為了擴(kuò)展消費(fèi)電子領(lǐng)域市場(chǎng)，VTI加寬了產(chǎn)品線，在2010年墨西哥電子展宣布進(jìn)入MEMS晶振市場(chǎng)。 
    作為MEMS的先驅(qū)，在如今高速發(fā)展的市場(chǎng)下晶振市場(chǎng)呈現(xiàn)出平穩(wěn)的發(fā)展?！皩?duì)目前市面上出現(xiàn)的MEMS產(chǎn)品進(jìn)行分析，Yole Développement做出MEMS晶振市場(chǎng)是2015年最有發(fā)展?jié)摿Φ氖袌?chǎng)，并且是2009到2015復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）最高的市場(chǎng).預(yù)期 MEMS晶振會(huì)從2009年的USD 7.9百萬(wàn)增加到USD 644.9百萬(wàn)在2015年，” 
    VTI消費(fèi)電子副總裁Mr. Sten Stockmann說(shuō)
    VTI晶振產(chǎn)品會(huì)利用VTI的3D MEMS和封裝技術(shù)。VTI目前使用Chip-on-MEMS技術(shù)對(duì)費(fèi)級(jí)傳感器進(jìn)行封裝。同樣的技術(shù)也會(huì)應(yīng)用在晶振上，不過(guò)是相反的MEMS-on-Chip技術(shù)。
成熟的MEMS技術(shù)
    石英晶振---絕大部分高性能電子系統(tǒng)的計(jì)時(shí)都是由石英振蕩器---在發(fā)展飛速的消費(fèi)設(shè)備中面臨著挑戰(zhàn)。振蕩的穩(wěn)定性和頻率靈敏度就像石英振蕩器減小尺寸一樣，是相互制約的，這是由于要增加這些更新的振蕩器的晶體阻抗。小的石英振蕩器在頻率偏差方面對(duì)震動(dòng)更靈敏，就像小封裝的振蕩器對(duì)于機(jī)械振動(dòng)的公差就會(huì)更大一樣。
    硅MEMS振蕩器替代石英晶振。硅MEMS振蕩器尺寸小，價(jià)格低，此外不易受撞擊和震蕩。
    VTI提供低成本，小尺寸和超高性能的方案
    MEMS振蕩技術(shù)已經(jīng)在市場(chǎng)上普及，它所面對(duì)的是低精度和大溫漂這些問(wèn)題。一個(gè)典型的MEMS振蕩器的頻率可以達(dá)到10，000ppm。此外，MEMS振蕩器溫度漂移大約在30ppm/攝氏度。
    這種振蕩技術(shù)，ASIC必須被設(shè)計(jì)來(lái)補(bǔ)償頻率誤差，增加了尺寸，成本，功耗和噪聲。結(jié)果是振蕩器成本提高，切沒有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
    VTI技術(shù)客服了這些常見的障礙，并且提供可競(jìng)爭(zhēng)的石英晶振。2011年初，VTI會(huì)發(fā)布它第一款晶振。