目前，世界內(nèi)存芯片和邏輯電路生產(chǎn)工藝普遍還處于30納米和42納米。近日，日本東芝公司表示，他們突破了目前芯片生產(chǎn)工藝的瓶頸，通過使用鍺元素生產(chǎn)出了厚度僅為16納米金屬絕緣半導體場效應晶體管，并且將來的產(chǎn)品可能會更薄。

很早以前就人們就已經(jīng)知道，鍺元素具有制造微小設備的潛力，但是使用鍺元素生產(chǎn)芯片的難度比使用硅元素要大的多，其原因是因為鍺是一種金屬元素，用鍺元素生產(chǎn)的芯片很難限制其電流處理能力。

不過，東芝似乎已經(jīng)克服了這個問題，新的芯片生產(chǎn)工藝是將很薄的一層鍶元素與一層鍺元素結(jié)合成夾層結(jié)構(gòu)（見下圖），兩種材料之間距離小于1納米，使用這種鍶鍺復合材料最終生產(chǎn)出了16納米的芯片。東芝公司計劃在本周晚些時候召開的2009京都大規(guī)模集成電路研討會上展示這個工藝的其它一些詳細細節(jié)。

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