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  • 恩智浦半導(dǎo)體推出高性能Layerscape網(wǎng)絡(luò)與數(shù)據(jù)中心減負(fù)片上系統(tǒng)解決方案

    全球先進(jìn)的安全連接解決方案領(lǐng)導(dǎo)者恩智浦半導(dǎo)體公司(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出Layerscape系列目前最高性能的產(chǎn)品——LX2160A SoC。LX2160A專(zhuān)用于極具挑戰(zhàn)性的高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)邊緣計(jì)算和數(shù)據(jù)中心減負(fù)。為了能夠在網(wǎng)絡(luò)邊緣可信且安全地執(zhí)行虛擬化云工作負(fù)載，新的分布式計(jì)算模型正在形成。 LX2160A具有16個(gè)高性能ARM Cortex®-A72核心，工作頻率超過(guò)2 GHz，功耗低于30 W，支持100 Gbps以太網(wǎng)接口和第四代PCIe兩種高速互連標(biāo)準(zhǔn)。除此之外，LX2160A處理器還支持線速的層二交換能力，并且具有數(shù)據(jù)壓縮加速引擎和50 Gbps IPSec數(shù)據(jù)加密加速引擎。恩智浦的Layerscape處理器系列包括功耗在1 W以內(nèi)的單核處理器到16核心LX2160A的各類(lèi)解決方案,是目前最全的64位ARM處理器系列。 恩智浦半導(dǎo)體全球資深副總裁兼產(chǎn)品部總經(jīng)理Tareq Bustami表示：“邊緣處理將推動(dòng)網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施下一階段的成長(zhǎng)。工作負(fù)載從云轉(zhuǎn)移到邊緣之后，延遲會(huì)隨之減少，安全性增加，應(yīng)變能力也會(huì)增強(qiáng)。LX2160A集成的性能和帶寬為各種網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)分析和數(shù)據(jù)處理工作負(fù)載提供了一個(gè)理想的平臺(tái)。” Linley集團(tuán)首席分析師Bob Wheeler表示：“眾多網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商、云公司和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)公司目前都在開(kāi)發(fā)邊緣計(jì)算，這個(gè)技術(shù)的一大優(yōu)點(diǎn)是其能夠降低云計(jì)算服務(wù)的延遲，提高隱私保護(hù)的力度，減少占用WAN帶寬。恩智浦的Layerscape LX2160A處理器集成了16個(gè)核心和100 Gbps以太網(wǎng)接口，有助于ARM生態(tài)系統(tǒng)滿足高性能邊緣計(jì)算應(yīng)用的需求。” 恩智浦以O(shè)pen Daylight、OpenStack與OP-NFV®等支持云和網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化的開(kāi)源項(xiàng)目為基礎(chǔ)，支持并推動(dòng)豐富的ARM虛擬化生態(tài)系統(tǒng)。恩智浦ARM處理器包含支持KVM和Linux®容器等虛擬化技術(shù)的硬件以及用于網(wǎng)絡(luò)虛擬化加速的硬件加速引擎。恩智浦還支持DPDK、OVS和Virtio等符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的虛擬化API以及Debian和Ubuntu這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)級(jí)Linux發(fā)行版。

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  • 緊握未來(lái)!貿(mào)澤電子2017智造創(chuàng)新論壇南京站即將舉行

    半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 宣布將聯(lián)合全球頂尖半導(dǎo)體廠商Cypress、Murata、NXP、Silicon Labs、TE Connectivity等全球半導(dǎo)體與電子元器件的領(lǐng)導(dǎo)廠商，于南京(2017年10月26日)舉辦智能家居 • 可穿戴設(shè)備為主題的“2017貿(mào)澤電子智造創(chuàng)新論壇，從行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商的角度，讓觀眾了解智能家居、可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的總體形勢(shì)與前景、 所面臨的挑戰(zhàn)以及最新的技術(shù)方案。 智能家居、可穿戴設(shè)備兩大領(lǐng)域的崛起給全球半導(dǎo)體廠商以及硬件廠商帶來(lái)了前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，不少傳統(tǒng)企業(yè)以及新晉創(chuàng)業(yè)公司乘著東風(fēng)順勢(shì)進(jìn)駐，紛紛推出了相關(guān)產(chǎn)品，受到廣泛的好評(píng)，未來(lái)的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)一片看好。市場(chǎng)巨大的潛力無(wú)疑將催發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈的全新變革，從而為主控芯片、無(wú)線芯片、傳感器和電源IC等半導(dǎo)體廠商以及柔性顯示、語(yǔ)音交互、連接器等領(lǐng)域的廠商帶來(lái)巨大的機(jī)會(huì)。貿(mào)澤電子希望通過(guò)南京站研討會(huì)與 Cypress、Murata、NXP、Silicon Labs、TE Connectivity等全球半導(dǎo)體與電子元器件的領(lǐng)導(dǎo)廠商共同搭建連接現(xiàn)實(shí)世界和智能家居、可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的智能化橋梁，從而幫助廣大從業(yè)者重新認(rèn)識(shí)周?chē)氖澜纭?   活動(dòng)議程 貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場(chǎng)及商務(wù)拓展副總裁田吉平女士表示：“物聯(lián)網(wǎng)正在高調(diào)走進(jìn)我們的世界并逐漸改變我們的生活，智能家居和可穿戴就是其中的代表。在技術(shù)變革的過(guò)程中，貿(mào)澤電子承諾以最快的速度將最新的產(chǎn)品和前沿技術(shù)導(dǎo)入市場(chǎng)，我們希望激勵(lì)用戶運(yùn)用新一代信息技術(shù)以及集成化硬件，創(chuàng)造不一樣的智能產(chǎn)品，造福大眾。我相信憑借廣大設(shè)計(jì)工程師們豐富的想象力和對(duì)先進(jìn)技術(shù)的運(yùn)用能力，無(wú)論是穿戴式設(shè)備還是智能家居市場(chǎng)，未來(lái)必將有屬于中國(guó)的一席之地。” 貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服，通過(guò)提供采用先進(jìn)技術(shù)的最新產(chǎn)品來(lái)滿足設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員的創(chuàng)新需求。我們庫(kù)存有全球最廣泛的最新半導(dǎo)體及電子元件，為客戶的最新設(shè)計(jì)項(xiàng)目提供支持。Mouser不僅有多種高級(jí)搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫(kù)存情況，而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗(yàn)。此外，Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊(cè)、供應(yīng)商特定參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計(jì)信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。

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  • 高云半導(dǎo)體宣布加入RISC-V基金會(huì)

