電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體通常是利用三維晶體研制的晶體硅制成的。這些晶體不僅彈性低、重量大,而且制造成本高。此外,其它的方法,如有機(jī)半導(dǎo)體和薄膜技術(shù)會(huì)使材料的質(zhì)量和耐久性都較差。近日,奧地利維也納大學(xué)光子
無觸點(diǎn)接近開關(guān)電路之一
21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出200V和250V OptiMOSTM FD,進(jìn)一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET,這些器件更加可靠耐用,
電阻與二極體(Diode)將朝更微型化推進(jìn)。隨著行動(dòng)與穿戴式裝置配備的功能更趨多元,其搭載的電阻、齊納(Zener)二極體及蕭特基(Schottky)二極體等離散式(Discrete)元件體積亦被要求朝更小尺寸演進(jìn),也因此,羅姆(ROHM)
阻容加二極管式移相觸發(fā)電路
手動(dòng)調(diào)溫電路之五
水塔和蓄水池同時(shí)監(jiān)測(cè)的自動(dòng)上水控制電路之二
摘要 設(shè)計(jì)了一種基于HV9910的自適應(yīng)溫度寬電壓范圍的高亮度頻閃燈,其利用HV9910的寬電壓特性,可在10~50 V寬電壓范圍內(nèi)高亮度工作。結(jié)合HV9910的LD端及二極管的熱敏特性,使其根據(jù)內(nèi)部溫度變化調(diào)節(jié)頻閃能量,并利
電阻與二極體(Diode)將朝更微型化推進(jìn)。隨著行動(dòng)與穿戴式裝置配備的功能更趨多元,其搭載的電阻、齊納(Zener)二極體及蕭特基(Schottky)二極體等離散式(Discrete)元件體積亦被要求朝更小尺寸演進(jìn),也因此,羅姆(ROHM)
21ic訊 意法半導(dǎo)體的新雙管配置碳化硅(SiC)肖特基二極管是市場(chǎng)上同類產(chǎn)品中首款每只管子額定電壓650V且共陰極或串聯(lián)配置的整流二極管,可用于交錯(cuò)式或無橋型功率因數(shù)校正(PFC)電路。磁化硅產(chǎn)品的能效和耐用性高于傳統(tǒng)
二極管、阻容消火花電路b
二極管、阻容消火花電路a
二極管消火花電路b
二極管消火花電路a
三極管控制時(shí)的快速響應(yīng)電路b
三極管控制時(shí)的快速響應(yīng)電路a
晶閘管控制時(shí)的快速響應(yīng)電路
循環(huán)閃爍的多組彩燈鏈電路之三
電容與二極管配合的調(diào)光電路
二極管調(diào)光電路