21ic訊 LSI 公司發(fā)布其最新LSI®SandForce®閃存控制器的創(chuàng)新技術， 并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進行了演示。

LSI®SandForce®閃存控制器的新技術包括LSI SHIELD™技術。這是一種高級的糾錯方法，即便同時使用出錯率較高的廉價閃存存儲器也能實現(xiàn)企業(yè)級的SSD耐久度和數(shù)據(jù)完整性。SHIELD是低密度奇偶校驗(LDPC)代碼與數(shù)字信號處理(DSP)的一種獨特實現(xiàn)，其將用于新一代SandForce閃存控制器。該技術完美融合硬判決、軟判決和DSP，可提供面向閃存存儲器的最優(yōu)化綜合糾錯碼(ECC)解決方案。

LSI SHIELD技術與現(xiàn)有的LDPC實現(xiàn)方式相比具有多種優(yōu)勢，并集合了如下特性：

自適應編碼速率：在SSD生命周期內(nèi)動態(tài)地平衡性能與可靠性;

智能處理瞬態(tài)噪聲：降低總體LDPC延遲，改善ECC效率;

多級ECC模式：適時地應用更高級別的ECC，實現(xiàn)延遲最小化，同時保持最佳閃存性能。

LSI副總裁兼閃存組件部總經(jīng)理Huibert Verhoeven表示：“雖然NAND閃存存儲器的價值得以提升，且不斷推動閃存存儲解決方案的普及率，但必須考慮的是，現(xiàn)今產(chǎn)品制造尺寸的縮小會帶來可靠性降低和使用壽命縮短等問題。LSI SHIELD技術能憑借專門針對SSD進行優(yōu)化的高級糾錯功能解決這些難題，并將最新NAND閃存存儲器轉化為更加穩(wěn)健的存儲解決方案。”

最新技術亮點：

SHIELD技術：演示過程中將根據(jù)閃存的各種原始比特差錯率(RBER)對三種技術進行比較，用以展示SHIELD技術與現(xiàn)有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)代碼相比在糾錯方面所具備的優(yōu)勢。

DuraWrite™Virtual Capacity(DVC)：是一種獨特的SandForce閃存控制器功能，可在底層閃存存儲器物理容量的基礎上擴大典型數(shù)據(jù)的可用存儲容量。通過增加相同物理閃存存儲器容量，DVC可幫助降低每GB的用戶存儲成本。LSI利用典型數(shù)據(jù)庫應用進行的內(nèi)部測試表明，DVC可將用戶數(shù)據(jù)的存儲容量提升三倍多。演示DVC功能的過程中展示了該技術的多種應用。

東芝先進19nm閃存：LSI SandForce SF-2000閃存控制器現(xiàn)已支持東芝第二代先進19nm NAND閃存存儲器(A19nm)，使SSD制造商能夠制造出成本更低的SSD產(chǎn)品。本演示將展示設置為二級驅動器的東芝A19nm閃存技術SSD，介紹典型文件傳輸操作。

客戶引言

Kingston公司的SSD業(yè)務經(jīng)理Ariel Perez表示：“Kingston已可為現(xiàn)有的工作負載信息量較輕的關鍵客戶提供最新的LSI SandForce DuraWrite Virtual Capacity技術，為此我感到格外興奮。通過與這些客戶的存儲工程師進行密切合作，我們確定了能顯著降低客戶每GB可用容量成本的具體實施方案。DVC將使更多的企業(yè)客戶放棄傳統(tǒng)的硬盤，轉而采用基于閃存存儲器的SSD產(chǎn)品，以便充分利用這種技術的多方面性能優(yōu)勢。”

東芝美國電子元件公司(TAEC)存儲器業(yè)務部高級副總裁Scott Nelson 表示：“我們與LSI公司密切合作，將東芝第二代先進19nm(A19nm)NAND產(chǎn)品成功用于固態(tài)驅動器，并進行首次公開演示。LSI SandForce閃存控制器的設計靈活性便于將我們的A19nm NAND 閃存技術實現(xiàn)有效集成，這無疑使該技術在固態(tài)存儲市場占據(jù)了重要地位。”

IT Brand Pulse是一家獨立的市場研究與驗證實驗室，LSI憑借SSD控制器芯片產(chǎn)品獲得了該機構評選的“創(chuàng)新領袖”獎。在由IT Brand Pulse開展的近期調(diào)查中，LSI SandForce閃存控制器被IT專業(yè)人士評選為2013年最具市場、價格、性能、可靠性、服務與支持以及創(chuàng)新優(yōu)勢的SSD控制器芯片產(chǎn)品。