    作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商，廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“高云半導(dǎo)體”)今天宣布加入RISC-V基金會(huì)，成為該組織成員中第一家中國(guó)FPGA供應(yīng)商。此舉是繼2016年加入MIPI聯(lián)盟后高云半導(dǎo)體又一次加入國(guó)際性行業(yè)聯(lián)盟組織，進(jìn)一步向業(yè)界表達(dá)其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應(yīng)商的愿景。 RISC-V是一種新型的指令集架構(gòu)(ISA)，其初衷是支持計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)研究與教育，目前在RISC-V基金會(huì)的領(lǐng)導(dǎo)下已經(jīng)成為行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)放架構(gòu)。RISC-V ISA應(yīng)用廣泛，覆蓋了從基礎(chǔ)性設(shè)計(jì)到可擴(kuò)展性設(shè)計(jì)，從高性能計(jì)算服務(wù)設(shè)計(jì)到低功耗嵌入式系統(tǒng)和LOT設(shè)備設(shè)計(jì)。此外，RISC-V ISA是開(kāi)源的，任何用戶都可以免費(fèi)基于RISC-V ISA進(jìn)行設(shè)計(jì)、生產(chǎn)芯片。   “高云半導(dǎo)體以第一家國(guó)產(chǎn)FPGA制造商的身份成為RISC-V基金會(huì)的成員，今后將積極發(fā)展RISC-V的生態(tài)系統(tǒng)并在國(guó)內(nèi)乃至全亞洲大力推廣RISC-V ISA，”高云半導(dǎo)體總裁兼首席技術(shù)官宋寧博士說(shuō)：“我們正在晨熙家族FPGA器件中運(yùn)用RISC-V ISA，通過(guò)開(kāi)源的、簡(jiǎn)化的RISC-V ISA結(jié)合高性能，高性價(jià)比的高云半導(dǎo)體FPGA芯片來(lái)幫助客戶實(shí)現(xiàn)加速創(chuàng)新。這在積極鼓勵(lì)創(chuàng)新與創(chuàng)業(yè)的國(guó)內(nèi)乃至亞洲市場(chǎng)尤為重要。”

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  • 艾邁斯半導(dǎo)體音頻芯片為潮流品牌FIIL的兩款新型無(wú)線耳機(jī)提供世界級(jí)的降噪性能

    全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司(ams AG)今天宣布耳機(jī)制造商FIIL在其新品中采用了艾邁斯半導(dǎo)體的兩款芯片。 AS3435這款艾邁斯半導(dǎo)體的混合主動(dòng)降噪(ANC)音頻IC被應(yīng)用于高性能的Canviis Pro無(wú)線壓耳式耳機(jī)。此外，首款繞頸式藍(lán)牙入耳式主動(dòng)降噪耳機(jī)Driifter Pro則選用了艾邁斯半導(dǎo)體的AS3412。受耳機(jī)的尺寸限制，采用小巧的晶圓級(jí)芯片封裝的AS3412成為該類(lèi)應(yīng)用的理想選擇。 潮流品牌FIIL越來(lái)越受歡迎的原因是它將卓越的音頻性能、創(chuàng)新功能和別致設(shè)計(jì)融為一體。在可聽(tīng)頻譜范圍內(nèi)優(yōu)越的降噪性能造就了FIIL領(lǐng)先市場(chǎng)的、獨(dú)特的產(chǎn)品吸引力。這主要?dú)w功于艾邁斯半導(dǎo)體芯片出色的主動(dòng)降噪性能，以及專(zhuān)業(yè)系統(tǒng)知識(shí)、設(shè)計(jì)工程和聲學(xué)分析服務(wù)的支持。艾邁斯半導(dǎo)體的主動(dòng)降噪IC產(chǎn)品具備領(lǐng)先市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，集優(yōu)越音頻性能和低能耗于一體。艾邁斯半導(dǎo)體音頻傳感器產(chǎn)品具備的先進(jìn)降噪功能，包括： · 智能噪音調(diào)節(jié)——三種操作模式可供用戶選擇。芯片通常在降噪模式下運(yùn)行，但也提供監(jiān)聽(tīng)模式，用于去除低頻噪聲以便用戶聽(tīng)到中高頻聲音;而開(kāi)放模式可使用戶聽(tīng)到所有環(huán)境噪音。 · 風(fēng)噪模式——抵消由風(fēng)引起的噪聲。 采用AS3435主動(dòng)降噪芯片的Canviis Pro壓耳式耳機(jī)可實(shí)現(xiàn)世界一流的主動(dòng)降噪性能，降噪超過(guò) 30dB，總諧波失真小于0.5%(100dBSPL)。 Driifter Pro入耳式耳機(jī)要求芯片具有良好的降噪能力，可放置在小型的終端產(chǎn)品外殼中，極低的功耗以使產(chǎn)品只需一顆小電池即可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間工作。FIIL選用的AS3412芯片尺寸僅為2.2 mm x 2.2 mm x 0.4mm ，采用晶圓級(jí)芯片封裝。工作電源電壓為1.6 V - 1.8V時(shí)，AS3412僅消耗8mW。 談到FIIL和艾邁斯半導(dǎo)體之間的合作，艾邁斯半導(dǎo)體全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)執(zhí)行副總裁Pierre Laboisse表示：“我們很高興能成為亞洲領(lǐng)先耳機(jī)企業(yè)的戰(zhàn)略合作伙伴。FIIL是一家極具創(chuàng)新精神、專(zhuān)注品質(zhì)且引領(lǐng)潮流的主動(dòng)降噪耳機(jī)供應(yīng)商。我們很珍惜這樣的合作伙伴。我們將繼續(xù)攜手緊密合作，致力于打造世界最先進(jìn)的智能主動(dòng)降噪耳機(jī)。” FIIL首席執(zhí)行官鄔寧表示：“在過(guò)去幾年，F(xiàn)IIL已成為高端降噪耳機(jī)全球市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。開(kāi)發(fā)首款無(wú)線入耳式主動(dòng)降噪耳機(jī)標(biāo)志著FIIL的發(fā)展又向前邁了一步。在開(kāi)發(fā)最新Canviis Pro和Driifter系列產(chǎn)品過(guò)程中我們與艾邁斯半導(dǎo)體進(jìn)行了密切合作，對(duì)此我們感到很高興。艾邁斯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的高級(jí)音頻解決方案制造商。”

    半導(dǎo)體 無(wú)線耳機(jī) 艾邁斯半導(dǎo)體 音頻芯片

  • 情系孤寡老人 中秋送溫暖 深圳世強(qiáng)走進(jìn)平湖敬老院

    為弘揚(yáng)中華民族“尊老、敬老、愛(ài)老”的優(yōu)良傳統(tǒng)，在中秋佳節(jié)即將到來(lái)之際，深圳市世強(qiáng)先進(jìn)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“世強(qiáng)”)走進(jìn)平湖敬老院，為敬老院的孤寡老人和殘疾人送上中秋慰問(wèn)。為進(jìn)一步豐富敬老院老年人的業(yè)余文化生活，世強(qiáng)的同仁還編排了單口相聲、紅歌演唱等一系列節(jié)目為，讓老人過(guò)個(gè)開(kāi)心節(jié)。   在平湖敬老院里，世強(qiáng)十余名志愿者與老人拉家常，詢問(wèn)他們的身體狀和生活狀況。慰問(wèn)期間，志愿者還送上了月餅、水果、牛奶等生活物品，預(yù)祝老人節(jié)日快樂(lè)，身體健康。 70多歲的孤寡老人張大爺說(shuō)：“非常感謝你們來(lái)看望我們，你們不僅帶來(lái)了吃的、喝的，還陪我們聊聊天說(shuō)說(shuō)話，我真的特別高興。”平湖敬老院的工作人員也表示，十分感謝世強(qiáng)能夠來(lái)到這里傳遞溫暖，奉獻(xiàn)愛(ài)心，關(guān)懷孤寡老人。 據(jù)了解，世強(qiáng)成立于1993年，經(jīng)過(guò)24年的發(fā)展，是中國(guó)電子行業(yè)最優(yōu)秀的品牌分銷(xiāo)企業(yè)之一，不僅是全球近百家著名半導(dǎo)體企業(yè)在大中國(guó)區(qū)的戰(zhàn)略合作分銷(xiāo)商，還是眾多大型電子制造和研發(fā)企業(yè)的重要供應(yīng)商。產(chǎn)品業(yè)務(wù)廣泛覆蓋工業(yè)電子、通信電子、智能物聯(lián)、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、測(cè)試測(cè)量等重要領(lǐng)域。世強(qiáng)一直不忘履行企業(yè)的社會(huì)責(zé)任，致力于公益慈善事業(yè)和學(xué)生發(fā)展事業(yè)，不定期地組織公益活動(dòng)，積極參與愛(ài)心公益回報(bào)社會(huì)。

