Atmel宣布了一個(gè)完整系列的高效能堆疊式閃存 (Flash) 和 PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory) 模塊產(chǎn)品。這些產(chǎn)品適用于要求功耗低和存儲(chǔ)器占地小的應(yīng)用。這種既能提高存儲(chǔ)容量又不會(huì)占用更多空間的創(chuàng)新方法的理想應(yīng)用領(lǐng)域包括手機(jī)和 PDA（個(gè)人數(shù)字助理）。這些領(lǐng)域的制造商將因?yàn)槟軌蛳蚩蛻籼峁└喙δ芏鵁o(wú)需犧牲設(shè)計(jì)和生產(chǎn)品質(zhì)而獲益匪淺。這些新型模塊分別將 16MB Flash 與 8MB PSRAM {AT52BC1661A(T)}、32MB Flash 與 8MB PSRAM {AT52BC3221A(T)}、64MB Flash 與 16MB PSRAM {AT52BC6402J(T)} 或 32MB PSRAM {AT52BC6403J(T)}，以及 128 MB Flash 與 32MB PSRAM {AT52 BC/SQ/SC 1283J} 或 64MB PSRAM {AT52 BC/SQ/SC 1284J} 相結(jié)合。

    這些模塊可用于 2.7V 和 1.8V 條件下，讀取時(shí)間 (Read Access Time) 短至70毫微秒 (ns)。64MB 和 128MB 模塊為閃存設(shè)備提供了頁(yè)面模式 (Page Mode)、突發(fā)模式 (Burst Mode) 和同步讀取 (Concurrent Read) 功能。頁(yè)面存取時(shí)間短至 25ns，突發(fā)傳輸速度快至 66MHz。其同步功能允許用戶在通過(guò)一個(gè)平面讀取數(shù)據(jù)的同時(shí)在另一面編寫(xiě)程序或清除操作。以密度為依據(jù)，平面數(shù)量從4至32個(gè)不等，以有助于設(shè)計(jì)者迎接挑戰(zhàn)。

    這些模塊采用67球 CBGA（陶瓷球柵陣列）和88球 CBGA 封裝。封裝尺寸為較小的 8mm x 10mm。這種標(biāo)準(zhǔn)尺寸帶來(lái)了更大的靈活性，可毫不費(fèi)力地從一種密度的堆疊式模塊轉(zhuǎn)換成另一種模塊。結(jié)合 8Mb PSRAM 與 16Mb Flash 的模塊以 10KU 為單位出售，起售價(jià)為3.95美元。