國研院今發(fā)表積層型 3D-IC 技術(shù)

國研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計今年便可運用在顯示器上，未來將陸續(xù)與國內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計技轉(zhuǎn)金約需上億元，是國研院截至目前為止的最

國研院開發(fā)新芯片 大幅提升訊號傳輸速度

國研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計今年便可運用在顯示器上，未來將陸續(xù)與國內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計技轉(zhuǎn)金約需上億元，是國研院截至目前為止的最

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

能源采集元件市場可期 半導(dǎo)體廠商積極布局

能源采集(Energy Harvesting)市場熱度正迅速加溫。在各式無線感測器及薄膜電池(Film Battery)當(dāng)?shù)赖内厔輲酉?，能源采集勢力將在行動裝置、機(jī)器對機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要

五角大樓允許F-35戰(zhàn)斗機(jī)項目使用中國產(chǎn)元件

盡管美國官員反復(fù)表示擔(dān)心中國的間諜活動和加強(qiáng)軍備，但為了幫助3920億美元的洛克希德馬丁F-35戰(zhàn)斗機(jī)項目走上正軌，五角大樓在2012年和2013年多次豁免了禁止使用中國產(chǎn)元件的禁令。美國的隱形戰(zhàn)斗機(jī)并沒有使用中國產(chǎn)

能源采集元件市場可期 半導(dǎo)體廠商積極布局

能源采集(Energy Harvesting)市場熱度正迅速加溫。在各式無線感測器及薄膜電池(Film Battery)當(dāng)?shù)赖内厔輲酉?，能源采集勢力將在行動裝置、機(jī)器對機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要

能源采集元件市場可期 半導(dǎo)體廠商積極布局

能源采集(EnergyHarvesting)市場熱度正迅速加溫。在各式無線感測器及薄膜電池(FilmBattery)當(dāng)?shù)赖内厔輲酉?，能源采集勢力將在行動裝置、機(jī)器對機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要技

環(huán)球儀器推出針對異形元件的Fuzion平臺

21ic訊 環(huán)球儀器在異形元件組裝方面，在業(yè)內(nèi)擁有超過20年的領(lǐng)先經(jīng)驗。在這個基礎(chǔ)上，環(huán)球儀器日前推出FuzionOF平臺，專門應(yīng)對回流前或回流后的異形元件組裝挑戰(zhàn)，進(jìn)一步擴(kuò)展旗艦Fuzion™平臺的系列產(chǎn)品，作為業(yè)

PMIC廠家插旗能源采集市場

(EnergyHarvesting)市場熱度正迅速加溫。在各式無線感測器及薄膜電池(FilmBattery)當(dāng)?shù)赖内厔輲酉拢茉床杉瘎萘⒃谛袆友b置、機(jī)器對機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要技術(shù)，而電

矽品京元電 上月上季營收都比預(yù)期好

同為聯(lián)發(fā)科封測陣營的矽品（2325）及京元電昨（6）日公布去年12月及第4季合并營收均優(yōu)于預(yù)期。 矽品去年12月合并營收60.89億元，月增1.8%，年增26.5%；去年第4季合并營收為188.44億元，季減1.3%，優(yōu)于預(yù)期；累計去

優(yōu)化變速箱元件效率 提升汽車?yán)锍?/a>

我國半導(dǎo)體分立器件出口喜中有憂

我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)屬于國家重點鼓勵行業(yè)，受到國家有關(guān)部門的大力扶持。近年來，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)不斷發(fā)展壯大。據(jù)海關(guān)信息網(wǎng)(www.haiguan.info)統(tǒng)計，今年1-11月我國出口二極管及類似半導(dǎo)體器件(以下簡稱

我國半導(dǎo)體分立器件出口量持續(xù)增長 企業(yè)仍臨挑戰(zhàn)

我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)屬于國家重點鼓勵行業(yè)，受到國家有關(guān)部門的大力扶持。近年來，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)不斷發(fā)展壯大。據(jù)海關(guān)信息網(wǎng)統(tǒng)計，今年1-11月我國出口二極管及類似半導(dǎo)體器件（以下簡稱半導(dǎo)體器件）3204

【SID】“可彎曲”有機(jī)EL顯示器趨于高精細(xì)化和大型化

本屆“SID 2013”上有很多關(guān)于柔性有機(jī)EL顯示器的發(fā)表。其中一部分已開始走向全高清（1920像素×1080像素）等高精細(xì)化和大型化。另外，此次發(fā)表的所有面板都采用了InGaZnO（IGZO）TFT作為驅(qū)動元件。 松下開發(fā)出

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

熱電偶響應(yīng)時間受哪些要素影響？

熱電偶（thermocouple）是溫度測量儀表中常用的測溫元件，它直接測量溫度，并把溫度信號轉(zhuǎn)換成熱電動勢信號，通過電氣儀表（二次儀表）轉(zhuǎn)換成被測介質(zhì)的溫度。各種熱電偶的外形常因需要而極不相同，但是它們的基本結(jié)

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后