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  • 電源瞬態(tài)緩沖器支持 IC 和電路測試

    沒有一些專門設備的情況下，測試和測量 IC 或電路在電源瞬態(tài)方面的性能是一項棘手的任務。輸入電壓源不僅需要以受控方式改變，而且還必須能夠提供足夠的電流來調節(jié)輸入電容并為被測電路供電。

  • 電壓調節(jié)器的負載瞬態(tài)響應測試，第三部分

    該穩(wěn)壓器在其輸入 (C IN ) 和輸出 (C OUT )處使用電容器來增強其高頻響應。您應該仔細考慮電容器的電介質、值和位置，因為它們會極大地影響穩(wěn)壓器特性。C OUT主導調節(jié)器的動態(tài)響應;C IN的重要性要小得多，只要它不低于穩(wěn)壓器的壓降點即可。

  • 電壓調節(jié)器的負載瞬態(tài)響應測試，第二部分

    圖 8中的電路大大簡化了先前電路的環(huán)路動態(tài)，并消除了所有交流微調。主要的權衡是速度減半。該電路類似于圖 6中的電路，不同之處在于 Q 1是雙極晶體管。雙極型大大降低的輸入電容允許 A 1驅動更良性的負載。這種方法允許您使用具有較低輸出電流的放大器，并消除了適應圖 6的 FET 柵極電容所需的動態(tài)調整。唯一的調整是 1-mV 調整，您按照描述完成。

  • 電壓調節(jié)器的負載瞬態(tài)響應測試，第一部分

    半導體存儲器、讀卡器、微處理器、磁盤驅動器、壓電設備和數字系統(tǒng)會產生電壓調節(jié)器必須服務的瞬態(tài)負載。理想情況下，穩(wěn)壓器輸出在負載瞬態(tài)期間是不變的。然而，在實踐中，會發(fā)生一些變化，如果系統(tǒng)超出其允許的工作電壓容差，這種變化就會成為問題。這個問題要求測試穩(wěn)壓器及其相關的支持組件，以驗證在瞬態(tài)負載條件下所需的性能。您可以使用各種方法來生成瞬態(tài)負載并允許觀察調節(jié)器響應。

  • 低靜態(tài)電流 PMIC 有助于延長電池壽命

    當今電子設計中最關鍵的挑戰(zhàn)之一是降低能耗。電源管理是許多設備的重要設計考慮因素，尤其是那些依賴電池運行的設備。因此，大多數系統(tǒng)使用各種電源管理操作模式。

    線性電源
    2022-10-12
    電源 PMIC

  • 超低靜態(tài)電流電源芯片提供更長的電池壽命

    當今電子設計中最關鍵的挑戰(zhàn)之一是降低能耗。電源管理是許多設備的重要設計考慮因素，尤其是那些依賴電池運行的設備。因此，大多數系統(tǒng)使用各種電源管理操作模式。

  • CMOS耗盡模式技術具有許多優(yōu)勢，第二部分

    眾所周知，當 V GS 在增強模式下為正時，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時的漏電流 I DSS量。增強型 MOSFET 在柵極未通電時不應泄漏任何電流，因此當 V GS = 0V 時 I DSS必須 為 0，但當 V GS = 0V 時允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導通道 。

  • CMOS耗盡模式技術具有許多優(yōu)勢，第一部分

    傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷，因此不適合數字開關。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只有三個端子當柵極控制電壓在電源和地之間變化時，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。

  • 氮化鎵技術討論，第二部分

    目前有幾個 GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設計的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念，遠不止兩個，但不知何故，我們可以談論極端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強模式GaN。由于我的第一家公司，級聯 GaN 實際上是第一個誕生的。當功率 GaN 研究的先驅 International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級聯的 GaN 解決方案時，我就在那里。

  • 氮化鎵技術討論，第一部分

    氮化鎵提高了功率轉換級的效率。GaN 很有吸引力，因為它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術，這些技術將推動下一步的改進。

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第四部分

    目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來，重點將放在開發(fā)用于擴大碳化硅器件應用的技術上。有分析認為，未來未來，碳化硅解決方案將占據電力電子市場的很大一部分，很大一部分，可以說是電動汽車。那么，我們如何看待它和降低成本的技術對于實現這些市場滲透尤為重要。那么，高價格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來為下一個市場未來降低價格?

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第二部分

    如我們所知，目前增長最快的碳化硅產品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產商最近發(fā)布的新聞稿強調了一些為電動汽車提供模塊的長期合同。

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第一部分

    在多個能源行業(yè)中，碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多個能源行業(yè)擴展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動汽車和新能源等領域的重要性，許多公司正在評估和投資晶圓技術。在華威大學 SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中，我們將探討 SiC 的成本和技術。

  • 了解傳導產生的EMI電磁干擾問題

    電磁干擾是我們生活的一部分。許多人認為電子產品的普及是一件好事，因為它們提高了我們的舒適度、安全性和健康度。這些產品還帶來了潛在的電子有害 EMI 信號。EMI 信號可以來自各種來源，包括我們周圍常見的電子設備，以及車輛和重型設備。在汽車設計中，其中一些 EMI 發(fā)生器與車輛的敏感電子電路位于同一個機柜中。這種接近會影響音響設備、自動門控制和其他設備。

  • GaN 助力轉向 800V 牽引逆變器

    在過去的幾年里，我們道路上的電動汽車 (EV) 的數量顯著增加，給設計人員帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)，例如最大限度地提高 EV 效率、優(yōu)化充電基礎設施和縮短充電時間。

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