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  • 關(guān)于氮化鎵實(shí)際使用的熱管理方面討論

    所以，我想說這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或?yàn)楦吖β手谱鞣浅５偷?RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設(shè)計(jì)，它可以擴(kuò)展到低電壓，但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上認(rèn)為我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了最初目標(biāo)的方式。

  • 使用更高功率來進(jìn)行射頻抗擾度測試

    如今,無論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場，各個(gè)電子、電氣設(shè)備在同一空間中同時(shí)工作時(shí)，總會(huì)在它周圍產(chǎn)生一定強(qiáng)度的電磁場，比如電視發(fā)射臺(tái)、固定或移動(dòng)式無線電發(fā)射臺(tái)以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場。

  • 新的 SMU 可優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng)和半導(dǎo)體的電池壽命

    羅德與施瓦茨宣布進(jìn)入源測量單元 (SMU) 市場，推出兩款新儀器，用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用和半導(dǎo)體元件測試的電池壽命測試。

  • 對(duì)話恩智浦：有關(guān)電動(dòng)汽車的電氣化和電池管理

    汽車電氣化正在興起，隨著世界各國政府試圖實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，它可能會(huì)繼續(xù)增長。本文摘錄了與恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼高級(jí)模擬業(yè)務(wù)線總經(jīng)理 Jens Hinrichsen 就汽車電氣化的各個(gè)方面的對(duì)話——從技術(shù)方面，包括電池管理，到增長的挑戰(zhàn)，包括解決范圍焦慮等因素，這是一種常見的消費(fèi)者猶豫。

  • 我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?

    我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價(jià)值呢?我們期望在哪里看到下一波增長?

  • 火災(zāi)的發(fā)生，讓我們重新思考高效的電氣化（1）

    穴居人發(fā)現(xiàn)了火，而人類通過發(fā)明來進(jìn)化這一發(fā)現(xiàn)，為我們照亮道路、烹飪食物并讓我們保持溫暖。但現(xiàn)在，我們都同意我們需要改變我們對(duì)能源的看法：它是如何產(chǎn)生、使用的，如何提高效率。近幾十年來，許多進(jìn)步包括來自可再生能源的清潔能源、以前依賴燃燒燃料的事物的電氣化以及對(duì)能源效率的關(guān)注。隨著我們向萬物電氣化邁進(jìn)，人類與火的這種親密關(guān)系將會(huì)消失，因?yàn)槲磥砣祟悓⒖床坏矫骰稹＿@是一個(gè)相當(dāng)大的偏離!當(dāng)前這一代工程師將不再需要火。

  • 火災(zāi)的發(fā)生，讓我們重新思考高效的電氣化（2）

    我們會(huì)在不久的將來看到鎵的高壓應(yīng)用嗎?或者我們可以在哪里做一些事情，比如通過氮化鎵芯片運(yùn)行列車級(jí)電壓?

  • GaN 半橋集成加速電力電子革命

    功率半導(dǎo)體的第二次革命五年后，基于氮化鎵 (GaN)的移動(dòng)快速充電器主宰了旗艦智能手機(jī)和筆記本電腦型號(hào)，從傳統(tǒng)功率硅芯片中搶占了市場份額。這種下一代“寬帶隙”技術(shù)正在逐步進(jìn)入主流移動(dòng)應(yīng)用程序，同時(shí)從該灘頭市場突圍，進(jìn)入更高功率的消費(fèi)者、太陽能、數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車。一個(gè)新的電源平臺(tái)——集成的、功能豐富的、高效的 GaNSense?“半橋”——是高功率、高速應(yīng)用的基本組成部分，其中 GaN 不僅提供更小、更快速的充電和降低系統(tǒng)成本的應(yīng)用，而且還可以節(jié)省大約 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。

  • 使用寬帶隙半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車供電，第一部分

    車輛電氣化是減少道路交通溫室氣體排放計(jì)劃的關(guān)鍵部分。與傳統(tǒng)的硅替代品相比，寬帶隙半導(dǎo)體具有多種優(yōu)勢，因此可以改進(jìn)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車。在這個(gè)與 FTEX 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Alexandre Cosneau 的討論中，我們將發(fā)現(xiàn)電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成技術(shù)和 GaN 的優(yōu)勢。Cosneau 正在尋找優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換的方法，從電池設(shè)計(jì)到電機(jī)效率，這對(duì) FTEX 技術(shù)和解決方案至關(guān)重要。

