內(nèi)存
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單條最高64GB！三星量產(chǎn)DDR4內(nèi)存
韓國三星電子今天正式宣布，目前已經(jīng)開始正式量產(chǎn)全球首款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。該DDR4內(nèi)存采用三星自家先進(jìn)的2xnm工藝，所采用的TSV技術(shù)，是一種穿透硅晶
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嵌入式系統(tǒng)用Java語言
Java是在C++基礎(chǔ)上改進(jìn)了的面向?qū)ο蟮恼Z言。它可以得到類的封裝、繼承、多態(tài)等的優(yōu)異重用性的好處，Java的小應(yīng)用程序(Java Applet)還特別適合于上網(wǎng)?？磥恚肑ava開發(fā)上的
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影馳HOF系列DDR4內(nèi)存問世
高大上的新一代Haswell-E旗艦桌面處理器和X99主板都已經(jīng)登場(chǎng)一星期了，與此同時(shí)也帶來了一大波DDR4內(nèi)存，這次可能會(huì)讓你吃驚，因?yàn)闊衢T硬件廠商影馳也將要推出HOF系列DDR4內(nèi)存。其實(shí)影馳在年中的Comput
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英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內(nèi)存
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級(jí)，但這對(duì)于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場(chǎng)無疑是有益的。另外E5 v3針對(duì)軟件定義SDI進(jìn)行優(yōu)化，可以進(jìn)行更
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支持DDR4內(nèi)存！英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級(jí)，但這對(duì)于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場(chǎng)無疑是有益的。另外E5 v3針對(duì)軟件定義SDI進(jìn)行優(yōu)化，可以進(jìn)行更智能的資源調(diào)
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三星電子推出30納米級(jí)低功率1.25V服務(wù)器內(nèi)存
日前，三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級(jí)企業(yè)服務(wù)器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module)產(chǎn)品。三星相關(guān)負(fù)責(zé)
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前景慘淡 茂德或退出PC內(nèi)存業(yè)務(wù)
茂德近日表示其未來的業(yè)務(wù)重心將逐漸從PC DRAM芯片領(lǐng)域轉(zhuǎn)移，其長遠(yuǎn)目標(biāo)是逐漸淘汰PC內(nèi)存業(yè)務(wù)。茂德高層透露，隨著公司即將進(jìn)行的資本重組，茂德將進(jìn)一步專注于利基市場(chǎng)的內(nèi)
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DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V
JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)
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日本地震損及全球25%的芯片硅晶圓供應(yīng) 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)受重創(chuàng)
日本地震導(dǎo)致全球用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的四分之一硅晶圓生產(chǎn)中止。信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社的白河工廠已經(jīng)停產(chǎn)。MEMC Electronic Materials Inc.的宇都宮工廠也停產(chǎn)。這兩家工廠的合
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TCC89x的內(nèi)存分布區(qū)域設(shè)置
//=====================================================================//TITLE:// TCC89x的內(nèi)存分布區(qū)域設(shè)置//AUTHOR:// norains//DATE:// Friday 7-January-2011//E
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PCI Express反射內(nèi)存節(jié)點(diǎn)卡(GE)
PCI Express半高卡平臺(tái)具有確定性、低延遲、高速內(nèi)存共享等特點(diǎn) 弗吉尼亞州夏洛茨維爾市，2011年1月12日訊-GE智能平臺(tái)宣布推出半高卡PCIE-5565PIORC PCI Express反射內(nèi)存
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基于OMAP-L138平臺(tái)多通道手持頻譜分析儀研究
摘要：針對(duì)部分特殊場(chǎng)合對(duì)頻譜分析儀使用需要多通道、便攜等需求，設(shè)計(jì)了一種通道數(shù)最多支持64通道的手持多通道頻譜分析儀。該頻譜分析儀以美國德州儀器公司推出的DSP+ARM雙核CPU芯片OMAP-L138為平臺(tái)，采用多通道A/D
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三星宣布完成第一款DDR4內(nèi)存開發(fā)樣品
三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDI
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IBM展示3D Racetrack內(nèi)存技術(shù)
據(jù)國外媒體報(bào)道，IBM的研究人員最近證實(shí)，Racetrack內(nèi)存理論是正確的，可以用于指導(dǎo)這類內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。 采用Racetrack芯片，移動(dòng)設(shè)備的存儲(chǔ)容量將增加逾100倍，可以存儲(chǔ)
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血拼小米新旗艦！華為手機(jī)重磅新品來了
小米今天舉行新品發(fā)布會(huì)，而華為榮耀也準(zhǔn)備了新產(chǎn)品和開放購買活動(dòng)應(yīng)對(duì)，兩家真的是要死磕到底了。對(duì)于明天的新產(chǎn)品，華為官方再次給出了一個(gè)新海報(bào)，對(duì)于即將發(fā)布的新產(chǎn)品，他們給出了“混血”的描述，到
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IBM與Mosaid公司就侵權(quán)案達(dá)成和解協(xié)議
內(nèi)存技術(shù)授權(quán)公司Mosaid Technologies宣布其與IBM公司之間的專利糾紛已達(dá)成和解。Mosaid公司稱IBM已經(jīng)與自己簽署了專利授權(quán)協(xié)議，雙方并簽署了不再就有關(guān) 的專利進(jìn)行官司
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改善嵌入式系統(tǒng)實(shí)時(shí)效能的新途徑
在這個(gè)日趨復(fù)雜的世界，對(duì)于嵌入式處理器的要求也愈來愈高。去年也許使用128k的程序及4個(gè)實(shí)時(shí)處理緒列便足以執(zhí)行應(yīng)用程序，但是今年的產(chǎn)品規(guī)格已將所需內(nèi)存提升為兩倍，中斷
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AMD宣布和Hynix聯(lián)手開發(fā)HBM堆棧內(nèi)存
3D IC內(nèi)存和所有2.5D/3D技術(shù)終于離全面商業(yè)化更近一步了!在上周于美國加州伯林蓋姆市(Burlingame)召開的RTI 3D ASIP會(huì)議上，AMD和Hynix共同宣布了兩家公司將攜手開發(fā)HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)的消息。AMD高級(jí)研究員兼3D項(xiàng)
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三星GALAXY F真機(jī)再曝光 5.2英寸金屬機(jī)身
之前曝光的三星新旗艦GALAXY F又有新的諜照現(xiàn)身，此前有消息稱該機(jī)將會(huì)采用金屬材質(zhì)機(jī)身，從最新曝光的照片來看，這款三星新機(jī)的邊緣采用了切角的設(shè)計(jì)，金屬的質(zhì)感非常明顯，可以基本確定材質(zhì)為金屬。配置方面，三星
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DRAM與快閃記憶體仍扮演重要角色 MRAM普及尚需時(shí)日
磁阻內(nèi)存的概念幾乎是和磁盤記錄技術(shù)同時(shí)被提出來的。但是眾所周知，內(nèi)存讀寫的速度需要達(dá)到磁盤讀寫的速度的100萬倍，所以不能直接使用磁盤記錄技術(shù)來生產(chǎn)內(nèi)存。磁阻內(nèi)存的設(shè)計(jì)看起來并不復(fù)雜，但是對(duì)材料的要求比較
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