    半導(dǎo)體 世強(qiáng) 敬老院

  • 武漢光博會(huì)11月1-3日即將盛大舉行!

    2017年11月1-3日，第十四屆“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇，將在光谷新地標(biāo)——中國(guó)光谷科技會(huì)展中心盛大開(kāi)幕!   “中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇(以下簡(jiǎn)稱(chēng)光博會(huì))已成功舉辦13屆，累計(jì)吸引全球30多個(gè)國(guó)家和地區(qū)的5000余家知名企業(yè)參展，專(zhuān)業(yè)觀眾超過(guò)40萬(wàn)人，累計(jì)主辦論壇會(huì)議100余場(chǎng)，已發(fā)展成為國(guó)內(nèi)前三、中西部地區(qū)最大的光電信息專(zhuān)業(yè)展會(huì)。 2017武漢光博會(huì)重回光谷，全新啟程!從展期安排、展館設(shè)置、展區(qū)內(nèi)容、參展企業(yè)、同期論壇及活動(dòng)都有全新升級(jí)，必將給到新老展商及到場(chǎng)觀眾不一樣的光博會(huì)體驗(yàn)! 全新展館規(guī)劃 給您全新逛展體驗(yàn) 2017武漢光博會(huì)繼續(xù)以光電科技為基礎(chǔ)，遵循新一代信息革命的技術(shù)發(fā)展路線，規(guī)劃“光智造”、“光智聯(lián)”、“光智能”三大主題館，具體展區(qū)劃分如下： 光智造館：規(guī)劃激光生產(chǎn)與加工、精密光學(xué)制造、軍民融合裝備、工業(yè)光電自動(dòng)化、光電新型顯示及國(guó)際展區(qū)。 光智聯(lián)館：規(guī)劃光通信設(shè)備及器件、光互聯(lián)及網(wǎng)絡(luò)、移動(dòng)通信、光傳感與檢測(cè)、北斗及地球空間信息展區(qū)。 光智能館：規(guī)劃芯片與集成、人工智能及機(jī)器人、云平臺(tái)及智慧城市、智慧應(yīng)用及智能終端、科技創(chuàng)新成果展區(qū)。   5大看點(diǎn) 演繹光聯(lián)萬(wàn)物智引未來(lái) 本屆光博會(huì)以“光能+智能”為核心，重點(diǎn)展示光電科技“信息化、智能化”的新產(chǎn)品、新技術(shù)和新的解決方案;聚集國(guó)內(nèi)外知名專(zhuān)家學(xué)者、商業(yè)領(lǐng)袖進(jìn)行產(chǎn)業(yè)對(duì)接和行業(yè)交流，打造具有鮮明“智能”特色的國(guó)際光電盛會(huì)，助推光電子信息產(chǎn)業(yè)“智能”升級(jí)。 1. 七大國(guó)際頂級(jí)光電機(jī)構(gòu)協(xié)同招展，四大全球智能制造標(biāo)桿企業(yè)同場(chǎng)競(jìng)技。 2. 激光龍頭云集，升級(jí)重塑激光光學(xué)及自動(dòng)化等優(yōu)勢(shì)板塊。 3. 首次打造“從芯片到算法”的智能硬件與技術(shù)應(yīng)用板塊。 4. 聚焦超寬帶、移動(dòng)5G等新一代信息通信成果，全面描繪“從連接到智能”的智慧光通信藍(lán)圖。 5. 升級(jí)打造光顯示專(zhuān)展，全面新型的展品開(kāi)啟同類(lèi)展會(huì)先河。   7大頂級(jí)論壇 聚焦光電產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元 本屆大會(huì)緊扣世界光電產(chǎn)業(yè)和信息科技交叉融合，疊加發(fā)展的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，策劃7場(chǎng)高水準(zhǔn)論壇。將同期舉辦7場(chǎng)論壇，包括1場(chǎng)高峰論壇和6場(chǎng)主題論壇。 主論壇：2017“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子信息產(chǎn)業(yè)高峰論壇 專(zhuān)業(yè)論壇： 第十一屆中國(guó)光谷(武漢)國(guó)際激光峰會(huì) 2017第 五 屆 增 材 制 造 技 術(shù)(3D打印)國(guó)際論壇 2017"5G"時(shí)代的光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇 第三屆先進(jìn)電子制造高峰論壇 第三屆武漢國(guó)際光谷論壇暨光通信高峰論壇 第十五屆“中國(guó)光谷”知識(shí)產(chǎn)權(quán)國(guó)際論壇   3大同期活動(dòng) 大咖云集共話光電未來(lái) 1.2017世界光纖光纜大會(huì)(CRU) 2.第十屆國(guó)際光子與光電子學(xué)會(huì)議(POEM 2017) 3.光谷航天激光技術(shù)產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇 5場(chǎng)專(zhuān)場(chǎng)活動(dòng) 精彩紛呈獎(jiǎng)品多多 光博會(huì)期間將舉辦5場(chǎng)精彩的專(zhuān)場(chǎng)活動(dòng)，不僅能讓每一位觀眾觀展、逛展、參會(huì)、聽(tīng)論壇的同時(shí)，還能近距離了解激光安全生產(chǎn)的重大意義、體驗(yàn)光電產(chǎn)品新技術(shù)的科技魅力、認(rèn)識(shí)了解中國(guó)激光行業(yè)的技術(shù)人才，還能參與光電達(dá)人現(xiàn)場(chǎng)活動(dòng)，大疆無(wú)人機(jī)、行車(chē)記錄儀、掃地機(jī)器人等超過(guò)大獎(jiǎng)拿不停! 1 .重大項(xiàng)目簽約 2.光博會(huì)激光展示及使用安全倡導(dǎo)儀式 3.中國(guó)激光領(lǐng)軍百人評(píng)選及授獎(jiǎng)活動(dòng) 4.新產(chǎn)品新技術(shù)發(fā)布會(huì) 5.最新光電科技體驗(yàn)日等相關(guān)活動(dòng)   2017光博會(huì) 回歸光谷全新啟程 2017武漢光博會(huì)重回光谷，將在今年6月開(kāi)館的中國(guó)光谷科技會(huì)展中心開(kāi)展。 中國(guó)光谷科技會(huì)展中心，武漢三大地標(biāo)展館之一，位于光谷大道與高新六路交匯處。雄踞光谷中心城城市中心區(qū)，東接光谷生物城，西鄰東湖高新行政中心，南連富士康科技園及金融港。周邊著名企業(yè)有華為、中興、TCL、富士康、長(zhǎng)飛光纖、烽火科技等，在“光博會(huì)”更能讓你近距離走近光谷，走近中國(guó)光電子產(chǎn)業(yè)誕生基地，實(shí)地感受光谷光電子產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。   交通全覆蓋 直達(dá)場(chǎng)館觀展便捷 地點(diǎn)：中國(guó)光谷科技會(huì)展中心 具體地址：湖北省武漢市洪山區(qū)高新大道與光谷六路交匯處 2017年11月1日-3日，2017第十四屆“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇，與你相約中國(guó)光谷科技會(huì)展中心!光電盛宴，璀璨啟程!

