功率型LED結(jié)溫和熱阻在不同電流下性質(zhì)研究

通過(guò)對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電流下各種顏色LED結(jié)溫和熱阻測(cè)量，發(fā)現(xiàn)各種顏色LED的熱阻值均隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大，其中基于InGaN材料的藍(lán)光和白光LED工作在小于額定電流下時(shí)，熱阻上升迅速；驅(qū)動(dòng)電流大于額定電流時(shí)，熱阻上升速率變緩。其他顏色LED熱阻隨驅(qū)動(dòng)電流變化速率基本不變。結(jié)溫也隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大。相同驅(qū)動(dòng)電流下，基于AlGaInP材料的1W紅色、橙色LED的結(jié)溫要低于基于InGaN材料的藍(lán)色、綠色、白色LED的結(jié)溫。分別用正向電壓法和紅外熱像儀法測(cè)量了實(shí)驗(yàn)室自制的1mm×1mm藍(lán)光芯片結(jié)溫，比較了兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)。結(jié)果表明，電學(xué)法測(cè)量簡(jiǎn)單快捷，測(cè)量結(jié)果可以滿足要求。

功率型LED結(jié)溫和熱阻在不同電流下性質(zhì)研究

通過(guò)對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電流下各種顏色LED結(jié)溫和熱阻測(cè)量，發(fā)現(xiàn)各種顏色LED的熱阻值均隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大，其中基于InGaN材料的藍(lán)光和白光LED工作在小于額定電流下時(shí)，熱阻上升迅速；驅(qū)動(dòng)電流大于額定電流時(shí)，熱阻上升速率變緩。其他顏色LED熱阻隨驅(qū)動(dòng)電流變化速率基本不變。結(jié)溫也隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大。相同驅(qū)動(dòng)電流下，基于AlGaInP材料的1W紅色、橙色LED的結(jié)溫要低于基于InGaN材料的藍(lán)色、綠色、白色LED的結(jié)溫。分別用正向電壓法和紅外熱像儀法測(cè)量了實(shí)驗(yàn)室自制的1mm×1mm藍(lán)光芯片結(jié)溫，比較了兩種方法

LED發(fā)展的瓶頸

超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封

LED封裝的取光效率

　　一、引 言　　常規(guī)LED一般是支架式，采用環(huán)氧樹(shù)脂封裝，功率較小，整體發(fā)光光通量不大，亮度高的也只能作為一些特殊照明使用。隨著LED芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的發(fā)展，順應(yīng)照明領(lǐng)域?qū)Ω吖馔?LED產(chǎn)品的需求，功率型L

LED封裝的取光效率

　　一、引 言　　常規(guī)LED一般是支架式，采用環(huán)氧樹(shù)脂封裝，功率較小，整體發(fā)光光通量不大，亮度高的也只能作為一些特殊照明使用。隨著LED芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的發(fā)展，順應(yīng)照明領(lǐng)域?qū)Ω吖馔?LED產(chǎn)品的需求，功率型L

Philips Lumileds跨越銷量新高峰LUXEONLED累計(jì)出貨超十億顆

PhilipsLumileds發(fā)布第十億顆功率型LUXEONLED在2010年第二季度度售出。公司在以往的幾年中對(duì)產(chǎn)能及基礎(chǔ)設(shè)施的持續(xù)投資使客戶大批量出貨的需求在時(shí)下得到了充分滿足。在過(guò)去的兩年中,PhilipsLumileds為汽車，照明及消

江蘇穩(wěn)潤(rùn) LED照明應(yīng)用必然規(guī)?；?/a>

高取光率低熱阻功率型LED封裝技術(shù)

　超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是

高取光率低熱阻功率型LED封裝技術(shù)

　超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是

提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)

超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封

提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)

超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封

近似矩形照度分布的新型LED

近似矩形照度分布的新型LED