為因應(yīng)NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣寒冬，以及進(jìn)入傳統(tǒng)淡季后價格進(jìn)一步重挫，日系大廠東芝(Toshiba)計劃在2009年第1季前，將制程技術(shù)全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)43納米，現(xiàn)有56納米制程將逐步退役，屆時東芝將是全球NAND Flash制造商成本結(jié)構(gòu)最低者，為2009年初即將來臨的淡季潮作準(zhǔn)備；反觀2大競爭對手三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)分別在51和48納米制程進(jìn)度不如預(yù)期，尤其是海力士進(jìn)度大幅落后，更將拉大彼此距離。

2008年NAND Flash價格一再重挫，完全沒有旺季效應(yīng)可言，之前跌勢集中在主流規(guī)格8Gb和16Gb芯片，雖然近期逐漸止跌，但現(xiàn)在各界幾乎已有共識，未來將輪到32Gb芯片價格作一番調(diào)整，跌勢可能會集中在高容量芯片。因此，為因應(yīng)傳統(tǒng)淡季來臨，NAND Flash大廠已開始作準(zhǔn)備，以度過漫長寒冬。

存儲器業(yè)者透露，東芝將全面性將制程技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)到43納米制程，目前已著手準(zhǔn)備，逐步停掉56納米制程產(chǎn)品，預(yù)計到2009年初，幾乎可將NAND Flash芯片全部替換成43納米制程，達(dá)成降低成本目標(biāo)。屆時東芝將是全球NAND Flash制程技術(shù)最領(lǐng)先者，也是成本最低者，雖然這樣成本下降動作，不一定會增加獲利，但至少可降低虧損幅度和機(jī)率，因為2009年初的傳統(tǒng)淡季，大家已有心理準(zhǔn)備會「超乎預(yù)期地淡」。

存儲器業(yè)者指出，海力士2008年在NAND Flash制程吃足苦頭，主要是48納米制程量產(chǎn)不順?biāo)?，原預(yù)期48納米制程2008年初即應(yīng)該量產(chǎn)，然卡在良率拉不上來因素，遲無法真正大幅量產(chǎn)，一直拖到現(xiàn)在，離東芝的速度仍有一大段距離，成本也不具競爭力。

值得注意的是，海力士48納米制程遞延，造成一整個制程世代落后，因此，海力士之前宣布要減產(chǎn)NAND Flash，是不得不的決定，因為在制程技術(shù)無法突破下，是多做多賠，不如將重心放在DRAM產(chǎn)品上放手一搏。

存儲器業(yè)者指出，現(xiàn)在NAND Flash大廠面對終端需求每況愈下，持續(xù)制程微縮以降低成本，已是不二法門，在需求下降、價格下滑及成本降低的追逐賽中，若成本下降速度能追上價格下降幅度，業(yè)者就能少虧一點。