通過對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討論,介紹了的一種可驅(qū)動(dòng)高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動(dòng)模塊HCPL-3I6J的應(yīng)用
低壓電源線上的瞬變電壓幅值有時(shí)能達(dá)到標(biāo)稱電壓的許多倍。這種情況常常要求對(duì)設(shè)備保護(hù)防止有人使用不適當(dāng)?shù)墓β孰娖?。防止敏感電路過電壓的常用方法是增加并聯(lián)嵌位電路。保險(xiǎn)絲或其他限流器件處于這些嵌位電路的高能吸收能力之前。
新型低邊功率MOSFET增加達(dá)46伏汽車和工業(yè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、減少電路板空間并降低整體成本安森美半導(dǎo)體(美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)進(jìn)一步拓展其經(jīng)濟(jì)高效的高性能功率MOSFET系列,推出新系列的自護(hù)式SmartDiscrete
張建平 信息產(chǎn)業(yè)部一位專家說,假冒偽劣手機(jī)電池泛濫成災(zāi)。 這位名叫馬民的高級(jí)工程師來自信息產(chǎn)業(yè)部科技司質(zhì)量監(jiān)督 處。他參與了9月24日公布的手機(jī)“三包”規(guī)定的制定。 在近日召開的手機(jī)“三包”規(guī)定座談