[導讀]東芝宣布基于與NEC Electronics共同開發(fā)的45納米工藝技術(shù)的40納米 CMOS平臺技術(shù)。新平臺用于生產(chǎn)系統(tǒng)芯片以滿足功率關(guān)鍵的移動應(yīng)用，它消耗的功率不足65納米級的大規(guī)模集成電路的一半。該公司還宣布，它預計將于2008
東芝宣布基于與NEC Electronics共同開發(fā)的45納米工藝技術(shù)的40納米 CMOS平臺技術(shù)。新平臺用于生產(chǎn)系統(tǒng)芯片以滿足功率關(guān)鍵的移動應(yīng)用，它消耗的功率不足65納米級的大規(guī)模集成電路的一半。該公司還宣布，它預計將于2008財年的第四季度部署該技術(shù)用于樣品生產(chǎn)，2009財年第二季度進行大規(guī)模生產(chǎn) 。這種新平臺是今天在加利福尼亞州舊金山舉行的國際電子設(shè)備會議（IEDM）上推出的。
高級移動應(yīng)用需要更小的芯片尺寸和更低的功耗。雖然工藝升級是滿足需求的一個解決方案，但是，縮短溝道長度往往造成漏電流。減少功耗和芯片尺寸均需要控制溝道雜質(zhì)濃度和細化布線設(shè)計。
通過使用閃光燈退火，優(yōu)化離子注入過程中的雜質(zhì)，并應(yīng)用含鉿絕緣體和DFM （可制造性設(shè)計）技術(shù)，東芝公司已開發(fā)出并應(yīng)用新的平臺技術(shù)實現(xiàn)新的激活序列。雙重閃光燈退火工藝提高了PMOS和NMOS性能。在注入過程中給鍺摻雜氮離子能盡量減少溝道區(qū)的雜質(zhì)濃度，這有助于提高晶體管的性能。含鉿絕緣體增加了閾值電壓，且使得溝道雜質(zhì)的濃度不會過高，從而改善了驅(qū)動電流。DFM技術(shù)的應(yīng)用極大地縮小了線路尺寸，同時減少了刻蝕缺陷。
東芝公司將進一步加強低功耗技術(shù)的開發(fā)，以滿足更先進的后代產(chǎn)品需求。
高級移動應(yīng)用需要更小的芯片尺寸和更低的功耗。雖然工藝升級是滿足需求的一個解決方案，但是，縮短溝道長度往往造成漏電流。減少功耗和芯片尺寸均需要控制溝道雜質(zhì)濃度和細化布線設(shè)計。
通過使用閃光燈退火，優(yōu)化離子注入過程中的雜質(zhì)，并應(yīng)用含鉿絕緣體和DFM （可制造性設(shè)計）技術(shù)，東芝公司已開發(fā)出并應(yīng)用新的平臺技術(shù)實現(xiàn)新的激活序列。雙重閃光燈退火工藝提高了PMOS和NMOS性能。在注入過程中給鍺摻雜氮離子能盡量減少溝道區(qū)的雜質(zhì)濃度，這有助于提高晶體管的性能。含鉿絕緣體增加了閾值電壓，且使得溝道雜質(zhì)的濃度不會過高，從而改善了驅(qū)動電流。DFM技術(shù)的應(yīng)用極大地縮小了線路尺寸，同時減少了刻蝕缺陷。
東芝公司將進一步加強低功耗技術(shù)的開發(fā)，以滿足更先進的后代產(chǎn)品需求。
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