  • 設(shè)計(jì)節(jié)能螺線管驅(qū)動(dòng)器：設(shè)計(jì)理念

    螺線管是機(jī)電致動(dòng)器，具有稱為柱塞的自由移動(dòng)磁芯。通常，螺線管由螺旋形線圈和鐵制成的動(dòng)鐵芯組成。 當(dāng)電流通過螺線管線圈時(shí)，它會(huì)在其內(nèi)部產(chǎn)生磁場。該磁場產(chǎn)生拉入柱塞的力。當(dāng)磁場產(chǎn)生足夠的力來拉動(dòng)柱塞時(shí)，它會(huì)在螺線管內(nèi)移動(dòng)，直到達(dá)到機(jī)械停止位置。當(dāng)柱塞已經(jīng)在螺線管內(nèi)時(shí)，磁場會(huì)產(chǎn)生力將柱塞固定到位。當(dāng)電流從螺線管線圈中移除時(shí)，柱塞將在螺線管中安裝的彈簧推動(dòng)下返回其原始位置。

  • 集成IC簡化了移動(dòng)平臺(tái)中的電源管理

    移動(dòng)電話和平板電腦等便攜式設(shè)備需要電源管理技術(shù)來滿足日益具有挑戰(zhàn)性的性能要求。消費(fèi)者正在以新的方式使用智能手機(jī)：他們希望顯示高清 GPS 視頻和地圖;進(jìn)行雙向視頻通話;玩更吸引人的游戲;和流音樂。此類應(yīng)用的片上系統(tǒng) (SoC) 項(xiàng)目還必須符合嚴(yán)格的散熱目標(biāo)，同時(shí)滿足長電池壽命要求。

  • 使用耗盡型 MOSFET作為啟動(dòng)電源設(shè)計(jì)介紹

    金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成，用于放大或切換電路內(nèi)的電壓，也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的 IC。此外，也用于放大器和濾波器等模擬電路。MOSFET的設(shè)計(jì)主要是為了克服FET的缺點(diǎn)，例如高漏極電阻、中等輸入阻抗和運(yùn)行緩慢。MOSFET有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。本文主要介紹耗盡型MOSFET，以及它的使用場景。

  • 更輕松地調(diào)整高功率 CPU 電源中的負(fù)載瞬態(tài)

    在大功率 CPU 的電源應(yīng)用中，我們?nèi)绾谓鉀Q負(fù)載瞬態(tài)調(diào)整的耗時(shí)問題 在 DC-DC 電壓轉(zhuǎn)換器中，最具挑戰(zhàn)性的電源軌之一是 CPU。CPU 的電流瞬變具有非常高的電流階躍和高轉(zhuǎn)換率。CPU 電源軌還需要總和高達(dá)數(shù) mF(通常約為 4mF)的輸出電容器，這增加了解決方案的尺寸和成本。

  • 電源瞬態(tài)緩沖器支持 IC 和電路測試

    沒有一些專門設(shè)備的情況下，測試和測量 IC 或電路在電源瞬態(tài)方面的性能是一項(xiàng)棘手的任務(wù)。輸入電壓源不僅需要以受控方式改變，而且還必須能夠提供足夠的電流來調(diào)節(jié)輸入電容并為被測電路供電。

  • 電壓調(diào)節(jié)器的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)測試，第三部分

    該穩(wěn)壓器在其輸入 (C IN ) 和輸出 (C OUT )處使用電容器來增強(qiáng)其高頻響應(yīng)。您應(yīng)該仔細(xì)考慮電容器的電介質(zhì)、值和位置，因?yàn)樗鼈儠?huì)極大地影響穩(wěn)壓器特性。C OUT主導(dǎo)調(diào)節(jié)器的動(dòng)態(tài)響應(yīng);C IN的重要性要小得多，只要它不低于穩(wěn)壓器的壓降點(diǎn)即可。

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