2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出排行榜預(yù)測
[導(dǎo)讀]投資銀行Barclays Capital調(diào)高了對2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出金額的預(yù)測；該銀行分析師C.J. Muse表示：“我們看到廠商的共識是由持平朝增加5~10%接近。”“特別是，我們看到閃存廠商支出可望成長有36%
投資銀行Barclays Capital調(diào)高了對2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出金額的預(yù)測；該銀行分析師C.J. Muse表示：“我們看到廠商的共識是由持平朝增加5~10%接近。”
“特別是，我們看到閃存廠商支出可望成長有36%的年成長，達到98億美元；邏輯芯片廠商支出可望有4%以上的年成長，達到116億美元水平；晶圓代工廠商資本支出最高可望有4%的年成長，達到139億美元；DRAM廠商資本支出可望年成長12%，達到107億美元。”Muse指出。
至于誰會是2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界出手最闊綽的大戶？答案是韓國三星電子（Samsung Electronics），接下來二至十名廠商是臺積電（TSMC）、英特爾（Intel）、GlobalFoundries、Hynix、Micron/IM Flash、東芝（Toshiba）、聯(lián)電（UMC）、SanDisk與德州儀器（TI）。
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