Schiltron與Entrepix合作利用CMP達(dá)成3-D閃存制造新架構(gòu)

時間：2009-06-05 08:54:34

關(guān)鍵字： PI Flash 柵極 MONOLITHIC

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[導(dǎo)讀]3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及代工服務(wù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴(kuò)大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flas

3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及代工服務(wù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴(kuò)大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最關(guān)鍵工藝的步驟是化學(xué)機(jī)械設(shè)備（CMP）的達(dá)成。該公司的聯(lián)合開發(fā)的努力已制造迄今為止最小的矽基薄膜電晶體(Silicon-base thin-film transistors) 。

晶體管結(jié)構(gòu)和低溫度預(yù)算工藝步驟(low thermal budget process sequence)的變革促使單片(monolithic）3-D Flash預(yù)計將逐漸在大容量存儲用途取代傳統(tǒng)的NAND Flash Memory如MP3播放器，數(shù)位攝影和固態(tài)硬碟。 Schiltron的制造方式，其中實現(xiàn)CMP關(guān)鍵工藝，產(chǎn)生了柵極長度48納米， 45納米柵極寬度和厚度35納米渠道，已知最小的矽基薄膜電晶體。

Schiltron的創(chuàng)始人兼主席Andrew J. Walker說：“可擴(kuò)展性的NAND Flash時代即將

結(jié)束。單片（monolithic）3-D方式將接管并滿足這個價值數(shù)十億美元的市場。我們在Schiltron會利用現(xiàn)有的材料和基礎(chǔ)設(shè)施，并配合Entrepix一站式的代工服務(wù)，及專門的制程經(jīng)驗和技術(shù)訣竅來進(jìn)一步證明技術(shù)的可行性和構(gòu)造整體知識并達(dá)成這個里程碑。

Schiltron其中一個關(guān)鍵目標(biāo)是藉由Entrepix在先進(jìn)的化學(xué)機(jī)械拋光工藝的專業(yè)知識來達(dá)成其裝置架構(gòu)概念證明?；瘜W(xué)機(jī)械研磨拋光在整個裝置流程起了以下2個重要關(guān)鍵和可行性：1，第一個柵極（first gate）的構(gòu)思和形成；2，超薄的渠道(ultra-thin channel)的形成。這兩者對于裝置功能都是至關(guān)重要。

Entrepix技術(shù)長Rob Rhoades說：“這個項目的發(fā)明很明顯的顯示化學(xué)機(jī)械研磨拋光(CMP）工藝有一定特有的產(chǎn)品架構(gòu)和引發(fā)更多新產(chǎn)品的實現(xiàn)。Schiltron也在3D Flash技術(shù)跨過和奠定了一大步也代表CMP將在新的材料和下一代產(chǎn)品的研發(fā)會將扮演更重要的角色?！?nbsp;

Schiltron，Mountain View， CA，在最近的舊金山國際電子器件會議（IEDM）上首次介紹了其新產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，說明新產(chǎn)品如何在替代制造方式提供明顯優(yōu)勢會。