    半導(dǎo)體 光博會(huì) 武漢

  • 世強(qiáng)&Silicon Labs “2017 Wireless Workshop”圓滿舉行 領(lǐng)跑無(wú)線技術(shù)

    近日，由世強(qiáng)& Silicon Labs聯(lián)合主辦的“2017 Wireless Workshop”在深圳圓滿落幕，這是繼杭州、上海、北京專(zhuān)場(chǎng)后，世強(qiáng)與Silicon Labs又一次聯(lián)合，與數(shù)百位工程師共同探討目前新的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。   本次Wireless Workshop，圍繞高靈敏度收發(fā)器、自組網(wǎng)ZIGBEE 、最新藍(lán)牙5 MESH網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)解決方案、超遠(yuǎn)距離/認(rèn)證齊全的WIFI/藍(lán)牙/ZIGBEE模塊等議題展開(kāi)。 世強(qiáng)的技術(shù)專(zhuān)家們表示，物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新應(yīng)用推陳出新，對(duì)自組網(wǎng)、鄰近感知、P2P傳輸、支持IPv6等方面提出需求，推動(dòng)了無(wú)線技術(shù)發(fā)展。新的無(wú)線技術(shù)使物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的形式更加多樣化，從工業(yè)應(yīng)用、智能家居，到零售應(yīng)用等，這些都將對(duì)企業(yè)和普通大眾的日常生活起到積極的推動(dòng)作用。 以藍(lán)牙為例，藍(lán)牙5比藍(lán)牙4.2快2倍的傳輸速度、4倍的傳輸距離以及8倍的廣播數(shù)據(jù)傳輸量，將在更廣的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、輕松的互聯(lián)設(shè)備互動(dòng)，進(jìn)而增強(qiáng)智能家居、樓宇自動(dòng)化、可穿戴設(shè)備或是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的IoT應(yīng)用程序，進(jìn)一步提升物聯(lián)網(wǎng)體驗(yàn)。 而近期藍(lán)牙聯(lián)盟發(fā)布的全新網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)——藍(lán)牙MESH，不僅具備可靠性、可拓展性及互通性，還提供工業(yè)級(jí)的安全，可防范所有已知的攻擊，非常適合創(chuàng)建大型節(jié)點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)、建筑和智能家居自動(dòng)化、財(cái)產(chǎn)追蹤和傳感器網(wǎng)絡(luò)。例如，通過(guò)建筑和智能家居，設(shè)備可以直接相互通信，所以開(kāi)關(guān)電燈將不再涉及通過(guò)路由器或網(wǎng)關(guān)的通信。 同時(shí)，在場(chǎng)世強(qiáng)& Silicon Labs的技術(shù)專(zhuān)家還提到，在遠(yuǎn)距離WIFI助力物聯(lián)互通方面，可為企業(yè)提供具備低功耗IoT特性，預(yù)認(rèn)證模塊可快速上市的完整軟件解決方案，支持OTA升級(jí)，有Simplicity Studio綜合開(kāi)發(fā)工具;在多協(xié)議全面無(wú)線智能物聯(lián)解決方案方面，可為企業(yè)提供目前市場(chǎng)上部署最廣、最成熟可靠和可拓展性最大的Silicon Labs網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)，并提供配套的開(kāi)發(fā)工具，可用于快速開(kāi)發(fā)可認(rèn)證的ZIGBEE產(chǎn)品應(yīng)用，幫助企業(yè)創(chuàng)新。 在研討會(huì)中，世強(qiáng)& Silicon Labs還特別增加了小組開(kāi)發(fā)板操作環(huán)節(jié)，像專(zhuān)有協(xié)議RAIL和Connect的Workshop體驗(yàn)、ZIGBEE開(kāi)發(fā)套件-EFR32MG DEMO操作演示和通過(guò)操作EFR32BG開(kāi)發(fā)套件，體驗(yàn)藍(lán)牙5的特性等，讓在場(chǎng)的工程師通過(guò)實(shí)操，進(jìn)一步增加與技術(shù)專(zhuān)家的互動(dòng)交流。 會(huì)后，有工程師表示，參加世強(qiáng)& Silicon Labs “2017 Wireless Workshop”不僅了解了更多先進(jìn)的技術(shù)，對(duì)整個(gè)大環(huán)境有新的了解和思考，還通過(guò)與技術(shù)專(zhuān)家的交流解答了之前對(duì)于藍(lán)牙定位實(shí)現(xiàn)技術(shù)細(xì)節(jié)的疑問(wèn)。想了解更多現(xiàn)場(chǎng)的技術(shù)干貨資料，可登陸世強(qiáng)元件電商，搜索活動(dòng)回顧專(zhuān)題，未來(lái)也可在線報(bào)名更多線上活動(dòng)，直擊業(yè)界新元件新技術(shù)。 世強(qiáng)相關(guān)負(fù)責(zé)人則表示：“世強(qiáng)成立24年來(lái)，一直致力于為企業(yè)提供創(chuàng)新服務(wù)，助力企業(yè)提升創(chuàng)新競(jìng)爭(zhēng)力，聯(lián)合線下豐富的研討會(huì)和世強(qiáng)元件電商平臺(tái)，持續(xù)不斷地為工程師輸送最新的器件信息和前沿的技術(shù)方案，包含工業(yè)、通信、智能物聯(lián)、消費(fèi)、汽車(chē)、測(cè)試測(cè)量等重要領(lǐng)域。我們希望，通過(guò)線上線下相結(jié)合的方式，幫企業(yè)了解最新的行業(yè)動(dòng)態(tài)、快速完成研發(fā)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)企業(yè)創(chuàng)新。也希望世強(qiáng)能通過(guò)這一系列的努力，最終能為中國(guó)企業(yè)的全面創(chuàng)新和物聯(lián)網(wǎng)的進(jìn)程獻(xiàn)上自己的一份力量。”

    半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng) Silicon labs 世強(qiáng)

