4-Mbit非易失性靜態(tài)隨機存儲器（Cypress）
[導(dǎo)讀]賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Cypress）于近日推出了一款4-Mbit非易失性靜態(tài)隨機存儲器（nvSRAM）產(chǎn)品。
賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Cypress）于近日推出了一款4-Mbit非易失性靜態(tài)隨機存儲器（nvSRAM）產(chǎn)品。這款新器件產(chǎn)品的特色包括15 ns的快速存取時間、無限次讀取、寫入和調(diào)用循環(huán)、以及20年的數(shù)據(jù)保留期，十分適用于那些要求連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全性的應(yīng)用，包括RAID應(yīng)用、嚴苛的環(huán)境下的工業(yè)控制設(shè)備以及汽車、醫(yī)療和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)內(nèi)的數(shù)據(jù)記錄功能。
nvSRAM可作為快速非易失性存儲器的最佳替代產(chǎn)品。與需要備用電池的SRAM相比，nvSRAM能夠減少板卡占用空間并簡化設(shè)計，而且其經(jīng)濟性和可靠性都要優(yōu)于磁性存儲器（MRAM）或鐵電存儲器（FRAM）。這款新產(chǎn)品是賽普拉斯的nvSRAM系列中的最新產(chǎn)品，該系列還包括當前批量生產(chǎn)發(fā)運的256K和1Mbit nvSRAM型號的器件。預(yù)計，這一系列在2008年上半年還會再推出新產(chǎn)品。
這款新4-Mbit nvSRAM產(chǎn)品首次采用賽普拉斯S8™ 0.13微米SONOS（硅氮氧化物硅）嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造的產(chǎn)品，實現(xiàn)了更高的密度，縮短了存取時間并提高了性能。作為SONOS工藝技術(shù)的領(lǐng)先者，賽普拉斯將在下一代PSoC®混合信號陣列、OvationONS™激光導(dǎo)航傳感器、可編程時鐘和其它產(chǎn)品中應(yīng)用該項技術(shù)。SONOS對標準CMOS技術(shù)具有極高的兼容性，并具備了高耐用性、低功率和耐輻射性等眾多優(yōu)點。此外，與其它嵌入式非易失性存儲器技術(shù)相比，SONOS提供了更加穩(wěn)定、更容易制造以及性價比更高的解決方案。
4-Mbit nvSRAM供貨配置包括512-Kbit x 8（CY14B104L）或256-Kbit x 16（CY14B104N）。這些器件均符合ROHS標準并能夠直接取代SRAM、帶備用電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，在無需電池的情況下提供了可靠的非易失數(shù)據(jù)存儲能力。從SRAM向本器件非易失性單元的數(shù)據(jù)傳輸操作會在供電斷開時自動執(zhí)行。在供電恢復(fù)時，數(shù)據(jù)從非易失存儲器恢復(fù)至SRAM。這兩種操作功能也可以在軟件控制下實現(xiàn)。
賽普拉斯的4-Mbit nvSRAM目前正處于樣品階段，將于2008年第1季度投產(chǎn)。
nvSRAM可作為快速非易失性存儲器的最佳替代產(chǎn)品。與需要備用電池的SRAM相比，nvSRAM能夠減少板卡占用空間并簡化設(shè)計，而且其經(jīng)濟性和可靠性都要優(yōu)于磁性存儲器（MRAM）或鐵電存儲器（FRAM）。這款新產(chǎn)品是賽普拉斯的nvSRAM系列中的最新產(chǎn)品，該系列還包括當前批量生產(chǎn)發(fā)運的256K和1Mbit nvSRAM型號的器件。預(yù)計，這一系列在2008年上半年還會再推出新產(chǎn)品。
這款新4-Mbit nvSRAM產(chǎn)品首次采用賽普拉斯S8™ 0.13微米SONOS（硅氮氧化物硅）嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造的產(chǎn)品，實現(xiàn)了更高的密度，縮短了存取時間并提高了性能。作為SONOS工藝技術(shù)的領(lǐng)先者，賽普拉斯將在下一代PSoC®混合信號陣列、OvationONS™激光導(dǎo)航傳感器、可編程時鐘和其它產(chǎn)品中應(yīng)用該項技術(shù)。SONOS對標準CMOS技術(shù)具有極高的兼容性，并具備了高耐用性、低功率和耐輻射性等眾多優(yōu)點。此外，與其它嵌入式非易失性存儲器技術(shù)相比，SONOS提供了更加穩(wěn)定、更容易制造以及性價比更高的解決方案。
4-Mbit nvSRAM供貨配置包括512-Kbit x 8（CY14B104L）或256-Kbit x 16（CY14B104N）。這些器件均符合ROHS標準并能夠直接取代SRAM、帶備用電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，在無需電池的情況下提供了可靠的非易失數(shù)據(jù)存儲能力。從SRAM向本器件非易失性單元的數(shù)據(jù)傳輸操作會在供電斷開時自動執(zhí)行。在供電恢復(fù)時，數(shù)據(jù)從非易失存儲器恢復(fù)至SRAM。這兩種操作功能也可以在軟件控制下實現(xiàn)。
賽普拉斯的4-Mbit nvSRAM目前正處于樣品階段，將于2008年第1季度投產(chǎn)。
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