對于主板設計師來說，要設計處理器電壓調節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。

在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從450A／μs增加到1200A／μs。這給電路設計帶來了許多熱性能和電氣性能方而的挑戰(zhàn)。

處理器功耗的增加自然也刺激了那些專注為客戶提供增值服務的半導體廠商，推動他們開發(fā)各種創(chuàng)新的解決方案。VRM使用的功率MOSFET必須有盡可能低的導通電阻(Rds(on))、盡可能小的電感以及盡可能少的柵極電荷(Qg)；這可從如下的功耗方程看出：

當工作頻率增加到1MHz或者更高時，這些電氣參數(shù)尤其重要。當然，功率MOSFET必須具有很好的熱性能。隨著MOSFET硅片技術的進步，封裝技術逐漸成為性能提升的主要障礙。具體講，人們發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)的引線鍵合封裝(如DPAK和SO-8)使用的細線會使部件的寄生電阻顯著增加。在極端情況下，封裝增加的寄生電阻大小會與硅片本身的相當。為此，MOSFET廠商開發(fā)出各種改良的封裝，如飛兆半導體的PowerBGA(見圖1)。這種封裝完全不用引線鍵合技術，而是利用錫球和布有凸起的引線框，直接將硅片粘貼在印刷線路板(PWB)上。由于PowerBGA的銅帽有一小塊散熱片并利用空氣對流，結點到環(huán)境的熱阻較DPAK封裝降低50％以上，這是因為PowerBGA為強制對流冷卻提供了非常高效的散熱途徑。

VRM設計師喜歡相對較小的5mm×6mm SO-8封裝。但由于這種封裝是針對低功耗芯片設計的，因此不具備DPAK的熱性能。量產(chǎn)的MOSFET多是SO-8大小的部件，并帶有可焊接到PWB上的散熱片。這類組件在全球的使用會越來越多，這些封裝的熱性能通常接近DPAK，而且在采用某些互連技術時，其寄生電阻和電感還可能更小，同時，PWB面積也減小一半。這也是許多電子設計師喜歡采用這種封裝的原因。這是一個值得注意的進步；因為，典型的4相VRM 10產(chǎn)品具有一個高壓側MOSFET和兩個低壓側MOSFET，總計12個。隨著主板功能越來越多(如納入音視頻、無線網(wǎng)絡等功能)，可供VRM設計師使用的PWB空間越來越少，封裝尺寸就成為設計師考慮的一個非常重要的因素。

雖然，出于成本或第二供貨源考慮，許多設計最初都堅持采用傳統(tǒng)的IPAK和DPAK封裝，但為了滿足高功率要求，這些新型的封裝技術已經(jīng)越來越多地成為必要的選擇。現(xiàn)在已有許多5mm×6mm模塑引腳封裝的供應商，這就解決了第二供貨源的問題。

為了應對未來的需求，出現(xiàn)了雙面封裝技術，可讓主板設計師對高性能應用的MOSFET進行散熱處理，迫使MOSFET廠商成為總體解決方案的供應商。過去，臺式電腦在處理器及北橋芯片和南橋芯片上使用散熱片。雖然這在先前的主板設計中不常見(主要是成本原因)，但對MOSFET進行散熱已越來越常見。高級主板市場已經(jīng)開始出現(xiàn)將北橋芯片和南橋芯片上的導熱管連接到VRM的MOSFET散熱片上的散熱組件(見圖2)。

在這些散熱處理方案中，有些直接將散熱片貼在DPAK的頂部。這種方案的效果非常差，因為塑料模件的熱導率一般只有1 W／m-K，而銅在典型消費電子溫度環(huán)境下的熱導率接近400W／m-K。我們相信封裝技術會響應這一發(fā)展趨勢，而且MOSFET廠商在改進傳統(tǒng)封裝技術的同時，將會提供品種及功能更多(如雙面冷卻功能)的封裝產(chǎn)品。

隨著MOSFET越來越多地集成到主板的熱系統(tǒng)中，主板設計師和MOSFET廠商必須更密切地合作。新的封裝產(chǎn)品(可能是專有的或設有工業(yè)標準的)為PWB設計師開辟出新的設計天地，同時也要求MOSFET廠商協(xié)助客戶使用新的產(chǎn)品，以確?？蛻舫浞职l(fā)揮封裝的性能。設計師挑選的MOSFET廠商必須了解針對應用的系統(tǒng)層面，清楚MOSFET周圍組件的各種相關效應，了解組件上一塊散熱片能產(chǎn)生哪些效果和性能提升，了解表面貼裝工藝及其在應用中的可靠性。

PWB面積的減小，以及節(jié)省成本的呼聲越來越高，使得VRM設計師轉而使用更高的開關頻率。增加同步降壓轉換器的開關速度可允許使用更小的電感和電容。小電感和小電容的成本低，并且PWB占位面積更小。當然，天下沒有免費的午餐。提高開關頻率會因開關損耗增加而降低轉換器的效率。MOSFET、控制器和驅動電路的需求均有所改變，需要提供這些組件的廠家提出新的解決方案。

英特爾已推出DrMOS技術規(guī)范，作為建立整體(即集成同步降壓轉換器的高壓側MOSFET、低壓側MOSFET及驅動器)封裝解決方案標準的一種手段，該標準包括實現(xiàn)各種DrMOS兼容模塊和控制器間互用性的各種電氣和物理標準。

DrMOS方案采用8 mm×8mm和6mm×6mm四方扁平無引腳(QFN)封裝。將MOSFET和驅動器封裝在一起，使得供應商能夠利用其對器件和封裝技術的經(jīng)驗來匹配MOSFET和驅動器，消除PWB的一些外部影響，如走線寬度和長度。由于MOSFET廠商能指定使用何種控制器，從而針對驅動器和封裝來優(yōu)化MOSFET，提供效率比分立元件更高的組件。而效率高意味著在相同電流下產(chǎn)生的熱量更少，有助于設計師解決散熱問題。隨著開關頻率高達1MHz的應用越來越普遍，消除板上的走線及離散信號路徑引起的寄生效應，就顯得愈加重要。將分立元件的信號路徑(即從驅動器封裝中出來，經(jīng)過一個焊點，在板上走一段距離，再通過另一個焊點進入MOSFET封裝件)縮減為兩塊硅片間單一的一組線鍵合有很多好處。同步降壓轉換器設計師之所以將這種封裝技術作為解決其設計難題的方案來研究，就是因為驅動器和MOSFET之間只有一個封裝電阻需要考慮。

雖然處理器設計師已經(jīng)大大提升了處理器效率，但這種提升并未降低處理器的功耗。為了應對這一挑戰(zhàn)，人們一直對MOSFET封裝技術進行創(chuàng)新改進。隨著以英特爾DrMOS規(guī)范為首的多芯片封裝技術越來越普及，封裝技術涉及的困難將會越來越多，廠商必須與最終客戶協(xié)同配合，創(chuàng)造出整體解決方案。