  • 艾邁斯半導(dǎo)體推出具有PSI5接口的新型 汽車(chē)級(jí)磁位置傳感器

    全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司今天宣布推出具備雙線PSI5接口的AS5172A/B磁位置傳感器，可實(shí)現(xiàn)精確旋轉(zhuǎn)位置測(cè)量數(shù)據(jù)的快速及安全傳輸。 新的AS5172A和AS5172B系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)是360度非接觸式的旋轉(zhuǎn)磁位置傳感器，能夠提供14位高分辨率的絕對(duì)角度測(cè)量。根據(jù)汽車(chē)安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262，這兩款傳感器被開(kāi)發(fā)為SEooC設(shè)備，并以廣泛的片上自診斷系統(tǒng)為特色。這使AS5172A/B成為對(duì)安全性有較高要求的汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇，幫助汽車(chē)系統(tǒng)滿足最高級(jí)別的ASIL安全要求。 此外，AS5172A / B組件中的PSI5接口符合PSI5最新標(biāo)準(zhǔn)1.3和2.1的規(guī)定。 經(jīng)AEC-Q100認(rèn)證，AS5172A/B能夠支持許多汽車(chē)遠(yuǎn)程位置傳感應(yīng)用，包括剎車(chē)和油門(mén)踏板位置感應(yīng)、節(jié)流閥和節(jié)氣門(mén)、轉(zhuǎn)向角傳感器、底盤(pán)懸掛高度傳感器、廢氣再循環(huán)(EGR)閥和油位測(cè)量系統(tǒng)。 借助霍爾傳感技術(shù)，AS5172A/B能夠在圓周內(nèi)正交分布的傳感器陣列來(lái)測(cè)量磁通量密度，并補(bǔ)償消除外部雜散磁場(chǎng)的影響，提供一個(gè)穩(wěn)健的14位(0.022° 精度)傳感器陣列和模擬前端為中心的穩(wěn)健結(jié)構(gòu)補(bǔ)償外部的雜散磁場(chǎng)。AS5172A/B也能夠通過(guò)編程以支持低至0-10°的全運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)角范圍，為應(yīng)用提供最佳分辨率。 高靈敏度的霍爾傳感器前端還能使用小型且低成本的磁鐵，并支持10-90mT的寬磁場(chǎng)輸入范圍。只需一個(gè)圍繞封裝中心旋轉(zhuǎn)的簡(jiǎn)單兩極磁鐵就能幾乎同步地提供磁鐵絕對(duì)角度位置的信息。磁鐵可被置于設(shè)備上方或下方。 AS5172A/B可在4V 至16.5V的寬電壓范圍內(nèi)運(yùn)作，并支持高達(dá)+20V的過(guò)壓保護(hù)。此外，電源引腳在高達(dá)-18V的反極情況下仍能受到保護(hù)。AS5172A/B也可以借助器件上的VDD引腳通過(guò)單線UART連接PSI5接口實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易編程，減少應(yīng)用編程連接器的引腳數(shù)量。 艾邁斯半導(dǎo)體位置傳感器市場(chǎng)總監(jiān)Thomas Mueller表示：“汽車(chē)客戶不斷對(duì)接口和安全標(biāo)準(zhǔn)提出更高要求，AS5172A/B磁角度位置傳感器的推出體現(xiàn)了艾邁斯半導(dǎo)體為滿足客戶需求所付出的不懈努力。具備PSI5接口和穩(wěn)健嵌入式自診斷功能的AS5172A/B將成為幫助OEM廠商在遠(yuǎn)程角位置傳感應(yīng)用中達(dá)到最高ASIL安全等級(jí)的最佳解決方案。” AS5172采用兩種封裝，TSSOP14封裝(AS5172B)和SIP封裝(AS5172A)。SIP封裝(系統(tǒng)封裝)集成了AS5172傳感器晶圓與去耦電容器以提升ESD和EMC性能，免除對(duì)PCB的需要，幫助減少整體系統(tǒng)成本。AS5172A能夠在-40°C 至125°C溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，AS5172B則能在-40°C 到 150°C范圍內(nèi)運(yùn)行。

    半導(dǎo)體 艾邁斯半導(dǎo)體 psi5接口 磁位置傳感器

  • 在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

    摘要 本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。 前言 市場(chǎng)對(duì)開(kāi)關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導(dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅技術(shù)制程的碳化硅(SiC)是最有前景的技術(shù)。碳化硅材料的電氣特性使其適用于研制高擊穿電壓器件，但是，遠(yuǎn)高于普通硅器件的制造成本限制了其在中低壓器件中的推廣應(yīng)用。在600V電壓范圍內(nèi)，硅器件的性能非常好，性價(jià)比高于碳化硅器件。不過(guò)，應(yīng)用要求芯片有更高的性能，而硅器件已經(jīng)達(dá)到了極限。最近幾年，人們更加關(guān)注環(huán)境、能效和污染問(wèn)題，導(dǎo)致電氣能效標(biāo)準(zhǔn)趨嚴(yán)，這不只限于大功率應(yīng)用，還包括低負(fù)載應(yīng)用?，F(xiàn)在，開(kāi)關(guān)頻率可以更高，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗可以降至更低，本文介紹的650V碳化硅晶體管特別適合這種應(yīng)用場(chǎng)景。 第一章 表1是4H SiC碳化硅器件與硅器件的特性比較表。如表1所示，碳化硅的寬帶隙使電力電子器件具有很多優(yōu)異特性。 表1. 碳化硅與硅材料特性比較 更高的關(guān)鍵應(yīng)用準(zhǔn)許使用摻雜程度更高的超薄裸片，使其損耗比其它芯片低很多。碳化硅熱導(dǎo)率比硅器件高出很多，因此，功率損耗散熱導(dǎo)致的溫降在整個(gè)器件上都比較低。因?yàn)樘蓟璧娜埸c(diǎn)溫度更高，可以工作在400 °C范圍內(nèi)，這些特性讓人們更加看好碳化硅器件在開(kāi)關(guān)速度、損耗、Rdson導(dǎo)通電阻、擊穿電壓方面的性能表現(xiàn)。事實(shí)上，擊穿電壓高于1200V的碳化硅器件深受市場(chǎng)歡迎。是否選擇超高擊穿電壓的碳化硅器件，不僅要考慮電氣特性，還要考慮碳化硅的制造成本高于硅器件。對(duì)于600V電壓以下碳化硅產(chǎn)品，以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圓片，而且生產(chǎn)設(shè)備非常昂貴，因此，碳化硅器件的性價(jià)比不如硅器件。今天，4吋和6吋碳化硅晶圓片非常常見(jiàn)，市場(chǎng)對(duì)碳化硅器件需求增長(zhǎng)可以讓廠商降低制造成本。600V SiC MOSFET開(kāi)始出現(xiàn)在市場(chǎng)上，具有令人感興趣的特性，適用于各種應(yīng)用領(lǐng)域。 新器件: 650V SiC MOSFET 如前文介紹，硅功率MOSFET器件的性能正在接近極限。意法半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出一個(gè)60兆歐姆 /650 SiC MOSFET產(chǎn)品原型，克服了600V功率MOSFET的性能極限。為證明這款650V SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)，我們將其與當(dāng)前最先進(jìn)的超結(jié)功率MOSFET對(duì)比。表 2 列出了這兩種對(duì)比器件的電氣參數(shù)。為了使測(cè)試條件具有可比性，我們選擇兩款150°C時(shí)RDSon參數(shù)相似的硅器件和碳化硅器件。 表2. 不難發(fā)現(xiàn)，Rdson參數(shù)對(duì)應(yīng)的熱導(dǎo)系數(shù)不同。如圖1所示，碳化硅器件的Rdson基本上與溫度無(wú)關(guān)，最高結(jié)溫高于同級(jí)的硅器件，這準(zhǔn)許工作溫度更高，而不會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗增加。開(kāi)關(guān)損耗也是如此，見(jiàn)圖2。 兩個(gè)器件的另一個(gè)重差別是驅(qū)動(dòng)這兩個(gè)器件完全導(dǎo)通需要不同的柵電壓，硅MOSFET是10V，碳化硅MOSFET是20V。 案例研究: 升壓轉(zhuǎn)換器 我們?cè)谝粋€(gè)標(biāo)準(zhǔn)升壓轉(zhuǎn)換器(圖3)內(nèi)對(duì)比分析650V SiC MOSFET與先進(jìn)的硅器件，為了解650V SiC MOSFET的特性，我們用100 Khz和200KHz開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行對(duì)比。 測(cè)試條件如下: VIN=160V，VOUT=400V，POUTmax=1600W，占空比=60%，升壓二極管 = 碳化硅STPSC2006。柵驅(qū)動(dòng)條件: · 硅MOSFET: VGS=0/10V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω · 碳化硅MOSFET: VGS=0/20V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω 為降低外部因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，我們選用了封裝(TO247)相同的硅MOSFET和碳化硅MOSFET，安裝相同的空氣冷卻式散熱器，記錄并比較在各種負(fù)載條件下的能效。如圖4(a)和(b)所示，在fsw=200KHz時(shí),碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)特性優(yōu)于硅器件(100 Khz開(kāi)關(guān)頻率也是如此)，從圖5 (a)和(b)的能效和熱曲線不難看出，碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)特性明顯優(yōu)于硅器件。 在100 Khz和200 KHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，兩個(gè)測(cè)試顯示，碳化硅MOSFET能效更高，封裝溫度更低。從圖中不難看出，當(dāng)高頻率開(kāi)關(guān)時(shí)，碳化硅的優(yōu)勢(shì)比較突出。 結(jié)論 新650V碳化硅MOSFET是面向高能效系統(tǒng)的最新產(chǎn)品。在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，這款產(chǎn)品能夠提高能效，采用新的熱管理方法，提高了功率/立方厘米比。對(duì)于其固有參數(shù)，這款產(chǎn)品將能夠用于軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，這是將來(lái)的研發(fā)目標(biāo)。

