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功率 MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)

  • 射極跟隨器時(shí)的功率 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)

    在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，功率 MOSFET 因其出色的特性，如高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度等，被廣泛應(yīng)用于各類功率轉(zhuǎn)換和控制電路中，尤其是在高速開關(guān)電源等領(lǐng)域。而對(duì)于功率 MOSFET 的有效驅(qū)動(dòng)是充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)、確保電路穩(wěn)定高效運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。射極跟隨器作為一種常見(jiàn)的電路結(jié)構(gòu)，在功率 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)中有著獨(dú)特的應(yīng)用。

  • 聚焦電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片：H 橋中的 N 型功率 MOSFET

    在現(xiàn)代電子設(shè)備的復(fù)雜脈絡(luò)中，電機(jī)作為實(shí)現(xiàn)電能與機(jī)械能相互轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于從日常家電到高端工業(yè)設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域。而電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片則如同電機(jī)的 “智慧大腦” 與 “動(dòng)力心臟”，掌控著電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)。其中，每一個(gè) H 橋的功率輸出模塊由 N 型功率 MOSFET 組成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，憑借獨(dú)特性能在眾多驅(qū)動(dòng)方案中脫穎而出，成為推動(dòng)電機(jī)高效、精準(zhǔn)運(yùn)行的核心力量。

  • 英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

    【2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)車用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動(dòng)系統(tǒng)、斷開開關(guān)和新區(qū)域架構(gòu)。OptiMOS 7 系列產(chǎn)品還可用于電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅(qū)動(dòng)器。

  • 電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：面向高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

    在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上，這些組件允許創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。

  • 48V 系統(tǒng)：高效、穩(wěn)健地驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET

    在功率逆變器系統(tǒng)架構(gòu)和配置，需要用到 MOSFET 和高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，并且要評(píng)估將所有這些部分集成到一個(gè)健壯的系統(tǒng)中并有效地實(shí)施它需要徹底了解系統(tǒng)的損失機(jī)制，以及如何平衡權(quán)衡。在這篇文章中，我將討論 48V 系統(tǒng)中的損耗機(jī)制、高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)權(quán)衡、寄生電感/電容以及印刷電路板 (PCB) 布局注意事項(xiàng)。