【導(dǎo)讀】NAND閃存將面臨更大降價壓力  
    分析師警告稱，IM Flash Technologies LLC興建一家新廠的舉動，可能延長NAND閃存市場面臨價格壓力的時間。英特爾和美光日前表示，它們已決定在新加坡興建其用于生產(chǎn)NAND閃存的第四家晶圓廠。 

    這兩家廠商的合資企業(yè)-IM Flash Technologies，打算興建和經(jīng)營一個NAND閃存晶圓廠，在2008年下半年投產(chǎn)。該廠初期將采用50mm工藝和300mm晶圓。預(yù)計該廠將在2007年上半年動工興建。 

    “英特爾和美光急需上述新加坡工廠的產(chǎn)能，但NAND閃存市場未必需要。”市場調(diào)研公司Gartner的分析師Joseph Unsworth表示?！俺司揞~投資以外，有大量產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)。這些投資將繼續(xù)在未來對價格構(gòu)成壓力。” 

    作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中增長最快的芯片領(lǐng)域之一，NAND閃存市場的增長速度可能正在放緩。市場調(diào)研公司Gartner日前把2006年NAND閃存銷售額預(yù)估“砍掉”了15億美元，并預(yù)測2007年形勢低迷。Gartner指價格環(huán)境疲軟，而且蘋果電腦公司的iPod新品推出勢頭乏力。