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窄帶語(yǔ)音通信系統(tǒng)的研究與設(shè)計(jì)
引言 當(dāng)今時(shí)代是個(gè)信息飛速膨脹的時(shí)代，為了滿足用戶不斷增長(zhǎng)的信息量需求，各種數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、信息平臺(tái)都在進(jìn)行不斷的擴(kuò)容建設(shè)。然而。頻帶資源終歸是有限的，無(wú)論是有線通信還是無(wú)線通信，頻帶資源正變得越來(lái)越寶
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基于AT89S52的溫濕度檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
引言 溫度、濕度是工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的主要環(huán)境參數(shù)．對(duì)其進(jìn)行適時(shí)準(zhǔn)確的測(cè)量具有重要意義。利用單片機(jī)對(duì)溫、濕度控制。具有控溫、濕精度高、功能強(qiáng)、體積小、價(jià)格低，簡(jiǎn)單靈活等優(yōu)點(diǎn)，很好的滿足了工藝要求。本文介紹
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基于56F8O13 DSP的FIR濾波器設(shè)計(jì)
0 引言 數(shù)字濾波器是一種用來(lái)過(guò)濾時(shí)間離散信號(hào)的數(shù)字系統(tǒng)，通過(guò)對(duì)抽樣數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)學(xué)處理來(lái)達(dá)到頻域。濾波的目的。根據(jù)其單位沖激響應(yīng)函數(shù)的時(shí)域特性可分為兩類：無(wú)限沖激響應(yīng)(IIR)濾波器和有限沖激響應(yīng)(FIR)濾波
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基于56F8O13 DSP的FIR濾波器設(shè)計(jì)
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飽和電感及其在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
介紹了飽和電感的分類及其基本物理特性，總結(jié)了可飽和電感在尖峰抑制器、磁放大器、移相全橋ZVS-PWM變換器、諧振變換器和逆變電源中的應(yīng)用。
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補(bǔ)償及測(cè)量高功率 LED 驅(qū)動(dòng)器的控制回路
數(shù)學(xué)模型一直都有助于判定特定設(shè)計(jì)的最佳補(bǔ)償組件，然而，補(bǔ)償 WLED 電流調(diào)節(jié)升壓轉(zhuǎn)換器的情況，則與補(bǔ)償被設(shè)定為調(diào)節(jié)電壓的相同轉(zhuǎn)換器略微不同。以傳統(tǒng)的方法測(cè)量控制回路相當(dāng)不便，因?yàn)榛仞?(FB) 引腳的阻抗不高
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補(bǔ)償及測(cè)量高功率 LED 驅(qū)動(dòng)器的控制回路
數(shù)學(xué)模型一直都有助于判定特定設(shè)計(jì)的最佳補(bǔ)償組件，然而，補(bǔ)償 WLED 電流調(diào)節(jié)升壓轉(zhuǎn)換器的情況，則與補(bǔ)償被設(shè)定為調(diào)節(jié)電壓的相同轉(zhuǎn)換器略微不同。以傳統(tǒng)的方法測(cè)量控制回路相當(dāng)不便，因?yàn)榛仞?(FB) 引腳的阻抗不高
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DC/DC功率變換器軟開(kāi)關(guān)技術(shù)及Pspice仿真
本文介紹了軟開(kāi)關(guān)變換相對(duì)于傳統(tǒng)電路中的硬開(kāi)關(guān)變換的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)幾種典型的軟開(kāi)關(guān)進(jìn)行了敘述和比較，并給出了其中兩個(gè)有代表性變換電路的Pspice仿真結(jié)果，最后提出了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢(shì)。
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DC/DC功率變換器軟開(kāi)關(guān)技術(shù)及Pspice仿真
本文介紹了軟開(kāi)關(guān)變換相對(duì)于傳統(tǒng)電路中的硬開(kāi)關(guān)變換的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)幾種典型的軟開(kāi)關(guān)進(jìn)行了敘述和比較，并給出了其中兩個(gè)有代表性變換電路的Pspice仿真結(jié)果，最后提出了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢(shì)。
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通信用正激式DC/DC模塊電源設(shè)計(jì)
通信用DC/DC模塊電源功率級(jí)一般從幾瓦至幾十瓦，輸出電壓從幾伏至上百伏，對(duì)于幾十瓦的電源，一般以低壓大電流為主，有5V/10A、 5V/6A、3.3V/8A等規(guī)格，效率一般在80％左右（具體視輸出電壓大?。?。因?yàn)槟K電源要求MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）1000000小時(shí)以上，所以要盡量避免使用電解電容，最好使用陶瓷電容。陶瓷電容容量不大，具有非常好的高頻特性。此外，DC/DC模塊電源的厚度要求小于12.7mm，所以對(duì)變壓器的要求高，磁芯必須具有扁平的形狀和在高頻情況下具有較小的損耗因子。
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通信用正激式DC/DC模塊電源設(shè)計(jì)
通信用DC/DC模塊電源功率級(jí)一般從幾瓦至幾十瓦，輸出電壓從幾伏至上百伏，對(duì)于幾十瓦的電源，一般以低壓大電流為主，有5V/10A、 5V/6A、3.3V/8A等規(guī)格，效率一般在80％左右（具體視輸出電壓大?。Ｒ?yàn)槟K電源要求MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）1000000小時(shí)以上，所以要盡量避免使用電解電容，最好使用陶瓷電容。陶瓷電容容量不大，具有非常好的高頻特性。此外，DC/DC模塊電源的厚度要求小于12.7mm，所以對(duì)變壓器的要求高，磁芯必須具有扁平的形狀和在高頻情況下具有較小的損耗因子。
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基于Proteus的ARM虛擬開(kāi)發(fā)
1 引言 現(xiàn)在，人們生活中的每個(gè)角落都有嵌入式設(shè)備的存在，比如數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)電話、TV機(jī)頂盒及掌上電腦等等。這些嵌入式設(shè)備多采用32位RISC嵌入式處理器作為核心部件。 其中基于ARM核的嵌入式處理器獨(dú)占
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DisplayPort 在電視中的應(yīng)用
DisplayPort是視頻電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)（Video Electronic Standards Association-VESA）新的接口標(biāo)準(zhǔn)，簡(jiǎn)化了顯示設(shè)計(jì)及其相關(guān)的連接。它還以強(qiáng)大的電氣特性支持更高的分辨率。雖然從目前的應(yīng)用來(lái)看，DisplayPort接口主要應(yīng)
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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