英特爾和Micron正在NAND工藝技術(shù)之戰(zhàn)中爭取領(lǐng)先地位。在近期的電話會議上，Micron宣布自己的20納米級別NAND產(chǎn)品將在很短時間內(nèi)出樣。Micron沒有指明具體的工藝，很多人預(yù)期他們將在2010年年初公布更多細節(jié)。

預(yù)計Micron將和自己在NAND領(lǐng)域的合作伙伴英特爾在2010年推出一款20納米級別的NAND產(chǎn)品。憑借此產(chǎn)品，英特爾和Micron將超越三星和東芝。英特爾和Micron此前合資組建了IMFlash技術(shù)有限責(zé)任公司。

這兩家公司都在出售基于NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品。分析人士稱，英特爾已立足SSD市場，而Micron還在此領(lǐng)域掙扎。

Micron在不久前結(jié)束的上一財季迎來了三年來的首次盈利，以17。4億美元的銷售額超越了華爾街的預(yù)期。該公司的NAND業(yè)務(wù)上季度增長21%，DRAM業(yè)務(wù)更是猛增50%。事實上Micron已經(jīng)在將有限的產(chǎn)能分配在選定的產(chǎn)品上，其中包括DDR3SDRAM。

英特爾與Micron的組合在NAND工藝競賽中曾一度保持領(lǐng)先地位。兩家公司一直在出售34納米工藝產(chǎn)品。直到2009年4月，東芝卻奪取了領(lǐng)先地位，因為該公司一直在加速開發(fā)32納米工藝的NAND閃存產(chǎn)品。

2009年8月，隨著英特爾和Micron正式宣布推出3-bit-per-cell（x3）技術(shù)NAND產(chǎn)品，該領(lǐng)域的競爭趨向白熱化。x3，MLC（多層單元）NAND技術(shù)基于34納米工藝。2009年12月初，韓國三星電子宣布自己開始量產(chǎn)基于30納米工藝的x3，MLCNAND閃存芯片。

現(xiàn)在，英特爾和Micron有了可用的20納米級別產(chǎn)品。但三星仍然在NAND市場占據(jù)主導(dǎo)地位，而東芝也在擴張。根據(jù)iSuppli公司新推出的第三季度排名顯示，最頭痛的還是停留在排名末端的英特爾。

與此同時，整個NAND市場已由衰退呈現(xiàn)出復(fù)蘇狀態(tài)。Gartner分析師JosephUnsworth在報告里寫道“過去的一年非常艱難。經(jīng)歷災(zāi)難性2008年的NAND生產(chǎn)商幾經(jīng)絕望。但2009年理性的回復(fù)，使得業(yè)界平衡也得以修復(fù)。2009年大部分時間里的需求都很旺盛，廠商充滿希望。由于供應(yīng)依然緊缺，2010年形勢大好，2011年也將如此”。

價格也將變得更好，報告指出：“絕大多數(shù)密度的NAND合同價在12月初略有下降，但相比2008年12月，MLC部件價格翻倍，SLC部件價格維持不變。目前16GbMLC部件售價約4。68美元，去年同期大多數(shù)公司的定價為2。25美元。這不但顯示出NAND廠商去年所面臨形勢之慘痛，也揭示出糾正供過于求問題的重要性。近期的渠道清點帶來的樂觀信息顯示市場價格在2010年第二季度下滑前仍將保持穩(wěn)定。2010年對NAND廠商而言形勢大好，將帶來超過20%的營收增幅”。