    半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體 MOSFET 650v sic 直流升壓轉(zhuǎn)換器

  • 中國(guó)研發(fā)投入額全球第二僅次于美國(guó) 重回10%以上增速

    近日消息，三部委共同發(fā)布的《2016年全國(guó)科技經(jīng)費(fèi)投入統(tǒng)計(jì)公報(bào)》顯示，2016年我國(guó)研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入總量為15676.7億元，比上年增長(zhǎng)10.6%，增速比上年提高了1.7個(gè)百分點(diǎn)。 這是自2012年以來(lái)研發(fā)經(jīng)費(fèi)增速持續(xù)4年下滑后的首次回升，也是研發(fā)經(jīng)費(fèi)在經(jīng)歷了2014年、2015年連續(xù)兩年個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)后重新回到10%以上的增長(zhǎng)速度。 研發(fā)投入強(qiáng)度接近發(fā)達(dá)國(guó)家水平 引導(dǎo)全社會(huì)加大對(duì)研發(fā)的投入，是落實(shí)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的重要基礎(chǔ)，也是2020年我國(guó)進(jìn)入創(chuàng)新型國(guó)家行列的關(guān)鍵因素。 近年來(lái)，我國(guó)研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入持續(xù)增長(zhǎng)，總量保持在世界第二位，與位列首位的美國(guó)的差距正逐步縮小。 2016年，從投入強(qiáng)度(研發(fā)經(jīng)費(fèi)與國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值之比)來(lái)看，為2.11%，比上年提高0.05個(gè)百分點(diǎn);按研究與試驗(yàn)發(fā)展(R&D)人員(全時(shí)工作量)計(jì)算的人均經(jīng)費(fèi)為40.4萬(wàn)元，比上年增加2.7萬(wàn)元。 國(guó)家統(tǒng)計(jì)局社科文司高級(jí)統(tǒng)計(jì)師關(guān)曉靜表示，2.11%的研發(fā)投入強(qiáng)度雖然與OECD國(guó)家2.40%的平均水平還有距離，但已經(jīng)超過(guò)歐盟15國(guó)2.08%的平均水平。近年來(lái)我國(guó)研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入強(qiáng)度一直呈穩(wěn)定上升趨勢(shì)，與發(fā)達(dá)國(guó)家的差距逐年縮小。 關(guān)曉靜稱(chēng)，我國(guó)研發(fā)投入再創(chuàng)歷史新高得益于政府引導(dǎo)和政策環(huán)境的不斷優(yōu)化。2016年，國(guó)家財(cái)政科技支出達(dá)7760.7億元，比上年增長(zhǎng)10.8%，增速為近4年來(lái)的最高水平。 同時(shí)，一系列鼓勵(lì)全社會(huì)研發(fā)投入的政策取得良好效果，以企業(yè)研發(fā)費(fèi)用稅前加計(jì)扣除政策為例，2016年享受該項(xiàng)政策的規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)比上年增長(zhǎng)20%，這些企業(yè)減免的所得稅比上年增長(zhǎng)8.9%。2016年，全國(guó)開(kāi)展研發(fā)活動(dòng)的規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)比上年增長(zhǎng)18.1%，投入的研發(fā)經(jīng)費(fèi)比上年增長(zhǎng)9.3%，增速分別比上年提高2.6個(gè)和1.1個(gè)百分點(diǎn)。 基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)占比達(dá)到10年來(lái)最好水平 公報(bào)數(shù)據(jù)還顯示，基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)占比繼續(xù)回升。 基礎(chǔ)研究是一個(gè)國(guó)家科研最重要的基礎(chǔ)之一，發(fā)達(dá)國(guó)家均把增強(qiáng)基礎(chǔ)研究作為提升本國(guó)科技實(shí)力的重要力量。 2016年我國(guó)基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)為822.9億元，比上年增長(zhǎng)14.9%，明顯高于應(yīng)用研究經(jīng)費(fèi)(5.4%)和試驗(yàn)發(fā)展經(jīng)費(fèi)(11.1%)的增速。基礎(chǔ)研究占比延續(xù)了上年回升態(tài)勢(shì)，達(dá)到5.2%，為近10年來(lái)的最高水平。 從科研主體來(lái)說(shuō)，企業(yè)對(duì)中國(guó)科研的拉動(dòng)作用進(jìn)一步增強(qiáng)，企業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)占全社會(huì)研發(fā)經(jīng)費(fèi)的比重保持在八成以上。 隨著“雙創(chuàng)”的深入開(kāi)展，進(jìn)一步激發(fā)了企業(yè)開(kāi)展研發(fā)活動(dòng)的積極性。2016年中國(guó)各類(lèi)企業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)支出12144億元，比上年增長(zhǎng)11.6%，較上年提高3.4個(gè)百分點(diǎn);企業(yè)對(duì)全社會(huì)研發(fā)經(jīng)費(fèi)增長(zhǎng)的貢獻(xiàn)為83.8%，比上年提升12.7個(gè)百分點(diǎn)，企業(yè)對(duì)全社會(huì)研發(fā)經(jīng)費(fèi)增長(zhǎng)的拉動(dòng)作用進(jìn)一步增強(qiáng)。 在規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)中，研究與試驗(yàn)發(fā)展(R&D)經(jīng)費(fèi)投入超過(guò)500億元的行業(yè)大類(lèi)有7個(gè)，這7個(gè)行業(yè)的經(jīng)費(fèi)占全部規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)研究與試驗(yàn)發(fā)展(R&D)經(jīng)費(fèi)的比重為60.2%;研究與試驗(yàn)發(fā)展(R&D)經(jīng)費(fèi)投入在100億元以上且投入強(qiáng)度超過(guò)規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)平均水平的行業(yè)大類(lèi)有9個(gè)。 廣東居首、六省市研發(fā)經(jīng)費(fèi)超千億 分地區(qū)看，研究與試驗(yàn)發(fā)展(R&D)經(jīng)費(fèi)投入超過(guò)千億元的省(市)有6個(gè)。 他們分別是廣東(占13%)、江蘇(占12.9%)、山東(占10%)、北京(占9.5%)、浙江(占7.2%)和上海(占6.7%)。 另外，研究與試驗(yàn)發(fā)展經(jīng)費(fèi)投入強(qiáng)度超過(guò)全國(guó)平均水平的省(市)有8個(gè)，分別為北京、上海、天津、江蘇、廣東、浙江、山東和陜西。 關(guān)曉靜說(shuō)，研發(fā)投入強(qiáng)度看，我國(guó)與以色列(4.25%)、韓國(guó)(4.23%)、日本(3.49%)等創(chuàng)新型國(guó)家相比還有很大差距。從經(jīng)費(fèi)投入結(jié)構(gòu)看，我國(guó)基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)雖然實(shí)現(xiàn)兩年連增，但仍處于較低水平，與發(fā)達(dá)國(guó)家15-25%的占比水平相比也有很大差距。 關(guān)曉靜表示，未來(lái)幾年，政府部門(mén)要進(jìn)一步加大財(cái)政科技投入，充分發(fā)揮政府資金對(duì)全社會(huì)研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入的引導(dǎo)和拉動(dòng)作用;也要進(jìn)一步完善創(chuàng)新政策體系建設(shè)并推動(dòng)研發(fā)加計(jì)扣除等政策的有效落實(shí)，進(jìn)一步激發(fā)市場(chǎng)主體開(kāi)展研發(fā)活動(dòng)的積極性;還要積極引導(dǎo)地方政府和企業(yè)加大對(duì)基礎(chǔ)研究的投入，加強(qiáng)對(duì)前瞻性科學(xué)研究和原始創(chuàng)新能力的建設(shè);同時(shí)要通過(guò)科研項(xiàng)目管理體制改革，提升研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入的針對(duì)性和有效性，提高研發(fā)資金的使用效率。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 集成電路

