)光強(qiáng)度是InGaN與GaN類(lèi)紫外LED的約110倍。 東北大學(xué)原子分子材料科學(xué)高等研究機(jī)構(gòu)教授川崎雅司表示，此項(xiàng)
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日本一研究機(jī)構(gòu)將ZnO類(lèi)紫外LED功率提高至100μW
據(jù)日媒報(bào)道，日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO（氧化鋅）類(lèi)紫外led的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍。這一發(fā)光強(qiáng)度是InGaN與GaN類(lèi)紫外LED的約110倍。 東北大學(xué)原子分子材料科學(xué)高等研究機(jī)構(gòu)教授川崎雅司表示，此
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