絕緣油試驗判定充油電氣設(shè)備故障原因的方法分析

介紹了充油設(shè)備中絕緣油造成設(shè)備故障的常見情況。通過對兩起典型真實事故案例的對比 ,分析了不同情況下 ,不合格絕緣油引發(fā)設(shè)備故障的基本過程 , 總結(jié)出絕緣油試驗在判定類似故障原因時的流程和標(biāo)準(zhǔn) , 為今后更加科學(xué)快速地分析同類故障提供了依據(jù)。

電源相關(guān)名詞及解釋

ACPI：是由Intel、Microsoft等聯(lián)合推出的一種電源管理規(guī)范，它將電源管理集成到硬件、操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序中，實現(xiàn)了由操作系統(tǒng)對電源的全面管理。具備ACPI功能的電腦在不使用時處于功耗極低的掛起狀態(tài)，modem等接收到信號時可自動開機(jī)，并可以實現(xiàn)軟件關(guān)機(jī)，適應(yīng)了日益增長的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求。

關(guān)于MOSFET的這些關(guān)鍵指標(biāo)，你知道嗎？

什么是MOSFET?它有什么作用?MOSFET是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。同時也是工程師們利用率最頻率最高的器件之一，那么了解MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)是非常有必要的。各位工程師們你們已經(jīng)了解全了嗎?

實現(xiàn)具有更高擊穿電壓和更低待機(jī)電流的離線輔助PSU

現(xiàn)在，提高能效的需求正在影響自動化的所有領(lǐng)域。這包括家庭中的白色家電，這些家電是在家庭自動化與今天的意義完全不同的時候構(gòu)思的。幾十年前，當(dāng)我們開始依賴這些設(shè)備時，能源的財務(wù)和環(huán)境成本就沒有為消費(fèi)者帶來的便利那么重要，但是這種不平衡最近已經(jīng)改變，現(xiàn)在正在解決。

IEMN 結(jié)果顯示 ALLOS 新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過 1400 V 的擊穿電壓

法國 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士領(lǐng)導(dǎo)的一支團(tuán)隊制造出了器件，并在由德國 ALLOS Semiconductors 公司提供的兩款不同的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品上進(jìn)行了測量。

晶體管參數(shù)在實際使用中的意義

做模擬電路的工程師，都有過使用晶體管(場效應(yīng)管也是晶體管中的一種)、運(yùn)放的經(jīng)驗和體會。尤其是在設(shè)計時，更會對晶體管的一些電參數(shù)進(jìn)行測試和考量。在測試時，許多人對晶體管電參數(shù)的實測值與規(guī)格書所提供的規(guī)范值

一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計

摘要：提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)果表明，在保證LDMO

變壓器油的介電強(qiáng)度試驗

電力企業(yè)普遍都使用自動化程度較高的全自動微機(jī)介電強(qiáng)度試驗測試儀，能使整個測試過程自動操作完成，與傳統(tǒng)方法相比較，且有使用安全，操作簡便，數(shù)據(jù)結(jié)果準(zhǔn)確等特點(diǎn)。但在實際試驗中，由于操作人員專業(yè)技術(shù)知識欠缺

穩(wěn)壓二極管工作原理

穩(wěn)壓二極管工作原理在通常情況下，反向偏置的PN結(jié)中只有一個很小的電流。這個漏電流一直保持一個常數(shù)，直到反向電壓超過某個特定的值，超過這個值之后PN結(jié)突然開始有大電流

穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管簡介穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管 。它的電路符號是：此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，

普通二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)分

有時普通二極管(如檢波二極管)和小功率穩(wěn)壓二極管字跡脫落，由于外形相似而無法區(qū)別。但是，它們之間特性有兩個明顯的區(qū)別:一般二極管多工作在正向?qū)ê头聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)下，穩(wěn)壓二極管則工作在反向擊穿狀態(tài)下;絕大多數(shù)

正確操作加速RF器件測試的方法

對所有的電子元件的制造商而言，測試速度都是很重要的，而對于低價格的二、三引腳元件如二、三極管來說卻更是至關(guān)重要。在RF測試能夠進(jìn)行之前，必須測試這些器件的直流工作狀態(tài)。對于二極管來說，包括正向壓降、反響

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究

功率MOS場效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來，電力MOSFET得到

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究

功率MOS場效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來，電力MOSFET得到

高效能保護(hù)器件-TVS的特性及應(yīng)用

瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，有的文獻(xiàn)上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10-12秒量級的速度，將其兩極

瞬態(tài)抑制器的性能與應(yīng)用

瞬態(tài)干擾　　瞬態(tài)干擾指交流電網(wǎng)上出現(xiàn)的浪涌電壓、振鈴電壓、火花放電等瞬間干擾信號，其特點(diǎn)是作用時間極短，但電壓幅度高、瞬態(tài)能量大。瞬態(tài)干擾會造成控制系統(tǒng)的電源電壓的波動;當(dāng)瞬態(tài)電壓疊加在控制系統(tǒng)的輸入電

SFH640型5.3KV高集發(fā)擊穿電壓光耦合電路

調(diào)節(jié)反向擊穿電壓的電路

調(diào)節(jié)反向擊穿電壓的電路

LED驅(qū)動器系列(英飛凌)

英飛凌科技股份公司宣布推出新的低成本線性LED驅(qū)動器系列，進(jìn)一步壯大其高能效照明IC產(chǎn)品的陣容。全新推出的BCR320和BCR420產(chǎn)品系列可滿足市場對節(jié)能環(huán)保發(fā)光二極管（LED）照明解決方案的急劇增長的需求。額定電流為