  • 高通向歐盟做出讓步 380億美元收購(gòu)NXP有望獲批

    近日消息，歐盟委員會(huì)表示針對(duì)380億美元收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體公司(NXP Semiconductors)交易，高通公司已經(jīng)做出讓步。 高通去年10月宣布，將以380億美元收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體公司。這將是全球半導(dǎo)體市場(chǎng)最大一筆并購(gòu)交易。今年6月9日，歐盟對(duì)這筆交易展開(kāi)全面調(diào)查，主要擔(dān)心該交易將導(dǎo)致芯片價(jià)格上漲，削弱半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新能力。 當(dāng)天，據(jù)歐盟委員會(huì)在官方網(wǎng)站上稱(chēng)，高通已于10月5日提交了建議書(shū)，對(duì)收購(gòu)條款作出了讓步，但并未透露詳細(xì)的信息。 在審查這筆交易期間，由于高通未能及時(shí)提供所需信息，歐盟曾分別于6月和8月兩次中斷審查。因此，原定于10月17日公布審查結(jié)果的計(jì)劃也被推后。 分析人士稱(chēng)，該交易完成后，高通將成為快速發(fā)展的汽車(chē)芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。今年4月，美國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)已無(wú)條件批準(zhǔn)了這筆交易。之前就有分析人士稱(chēng)，要想獲得歐盟的批準(zhǔn)，高通可能要做出一些讓步。 未來(lái)數(shù)日，預(yù)計(jì)歐盟將針對(duì)高通的建議尋求競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手和公眾的評(píng)估。 2015年12月，歐盟還向高通發(fā)出了“異議聲明”，指控高通利用其在手機(jī)芯片市場(chǎng)的主導(dǎo)地位打壓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。  

    半導(dǎo)體 汽車(chē)電子 恩智浦

  • 富士通淡出半導(dǎo)體事業(yè)!8寸晶圓廠賣(mài)安森美

     近日消息，富士通宣布，旗下子公司富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)所屬的8寸晶圓工廠“會(huì)津富士通半導(dǎo)體制造公司”將賣(mài)給美國(guó)安森美半導(dǎo)體(On Semiconductor)。 富士通半導(dǎo)體已和安森美達(dá)成共識(shí)，安森美計(jì)劃在2018年4月1日追加取得上述8寸晶圓廠30%股權(quán)、將持股比重從現(xiàn)行的10%提高至40%，且之后也計(jì)劃進(jìn)一步提高持股比重，目標(biāo)在2018年后半提高至60%、2020年前半提高至100%。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，富士通正加快淡出半導(dǎo)體等非核心事業(yè)、將公司資源集中至IT服務(wù)事業(yè)。據(jù)報(bào)導(dǎo)，安森美預(yù)估將出資約20億日?qǐng)A追加取得上述8寸晶圓廠30%股權(quán)，且該8寸晶圓廠收編在安森美旗下之后也計(jì)劃擴(kuò)增產(chǎn)能。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 富士通 晶圓

  • 51億元!高通在臺(tái)灣被判不公平競(jìng)爭(zhēng)被重罰

    10月11日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，因被認(rèn)定不公平競(jìng)爭(zhēng)，高通遭臺(tái)灣地區(qū)公平交易委員會(huì)罰款234億元新臺(tái)幣(約合人民幣50.96億元)，創(chuàng)下臺(tái)灣地區(qū)公平交易委員會(huì)有史以來(lái)最高裁罰紀(jì)錄。 據(jù)了解，中國(guó)臺(tái)灣公平交易委員會(huì)認(rèn)為，高通在CDMA、WCDMA及LTE等移動(dòng)通訊標(biāo)準(zhǔn)基頻芯片市場(chǎng)具有獨(dú)占地位，但卻不向其他芯片廠商進(jìn)行專(zhuān)利授權(quán)、采取不簽專(zhuān)利授權(quán)就不提供芯片等手段進(jìn)行壟斷行為。 中國(guó)臺(tái)灣公平交易委員會(huì)認(rèn)定，高通的經(jīng)營(yíng)模式損害了基頻芯片的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，直接或者間接阻礙了其他公司的競(jìng)爭(zhēng)行為，屬于不公平競(jìng)爭(zhēng)。 按照中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)相關(guān)規(guī)定，對(duì)高通處以234億元新臺(tái)幣罰款。 2015年2月中國(guó)內(nèi)地對(duì)高通處以60.88億元罰款，國(guó)家發(fā)改委認(rèn)定高通濫用市場(chǎng)支配地位實(shí)施排除、限制競(jìng)爭(zhēng)，高通此前持續(xù)申訴，但在最后一刻放棄了聽(tīng)證申辯，與政府部門(mén)達(dá)成和解。 2016年12月韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)（KFTC），對(duì)高通展開(kāi)反壟斷調(diào)查，認(rèn)為高通在韓國(guó)市場(chǎng)利和銷(xiāo)售智能手機(jī)芯片時(shí)妨礙市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，高通在韓國(guó)濫用其市場(chǎng)主導(dǎo)地位，在銷(xiāo)售芯片時(shí)強(qiáng)迫手機(jī)制造商為一些不必要的專(zhuān)利支付費(fèi)用，決定決定對(duì)高通處以1.03萬(wàn)億韓元(約9.12億美元)的罰款，創(chuàng)下韓國(guó)反壟斷史的最高罰金記錄。

