2011年的 NAND閃存市場(chǎng)將會(huì)發(fā)生哪些情況？以下是投資銀行Barclays Capital分析師C.J. Muse所預(yù)測(cè)的該市場(chǎng)七大發(fā)展趨勢(shì)：

1. 2011將是 NAND 閃存年

Muse認(rèn)為，2011年將是屬于 NAND 的年份；明年3x奈米將是主流制程，2x納米也將揚(yáng)眉吐氣。不過(guò)該市場(chǎng)將呈現(xiàn)雙頭寡占的狀態(tài)，由三星(Samsung)與東芝(Toshiba)/Sandisk兩大廠商總計(jì)囊括近75%的生意(市占率分別為40%與33%)。2011年 NAND 廠商的資本支出規(guī)模也將首度超越 DRAM 廠商。

2. 蘋(píng)果效應(yīng)

平板裝置風(fēng)潮將帶來(lái)龐大的NAND需求量；半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者應(yīng)用材料(Applied Materials)曾預(yù)估，將需要一座月產(chǎn)能200 kwspm的初始晶圓廠，才能因應(yīng)預(yù)期中的需求。光是蘋(píng)果(Apple)本身，其明年需求量就可能是今年的兩倍，甚至還有可能達(dá)到三倍──因?yàn)樵撈放扑械腗acbook筆記型計(jì)算機(jī)現(xiàn)在都是采用固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。

3. 是領(lǐng)導(dǎo)者也是跟隨者的三星

NAND制造商正朝著2x奈米制程節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，而各家廠商不太相同，三星(Samsung)是27奈米，美光(Micron)是25納米，東芝是24納米，海力士(Hynix)則是26納米。其中三星無(wú)疑是產(chǎn)量與獲利之王，但卻不一定是NAND制程技術(shù)的領(lǐng)先者。

在多層單元(multi layer cell)制造技術(shù)上，三星的起步較晚，但現(xiàn)在該公司已經(jīng)同時(shí)具備3x納米與2x 納米技術(shù)能力；三星2011年將邁入27納米制程節(jié)點(diǎn)，將讓產(chǎn)品成本比3x納米制程降低35%。此外該公司也預(yù)期，到2010年底，3x納米制程將可微縮至80%以下。

4. 要感謝東芝…

由于先前的東芝廠停電問(wèn)題， NAND閃存明年第一季的價(jià)格可望上揚(yáng)，也許幅度不是很大，但至少有助于該市場(chǎng)在2011年1~2的維持價(jià)格穩(wěn)定；該停電事件大約讓生產(chǎn)在線20%的產(chǎn)品受到影響。

5. 東芝平板裝置效應(yīng)？

東芝目前正積極量產(chǎn)32/24納米制程，也發(fā)表了自有品牌的平板裝置；該公司是在2010年8月開(kāi)始量產(chǎn)24奈米制程，其7月份開(kāi)始興建的新晶圓廠Y5將在明年春天就緒。不過(guò)該廠并不像英特爾(Intel)的18吋晶圓廠D1X，不支持EUV微影設(shè)備。

6. 海力士再起

海力士一直以來(lái)都遭遇棘手的良率問(wèn)題，包括在6x納米與4x納米制程節(jié)點(diǎn)，但該公司最近的良率已經(jīng)大幅改善，在3x納米與2x納米領(lǐng)域甚至?xí)x身領(lǐng)導(dǎo)級(jí)廠商；其逆境求生的本能與優(yōu)良的管理策略令人驚艷。

目前海力士正在進(jìn)行3x納米制程的轉(zhuǎn)換，接下來(lái)很快就會(huì)邁進(jìn)2x納米制程，時(shí)程約在2011年中；該公司2010年的產(chǎn)能可望增加30kwspm，2011年估計(jì)將再成長(zhǎng)3萬(wàn)片，不過(guò)得看他們是否能在衰弱的財(cái)務(wù)狀況中，拿出額外的資本支出。

7. 美光力爭(zhēng)上游(不包括英特爾)

最近美光公布 2011年資本支出規(guī)模約在24~29億美元之間，其中有三分之二是花在IM Flash新加坡(IMFS)的量產(chǎn)；該公司計(jì)劃在2011年底將IMFS的產(chǎn)能再提升六成，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能。

美光與英特爾在IMFS的持股本來(lái)各半，前者最近將持股比例提升到71%；IMFS采用的是2位MLC架構(gòu)，應(yīng)該優(yōu)于東芝與三星所開(kāi)發(fā)的3位MLC。美光預(yù)期在2011年完成轉(zhuǎn)換至25奈米制程。