據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星與海力士兩家DRAM芯片廠商都已表示將加快向20nm制造工藝的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移速度。

預(yù)計(jì)到2013年時(shí)，采用20nm工藝制造的DRAM芯片將會(huì)成為這倆家廠商的主要產(chǎn)品，同時(shí)市場(chǎng)中的30nm工藝DRAM芯片將逐漸退居二線。

另外，消息還稱未來三星和海力士會(huì)把業(yè)務(wù)重點(diǎn)從目前已經(jīng)供大于求的PC DRAM市場(chǎng)轉(zhuǎn)移至更具發(fā)展?jié)摿Φ囊苿?dòng)設(shè)備及服務(wù)器市場(chǎng)，并且將率先為后者推出容量為4GB的20nm工藝DRAM芯片產(chǎn)品。

與此同時(shí)，美光科技、南亞科技以及華亞科技也表示會(huì)在完成向30nm工藝過渡的同時(shí)，進(jìn)一步加大在移動(dòng)DRAM和服務(wù)器內(nèi)存芯片市場(chǎng)中的投入力度。

其中，臺(tái)灣華亞科技預(yù)計(jì)能夠在2013年中期完成向30nm工藝的過渡，屆時(shí)其將具有月產(chǎn)40000塊12英寸晶圓的能力。