    半導(dǎo)體 反壟斷

  • 阿里云大數(shù)據(jù)學(xué)院落戶青島 欲5年培養(yǎng)五千名云計(jì)算等人才

     記者從青島西海岸新區(qū)獲悉，“山東科技大學(xué)・阿里云大數(shù)據(jù)學(xué)院”簽約儀式11日在阿里巴巴云棲大會(huì)上舉行。該學(xué)院由青島西海岸新區(qū)、山東科技大學(xué)、阿里巴巴集團(tuán)阿里云計(jì)算有限公司、青島青軟實(shí)訓(xùn)教育科技股份有限公司四方合作共建，是中國(guó)北方第一所由政府推動(dòng)扶持的阿里云大數(shù)據(jù)學(xué)院，將在5年內(nèi)培養(yǎng)5000名云計(jì)算、大數(shù)據(jù)云安全和人工智能方面的高端專(zhuān)業(yè)人才。 據(jù)悉，山東科技大學(xué)・阿里云大數(shù)據(jù)學(xué)院將引入阿里云ACF基礎(chǔ)認(rèn)證和ACP專(zhuān)業(yè)認(rèn)證，形成包含留學(xué)生、研究生、本科生多層次的大數(shù)據(jù)專(zhuān)業(yè)人才培養(yǎng)體系，達(dá)到國(guó)內(nèi)一流辦學(xué)水平，并計(jì)劃三年內(nèi)打造立足青島、面向全國(guó)、放眼全球的新型示范性大數(shù)據(jù)學(xué)院。 阿里巴巴集團(tuán)是國(guó)際頂尖的互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)，更是國(guó)內(nèi)大數(shù)據(jù)發(fā)展的領(lǐng)導(dǎo)者，在大數(shù)據(jù)人才培養(yǎng)方面具有豐富的資源和經(jīng)驗(yàn)，其主導(dǎo)的云棲大會(huì)聚焦創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、大數(shù)據(jù)、大平臺(tái)，全方位展示云計(jì)算最新應(yīng)用和實(shí)踐成果，成為引領(lǐng)云計(jì)算行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展風(fēng)向標(biāo)。山東科技大學(xué)擁有國(guó)家級(jí)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化基地，在數(shù)據(jù)挖掘、數(shù)據(jù)分析和處理等專(zhuān)業(yè)具有較強(qiáng)的學(xué)科優(yōu)勢(shì)。青軟實(shí)訓(xùn)是中國(guó)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IT職業(yè)教育和企業(yè)人力資源服務(wù)機(jī)構(gòu)。 青島西海岸新區(qū)擁有良好的大數(shù)據(jù)發(fā)展環(huán)境，截至2016年底，新區(qū)已集聚大數(shù)據(jù)相關(guān)企業(yè)2000多家，寬帶端口總數(shù)超過(guò)130萬(wàn)個(gè)，通信光纜線路總長(zhǎng)度超過(guò)3萬(wàn)公里，地區(qū)骨干網(wǎng)帶寬最大值170G，互聯(lián)網(wǎng)用戶數(shù)44.5萬(wàn)戶，基本實(shí)現(xiàn)4G網(wǎng)絡(luò)無(wú)縫覆蓋。海洋大數(shù)據(jù)、工業(yè)大數(shù)據(jù)、軍民融合大數(shù)據(jù)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用發(fā)展迅速，部分行業(yè)及民生領(lǐng)域的大數(shù)據(jù)應(yīng)用走在全國(guó)前列。

    半導(dǎo)體 云計(jì)算 阿里云 大數(shù)據(jù)學(xué)院

  • 貿(mào)澤電子與Basler 簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議 開(kāi)售Basler嵌入式視覺(jué)相機(jī)模塊

    最新半導(dǎo)體和電子元件的全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)宣布與全球領(lǐng)先的高品質(zhì)數(shù)碼相機(jī)和鏡頭制造商Basler簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議。Basler的嵌入式視覺(jué)產(chǎn)品結(jié)合了最新的芯片和軟件開(kāi)發(fā)技術(shù)以及工業(yè)機(jī)器視覺(jué)技術(shù)，可組成高成本效益的板級(jí)相機(jī)系統(tǒng)，適用于工廠自動(dòng)化、物流、機(jī)器人和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)。 貿(mào)澤電子現(xiàn)在供應(yīng)的Basler產(chǎn)品線采用該公司的 dart系列相機(jī)模塊和用于輕松評(píng)估與開(kāi)發(fā)的嵌入式視覺(jué)套件。Basler dart相機(jī)系列主要用于滿足各種各樣視覺(jué)應(yīng)用的需求。體積小巧的單板相機(jī)系列具有Basler的PGI功能集。PGI 提供強(qiáng)大的內(nèi)部成像優(yōu)化技術(shù)，可以在不增加CPU負(fù)荷的情況下全速優(yōu)化圖像。PGI 的獨(dú)特之處就在于它將5x5去拜耳化、彩色抗鋸齒、去噪和改善的銳化功能集于一身。dart相機(jī)模塊采用Basler基于LVDS的BCON接口或 USB3 Vision標(biāo)準(zhǔn)接口，可以輕松集成、方便插拔，并可以穩(wěn)定地傳輸數(shù)據(jù)。 貿(mào)澤同時(shí)還供應(yīng)Basler易于使用的嵌入式視覺(jué)套件，使開(kāi)發(fā)人員能夠直接集成或評(píng)估相機(jī)。dart USB評(píng)估套件包含一個(gè)dart USB相機(jī)模塊，而dart BCON for LVDS開(kāi)發(fā)套件包含一個(gè)dart BCON相機(jī)模塊和一個(gè)處理板。dart BCON模塊具有基于LVDS 的BCON接口，而處理板基于Xilinx Zynq片上系統(tǒng)(SoC)。這兩個(gè)套件均配有鏡頭、電纜和 pylon相機(jī)軟件套裝。此外，具有dart相機(jī)模塊的開(kāi)發(fā)套件還可以通過(guò)合作伙伴AAEON和Critical Link 的產(chǎn)品，與Intel® Programmable Solutions Group(以前稱(chēng)為 Altera®)FPGA搭配使用。

    半導(dǎo)體 貿(mào)澤電子 視覺(jué)相機(jī)模塊

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